在无规场下的半无限Ising模型表面的临界性质

研究了在无规场下的半无限Ｉｓｉｎｇ模型表面的临界性质。结果显示在弱无规场下高于体临界温度的表面铁磁相存在。此外，表面铁磁相与无序相的相变温度随无规场的增加而平滑地减少，没有发现三临界点的迹象。

自旋s=1的半无限无规场伊辛模型的临界行为

该文应用平均场重整化群方法,对s=1的半无限简立方伊辛铁磁体在表面无规场(三峰分布)存在时的表面临界行为进行了研究,得到了系统的表面相图.

无规场作用下的混合自旋系统

本文应用对模型近似方法,对于有晶场和无规场存在的混合自旋系统的临界行为和磁化强度作了详细的计算和分析。

混合自旋无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法，讨论在表面无规场和非晶化存在时，对Ｓ＝１和σ＝１／２混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响，得到在各种情况下系统的表面相图。相图表明，非晶化是一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象。

半无限无规场混合伊辛自旋系统的临界行为

本文运用平均场重整化群方法，讨论表面无规场存在时ｓ＝１和σ＝１／２混合自旋伊辛系统表面临界行为，得到了系统的表面相图。

无规场量子Ising模型的研究

本文通过将对近似方法和离散路径积分表示组合,提出一种超越平均场的方法,用来研究无规场存在下的量子横向Ising模型。无规场取不同的形式时对系统相图结构的影响作了统一的描述。无规场取双峰和三峰分布时,通过数值计算对系统的临界特性包括三临界点和重入现象存在的可能性作了详细的研讨。理论在配位数z→∞时退化为平均场结果。

自旋S =1/2具有无规横场的各向异性海森堡模型的相变特性(英文)

运用双自旋集团近似的方法研究了交换作用各向异性和无规场对自旋S =1/2海森堡系统的相变和磁化强度的影响 .当外场为零时存在一个临界交换作用各向异性参数γC.当γ >γC,横向交换作用进一步增强 ,相变温度消失 ,系统处于无序状态 .交换作用各向异性不仅降低了相变温度 。

无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法，讨论表面无规场和非晶化存在对 Ｓ＝ １ 和 σ＝ １／２ 混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响，得到在各种情况下系统的表面相图．计算结果表明，非晶化在一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象．

半无限无规场混合伊辛自旋系统的临界行为

应用平均场重整化群方法，讨论表面无规场（三峰分布）存在时Ｓ＝１和σ＝１／２混合自旋伊辛系统的表面临界行为，得到了系统的表面相图．

具有无规纵场的无规横场Ising模型

本文用对近似和分离路径积分方法研究了具有双峰分布的无规纵场和三峰分布的无规横场的lsing模型的相图,研究了临界温度与局域结构的关系以及无序和量子涨落效应相互竞争对相图的影响。

用MFRG和DPIR方法解三峰场中自旋为2的TIM模型

本文用平均场重整化群方法(MFRG)和离散路径积分表示(DPIR)的方法来研究自旋为2的无规横向伊辛模型在三峰分布纵场中(RFTIM)的相图和临界性质。

弛豫铁电体相变研究的最新进展

介绍了引起弛豫铁电相变的无规场观点,以及在Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O_3-PTiO3(PZN-PT)和Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3-PbTiO_3(PMN-PT)系统的准同型相界附近所发现的单斜相.

具有单轴各向异性场的无规横向伊辛模型(S=1)的临界行为

应用我们提出的对近似和离散路径积分技术相结合的方法,研究了具有单轴各向异性场的无规横场伊辛模型(自旋s=1)的临界行为,并且讨论了单轴各向异性场和横场无规分布对系统相图结构的影响。

Ba_(0.98)Bi_(0.02)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))_(1-x)Cu_xO_3陶瓷的介电弛豫特征

采用固相反应法制备Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03,摩尔分数)陶瓷。X射线衍射分析结果表明:所有样品均为四方晶体结构,摩尔分数为2%的Cu2+能够完全溶入Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷晶格中。Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3陶瓷不同频率的介电温谱显示:所有样品均具有弥散相变的特征,当x=0、0.02、0.03时,样品有典型弛豫铁电体的特征。当x=0.01时,剩余极化强度达到最大值,为2.83μC/cm,矫顽场达到最大值,为3.07 kV/cm。基于纳米极性微区和局域无规场的理论解释了弛豫铁电体和带有弥散相变的铁电体之间的关系,即当由价态差异和缺陷引发的局域无规场相对较强且测试频率与纳米极性微区的弛豫频率相近时,在弥散相变温度区间内的介电弛豫行为才能被观察到;而局域无规场很弱的情况下,介电弛豫行为只有在更高的频率下才能被观察到。