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题名一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计
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作者
曾伟
武华
冯秀平
陈翰民
姚佳
杨煌虹
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机构
赣南师范大学物理与电子信息学院
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2023年第6期1480-1483,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(61650404)
江西省教育厅科技项目(GJJ201411)。
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文摘
提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构,在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层,通过加入的N型高阻层增加集电极电阻,同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入,消除了电压回跳现象,并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15 A/cm^(3),同时改善了器件的关断特性,关断时间减小了103 ns。相较于传统FS RC-IGBT,反向恢复峰值电流降低了33.3%,关断时间减小了9.93%。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
无电压回跳
N+集电区
反向恢复电流
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Keywords
insulated gate bipolar transistor
snapback-free
N+collector
reverse recovery current
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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