发展前景广阔 功率半导体厂商迎发展良机

序言:功率半导体是实现电能转换的核心器件,能够对电压与电流间的转换进行有效控制,通过开关状态的变化,实现逆变、整流、变频等多种功能,控制电力电子系统的能量输出,将整个电力电子系统的能耗控制在最低范围内,从而达到对能量的合理管控,降低能耗,减少碳排放。

品闸管无触点开关在行车上的应用

我公司属化工企业，目前用于生产的行车共有7台，大多数行车仍采用大容量电磁式接触器。其工作场所粉尘、腐蚀性气体较多，工作条件恶劣；工作负载性质属于重复短时工作制，处于频繁起动、制动、正反转状态，要承受较大过载和机械冲击，接触器主触头经常发生烧蚀，造成电动机缺相运行甚至短路烧毁等电气事故，影响了生产的正常运行。为此，我们采用了一种模块化、体积小、质量轻、工作时无噪声、性能稳定的电力电子半导体器件——双向晶闸管模块来替代接触器。

晶通半导体:从科创到智能氮化镓器件产业

近年来,以氮化镓和碳化硅为代麦的第三代学导体具有更宽的禁帶宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,在科研与产业界都受到了广泛的关注。其中,氮化镓以优异的开关特性成为高效率、高频、小型化高功率密度电源及其他电力电子设备的首选。

软开关技术及其在大电力变流器中的应用

文章系统阐述了软开关技术的发展过程、基本结构,并给出了软开关的具体应用实例。

开关型功率变换技术评述

1 PWM 变换的优缺点PWM 变换器是通过开关器件的突开、突关而中断功率流的方式来处理功率的,脉动电压和电流在功率半导体器件上产生很高的电压和电流应力。PWM 开关变换电路简单、易于控制,所以仍是电力电子工业的主流产品。为适应对电源轻、小的要求,需要提高 PWM 变换器的开关频率。

IGBT与FET的比较 IGBT和功率FET工作特性

IGBT是一种以电压驱动的高电流器件。与其它电力电子器件相比,IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点。与此同时,随着电力电子系统结构技术快速发展,电力半导体组件在节省电力、减小体积以及成本大幅降低的要求下,发展迅速,MOSFET应运而生。本文将针对开关电源用IGBT和高压功率FET的发展历程及工作原理进行详细阐述。

SS_6B型电力机车（7）──变流装置

ＳＳ_６Ｂ型电力机车（７）──变流装置株洲电力机车研究所严树刚ＳＳ６Ｂ型电力机车变流装置由供给电枢电路的三段不等分半控桥，功率因数补偿装置的晶闸管开关和制动励磁电源三部分组成。图７—１是供给ＳＳ６Ｂ电力机车一个转向架三台牵引电动机的调压整流电路原理图?..

Vincotech发布新型低电感大功率半桥模块

作为半导体功率模块专业供应商，Vincotech日前发布了一个新系列产品-flowPHASE2S。这个新系列产品能够为瞬间大电流提供低电感回路，可以满足高性能高开关速度100kW电力电子装置应用。

具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

电力电子技术在交流电气化铁道中的应用及发展

叙述电力电子技术在交流电气化铁道中的应用实况与发展动向。重点介绍几种用于供电系统的无功功率补偿装置,通过图表分析这些装置的结构、原理,分别阐明它们对改善功率因数及减小电网电压波动的实际效果;还提到开关器的开发应用。

日本国民身边的电力电子技术

电力电子学是一门汇集电力工程学、电子工程学和控制学三位于一体的新兴学科。随着高电压大功率半导体开关器件的陆续问世，电力电子技术取得了长足的进步。

新型功率器件IGCT

集成门极换流晶闸管（IGCT）是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的器件。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一个新型电力半导体器件，它不仅与GTO有相同的高阻断能力和低通态压降．而且有与IGBT相同的开关性能，兼有GTO和IGBT之所长，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件。

开关电源在电力系统的应用

应用大功率半导体器件 ,在一个电路中运行于“开关状态” ,按一定规律控制开关 ,对电能进行处理变换而构成的电源 ,被称为“开关电源”。与传统的相控型直流电源相比 ,开关电源模块各项性能指标优异 ,维护方便。随着电力用开关电源技术的不断完善 ,开关电源将全面替代相控电源 。

10 kV环网柜二次控制回路数字化控制器的设计

传统10 kV环网柜的二次控制回路由接触器、继电器等模拟电路组合而成,因银川地区风沙、凝露、灰尘等因素使得传统10 kV环网柜二次控制回路故障率高、维修频繁,导致配电自动化"三遥"指标低。为解决环境因素造成的"三遥"指标低的问题,提出了利用数字信号处理器(DSP)替代传统模拟控制回路中的大部分逻辑电路,利用无触点功率半导体电力开关替代接触器功能的数字化控制器方案。从数字化控制器外接线设计及技术原理,控制器硬件电路设计以及软件设计三个方面对方案进行详细介绍。通过研制样机和现场运行验证了方案的正确性与可行性,彻底解决了10 kV环网柜二次控制回路故障率高的问题,有效提升配电自动化"三遥"指标。

全固态高重复频率LTD的性能测试和特性分析

全固态直线型变压器驱动源(LTD)是具有独特性能的新型高重频脉冲功率发生器。针对LTD的基础特性进行了较详细的实验研究。测量内容包括输出脉冲宽度与控制信号的关联、LTD模块上的信号延迟及其分散性,以及不同条件下LTD系统的能量效率分析。实验结果使我们对LTD取得了更加详细和深入的认识,同时为进一步改善和提高LTD脉冲功率发生器的技术水平提供了重要的参考数据。

Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid

碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体器件的最新发展进行回顾,包括碳化硅功率二极管、MOSFET、IGBT和晶闸管,对其在电力系统的应用现状与前景进行展望。高压大容量碳化硅功率半导体器件的迅速发展,将对电力系统的发展带来深远的影响。

IGBT在新能源汽车中的应用(上)

近年来,新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2),IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式,是绝缘栅双极型晶体管。与以前的各种电力电子器件相比,IGBT具有以下特点:(1)高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;(2)高速开关特性,导通状态低损耗。

IGBT:创新与发展

IGBT具有驱动功率小、开关速度快和通态压降小等优点，在电力电子技术行业应用中得到了快速的发展，成为现代电力电子技术的主型器件。一代器件，一代应用。作为电能转换和传输的核心器件，IGBT是促进传统产业转型升级与新兴产业发展的重要基础。随着半导体技术的不断进步，IGBT器件的发展呈现以下特点：