基于无磁芯变压器的IGBT/MOSFET隔离驱动技术

本文分析了开关电源中大功率器件栅极驱动的必要性和以往运用光电耦合器和脉冲变压器实现MOSFET/IGBT隔离驱动的优缺点,介绍了一种新颖的隔离驱动技术——基于无磁芯变压器的IGBT/MOSFET隔离驱动技术,分析了无磁芯变压器技术的原理及脉冲信号的传输,最后给出了它的一个应用实例。

功率变换器驱动电路中的无磁芯变压器

介绍了利用印制板制成的无磁芯变压器的基本结构。对其进行仿真分析并得出实验结果。证实了在高频率工作时，在功率MOSFET/IGBT的驱动电路中成功地使用无磁芯印制板变压器，它简化了生产过程，降低了生产成本，有利于提高高频开关电源的小型化和集成度。

基于1ED020I12-FA的开关磁阻电动机驱动电路

电动汽车用开关磁阻电动机的功率变换器使用了不对称的半桥结构,采用Infineon的无磁芯变压器隔离的驱动芯片1ED020I12-FA设计了开关磁阻电动机的驱动电路。详细介绍了1ED020I12-FA的基本结构和工作原理,论述了IGBT驱动电路的设计。实验表明,该IGBT驱动电路输出稳定,能很好地开通和关断IGBT,具有良好的可靠性和稳定性。

GaN功率器件栅驱动电路技术综述

第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。

电力电子系统集成的关键技术

本文综述电力电子系统集成的三项关键技术:改进的功率集成电路、功率变换器的高频数字控制和无磁芯变压器,包括设计考虑和特性。

基于CLT技术的三电平逆变器板载式驱动电路设计

应用于未来舰船综合电力系统的三电平逆变器IGBT开关器件多、开关状态复杂,对IGBT驱动电路有着较高的要求。本文介绍IGBT驱动领域最新的无磁芯变压器驱动技术和1ED020I12驱动芯片,对比分析该芯片的性能特点,利用其设计驱动电路和故障保护电路。论述驱动板电磁兼容设计原则和方法,完成三电平逆变器板载式驱动板的设计开发。相关试验表明本设计的有效性和实用性。

拓展多种数字隔离器技术在IT与新能源设备中的特征与应用

本文将对基于无磁芯变压器(CT)隔离技术构建的数字隔离器与iCouple脉冲调制变压器隔离器特征与应用作分析说明,由此对其应用前景作说明。