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题名氮化镓功率电子器件上欧姆接触电极研究进展
被引量:1
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作者
郑文浩
田野
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机构
哈尔滨师范大学/光电带隙材料教育部重点实验室
哈尔滨师范大学物理与电子工程学院
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出处
《科技创新与应用》
2023年第4期36-38,42,共4页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)
国家自然科学基金资助项目(61774147)。
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文摘
GaN基功率电子器件已经被应用在电子产品、电气设备和充电器等领域。如何进一步提高现有GaN基功率器件性能是接下来研究的重点。其中,金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题。该文综述总结近年来在GaN基功率器件结构中的欧姆接触电极及不同类型欧姆接触方案的研究成果。在简要介绍几种典型的功率电子器件结构中的欧姆接触之后,将分别讨论n型GaN、p型GaN、Al GaN/GaN异质结上的欧姆接触,以及对于无金欧姆接触技术的各种尝试和成果。最后,对未来的发展趋势作出展望。
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关键词
GAN
欧姆接触
功率电子器件
无金欧姆接触
研究进展
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Keywords
GaN
ohmic contact
power electronic devices
Au-free ohmic contact
research progress
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用
被引量:1
- 2
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作者
李祈昕
周泉斌
刘晓艺
王洪
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机构
华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心
华南理工大学电子与信息学院
中山市华南理工大学现代产业技术研究院
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出处
《光学与光电技术》
2018年第6期71-77,共7页
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基金
广东省应用型科技研发专项资金重大项目(2015B010127013
2016B010123004
+4 种基金
2017B010112003)
广州市产学研协同创新重大专项(201504291502518
201604046021)
中山市科技发展专项(2017F2FC0002
2017A1007)资助项目
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文摘
制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌。并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件。实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10-5Ω·cm2、表面形态平整的欧姆接触电极,所制备的AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件,在VGS=0V时的源漏饱和电流(IDSS)为345.7mA/mm,对未掺杂AlGaN/GaN HEMTs器件的低温无金欧姆接触的实现具有指导意义。
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关键词
氮化镓基高电子迁移率晶体管
无金欧姆接触
低温合金
欧姆前刻槽
退火工艺
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Keywords
AlGaN/GaN HEMTs
Au-free ohmic contact
low temperature annealing
pre-ohmic recess
annealing
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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