化学镀镍/钯/金工艺中连接盘设计对金厚影响的研究

通过设计几种常见的连接盘,在化学镀镍/钯/金(置换金体系)后量测连接盘的金层厚度,以研究连接盘对置换金厚的影响。对实验结果进行分析,发现在相同的加工条件下,连接盘的沉金厚度有随着连接盘面积增大而减小的趋势;当连接盘面积小于一定量时,阻焊限定(SMD)连接盘的金厚较相同大小的非阻焊限定(NSMD)连接盘的金厚降低;对于设计大小相同的连接盘,连接盘的金厚与其连接的沉金连接盘或铜面的面积大小呈负相关。

化学镀镍浸金和化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展趋势

当今电子信息产品便携小巧、功能多样的发展趋势,推动了其所需PCB产品向轻薄、信号传送速度更快的方向发展,这对PCB表面处理工艺的稳定性、可靠性提出了新的挑战。另一方面,欧盟在2003年制定的RoHS、WEEE等规范都旨在消除电子产品中铅、汞等有害的物质,推动了PCB表面处理技术向绿色无铅化方向发展。化学镀镍浸金(简称ENIG)和在其基础上发展的化学镀镍镀钯浸金(简称ENEPIG)表面处理技术可以适应PCB精细线路多类型元件的无铅焊接装配要求。上述两种表面处理技术克服了由无铅工艺带来的诸多问题,但其自身也面临如何进一步降低成本和技术难度,提高工艺可靠性等一系列问题。

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物(IMC)层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。

LTCC纯银基板的化学镀镍钯金工艺

通过在银导体上逐次化学镀镍钯金来实现在LTCC纯银基板上的键合、钎焊等功能,避免了传统LTCC基板常用的多次贵金属套印,有效降低了生产成本。通过对样品进行试验验证,膜层键合强度和可焊性等都满足使用要求,可广泛应用于表面贴装和裸片邦定的微波产品工艺。

化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展前景分析

随着电子封装系统集成度逐渐升高及组装工艺多样化的发展趋势,适应无铅焊料的化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)表面处理工艺恰好能够满足封装基板上不同类型的元件和不同组装工艺的要求,因此ENEPIG正成为一种适用于IC封装基板和精细线路PCB的表面处理工艺。ENEPIG工艺具有增加布线密度、减小元件尺寸、装配及封装的可靠性高、成本较低等优点,近年来受到广泛关注。文章基于对化学镍钯金反应机理的简介,结合对镀层基本性能及可靠性方面的分析,综述了ENEPIG表面处理工艺的优势并探讨了其发展前景。

ABS塑料表面无钯化学镀镍新工艺

为了解决贵金属化学镀工艺中活化成本高和环境污染重的问题,利用废弃的碱性镀镍液和有机添加剂A制得了胶体镍盐活化液,用KBH4将其中的镍离子还原为金属镍作为活化中心,诱导ABS塑料表面无钯化学镀镍。讨论了活化时间、温度、pH值对活化效果的影响,对镀层的结合力、耐蚀性、表貌形貌及组成进行了表征。结果表明:胶体镍盐活化液pH值为8左右,活化温度50℃,活化时间2～3 min,活化效果显著;镀层平整、光亮,结合力好,耐蚀性高。本工艺操作简单,绿色环保,成本低廉,具有一定的应用价值。

LTCC基板化学镀镍镀钯浸金工艺研究

化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)具有良好的综合性能,广泛应用于印制板生产领域。文章研究了在LTCC基板表面银导体上的ENEPIG工艺,通过工艺试验,确定了化学镀工艺参数,并对化学镀工艺进行了改进,通过调整工艺,增加钯层和金层厚度,解决了高温焊接后金层发白,键合可靠性差的难题,测试了LTCC基板镀层厚度、可焊性、金丝键合拉力,均满足产品应用需求。

化学镀镍钯金技术在LTCC低成本化进程中的应用

介绍了一种通过在LTCC银导体上化学镀镍钯金替代金导体的工艺方法。利用该方法制备LTCC微波基板可有效解决化学镀镍金在LTCC基板制备过程的工艺缺陷。通过性能测试可知,化学镀镍钯金LTCC基板平均金丝键合强度可达到305 mN,平均金带键合拉力均大于500 mN,平均芯片剪切强度达到5.28 kgf。利用化学镀镍钯金技术制备的LTCC基板性能良好,有效推进了LTCC基板的低成本化进程。

化学镀镍镀钯浸金表面处理常见品质缺陷及解决方案

在各种表面处理技术中,化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)因具有良好的综合性能,被认为是PCB最理想的表面处理技术,但在实际工艺中容易出现漏镀,渗镀,金面异色,金面腐蚀等品质缺陷问题,影响产品可靠性。文章介绍了镍钯金表面处理技术中常出现的几种品质缺陷,并通过对其进行原因分析。

