有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管技术,本期主要介绍多晶硅薄膜晶体管技术,给出了其主要类型、工作原理及性能,以及生产制作中的关键性技术。

有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管技术

全文描述了应用于有源矩阵液晶显示器领域的各种薄膜晶体管(TFT)技术,本期主要介绍非晶硅TFT和氢化微晶硅TFT技术,给出了它们的主要类型、工作原理、主要性能以及生产制作中的关键性技术,同时还对几种AMLCD-TFT驱动电路作了详细说明。

薄膜晶体管及其在有源矩阵液晶显示中的应用

薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种。PC机及监视器等高清晰度液晶显示(LCD)中的TFT以有源矩阵的形式应用在点阵驱动的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中。作为开关器件,AMLCD中的TFT工作在饱和模式,其源极总是连接数据总线(视频),漏极接像素电极。其结构为交错/反交错和共面/反共面两种基本类型。TFT的主要工艺与IC技术兼容,半导体层所用的材料主要是a-Si。

无定形硅薄膜晶体管有源矩阵寻址液晶显示器

晶体管特性取决于材料纯度和界面性质。讨论了顶部钝化的氮化物对场效应迁移率(μ_(FE))和阈值电压的影响。获得场效应迁移率为1.0cm^2V^(-1)S^(-1)。由栅和源之间脉冲电压作用引起的液晶显示器(LCD)工作期间阈值电压的偏移,可以通过累加根据脉冲顺序而依次产生的每个阈值电压偏移值计算出。已制备出的样品在50℃下估计寿命为10年,这对于的实际应用是令人十分满意的。本文报导了无定形硅薄膜晶体管液晶显示LCD(a-Si TFT-LCD)技术的最新进展。我们已设计出用于电视的对角线为6.5英寸的显示屏,用于高分辨率飞机座舱显示器的3.2英寸信息显示屏,用于计算机终端的14.3英寸大屏幕显示器。分别讨论了这些技术。

采用柔性基板有机薄膜晶体管（OTFT）驱动的有源矩阵显示

一种在柔性基板上排列像素为64×128的有机薄膜晶体管（OTFT）技术已经被研究出来，本文分析了其制造方法及其设备和性能。运用这种OTFT技术制造的有源矩阵液晶显示的像素大小已达到550μm×550μm。

薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器

从分析有源矩阵液晶显示器（AMLCD）的发展形势出发，着重介绍了薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器的优势和制作过程，指出这种显示器目前在投影显示和小尺寸显示方面有较好的市场前景。

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。

4.3英寸有源矩阵型电视/视频应用全色液晶显示器

研制出了一种能够显示全色电视图象的4.3英寸有源矩阵型液晶显示器(LCD)样机。这种液晶屏的显示面积为66mm×88mm,包含有252×240个三色点象元(378×480个象素)。采用无定形硅薄膜晶体管(TFT)有源矩阵驱动的方法,可以实现和CRT相同的高图象质量的显示。

多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。

有源矩阵液晶显示集成驱动电路

介绍了多晶硅薄膜晶体管(poly-SiTFT)的特性,分析了有源矩阵液晶显示(AMLCD)的扫描和数据驱动电路。

基于低温多晶硅-氧化物半导体混合集成的薄膜晶体管显示背板技术

低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。

TFT有源矩阵液晶显示系统设计

本文论述了TFT有源矩阵液晶显示系统的设计原理,包括驱动电路(专用CMOS电路BDD1001,BDD2001)和控制电路(同步信号发生电路,图像信号产生电路和背电极电路),实现计算机模拟电视信号驱动液晶显示系统。

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。

高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用

低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。

多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到

基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展

ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构以及在AMLCD中的应用、国外ZnO TFT器件的进展状况进行综述,并展望了器件的前景.

TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数。

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。

你需要什么样的液晶显示器

近些年,在竞争日趋激烈的显示器市场上,有一种新生力量正在渐渐壮大,它就是——液晶显示器。今天我们就一起来聊聊它。液晶显示器的分类按照物理结构,LCD可分为无源矩阵显示器中的双扫描无源阵列显示器(DSTN-LCD)和有源矩阵显示器中的薄膜晶体管有源阵列显示器(TFT-LCD)。 DSTN(Dual Scan TortuosityNomograph)双扫描扭曲阵列,是液晶的一种。