罗门哈斯推出化学镀镍钯浸金工艺

罗门哈斯电子材料公司印刷线路板技术事业部（CBT）在近日举办的2008国际线路板及电子组装展会上，推出了最新的最终表面处理制程allarnmrseTM SMT 2000，其具有的优良锡焊可靠性及打线接合可靠性，适用于对连接的可靠性要求高的产品。

化学镀镍金新工艺技术在印制板中的应用

在简单介绍印制板化学镀镍金工艺原理的基础上 ,对化学镀镍金之工艺流程、工艺控制。

印制电路板用化学镀镍金工艺探讨

本文在就多层印制板内层图形制作之蚀刻工艺技术进行简单介绍的基础上，对该制程的质量控制进行了较为详细的论述。

氮化铝多层共烧陶瓷基板的化学镀镍钯金技术

氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有优良的散热性能和与芯片匹配的热膨胀系数,其热导率比LTCC高两个数量级左右。在HTCC制作过程中,需要使用高熔点的钨浆料,而钨本身不具有可焊性和可键合性,必须对HTCC表面的钨导体进行表面改性,使其具有可焊性和可键合性,便于电子装配。化学镀镍钯金是这种表面改性最理想的方案。在HTCC表面进行化镀的相关文献较少,文中论述了在HTCC上沉积化学镍钯金镀层的原理,探讨了导致化学镍钯金沉积过程中出现的附着力问题的原因,为HTCC上化学镍钯金镀层的质量控制提供了方向指引。

适用于IC封装的表面涂覆层——化学镀镍、钯、金的未来

概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金涂(镀)覆层的优点,它比起化学镀镍/浸金,不仅更适用于IC封装,而且提高了可靠性,降低了成本。

化学镀镍–磷合金层表面化学镀金工艺及其性能

采用化学镀镍–磷/化学镀钯/置换镀金(ENEPIG)工艺获得镍/钯/金组合镀层,对比分析了它与化学镀镍/置换镀金(ENIG)、化学镀镍/化学镀金(ENEG)工艺的相关沉积特征及镀层耐蚀性能。镀金过程中开路电位和沉积速率均发生明显的变化,反映了基体电极表面状态的变化。ENEG工艺的化学镀金过程中的平台电位最正,沉积速率最快。与ENIG工艺的置换镀金相比,ENEPIG工艺中置换镀金的平台电位更正,对基体的腐蚀也更慢,所得置换镀金层更致密,具有良好的耐腐蚀性能。综合对比ENIG、ENEG、ENEPIG工艺所得3种镀层,ENEPIG工艺的镀层性能最优。

铅黄铜化学镀镍前处理工艺

0 前言 化学镀镍的质量在很大程度上取决于除油、酸蚀、活化等前处理工艺。铅黄铜化学镀镍更是如此。铅黄铜在化学镀镍时，存在两个问题：（1）铅黄铜中的铅会毒化镀液，难以获得结合力好的镀层；（2）铅黄铜与其他铜合金一样，在以次磷酸钠为还原剂的化学镀镍液中不具有催化活性，不能直接起镀。 为解决上述两方面的问题，以HPb59-1铅黄铜轴针（长度15．0mm，直径1．3mm）为对象，对其化学镀镍的前处理工艺进行优化，并在生产中获得应用，取得较好的效果。

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域,为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性,采用化学镀镍钯金工艺(ENEPIG),可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合(球焊)可靠性进行了研究,从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析,与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比,最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外,对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。

化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂覆层的再提出

文章概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂(镀)覆层的特性。不仅它能够满足各种各样的类型元件和安装工艺的要求,而且也能满足高密度的IC基板封装的要求。因而,化学镀镍/化学镀钯/浸金表面镀层是一种"万能"的镀层,具有最广泛的应用前景。

化学镀镍金及其温度的影响

介绍了化学镀镍金工艺流程和工艺控制,探讨了温度对镀层沉积速率、渗金漏镀、镀层厚度的影响。提出选用高精度、高灵敏度、温度场更均匀的恒温控制设备可以显著提高化学镀镍金的品质。

印制电路板用化学镀金工艺的研究进展

化学镀金作为印制电路板表面处理工艺,能够提供可焊性、延展性和抗腐蚀性等良好的镀金层,因而被广泛关注和研究。综述了印刷电路板(PCB)上化学镀金的研究进展,介绍了化学镀金原理和化学镀金液组成,叙述了无氰镀金体系的发展,同时从PCB镍金和镍钯金工艺的角度,分析了镀镍层、镀钯层和镀金层之间的相互影响,并对置换镀金和还原镀金进行了讨论,指出后者在生产效率和镀层质量上具有较大优势,并将逐渐取代置换镀金工艺。