用丝网印刷法在印有Pt电极的Al_2O_3基片上制备了BaTiO_3(BT)掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO_3(BNKT)厚膜,研究了BT掺杂对BNKT厚膜相结构、微观形貌、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现,(1-x)BNKT-x BaTiO_3厚膜体系的准同型相界(MPB...用丝网印刷法在印有Pt电极的Al_2O_3基片上制备了BaTiO_3(BT)掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO_3(BNKT)厚膜,研究了BT掺杂对BNKT厚膜相结构、微观形貌、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现,(1-x)BNKT-x BaTiO_3厚膜体系的准同型相界(MPB)位于3mol%<x<7mol%,当BT掺杂量为5mol%时,厚膜的介电、压电及铁电性能达到最佳,介电常数εr=793,压电常数d33=72 p C/N,剩余极化强度Pr=4.35μC/cm2,应变值达到了0.817%,但同时5mol%的BT掺杂使厚膜的介电损耗tanδ由1.1%增加到了6.2%,也使矫顽场EC由35.77 k V/cm增加到53.72 k V/cm。最后将制备的95BNKT-5BT压电厚膜制成扬声器振膜,结合设计的驱动电路,研制出了用于便携式电子设备的无铅压电扬声器。展开更多
文摘用丝网印刷法在印有Pt电极的Al_2O_3基片上制备了BaTiO_3(BT)掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO_3(BNKT)厚膜,研究了BT掺杂对BNKT厚膜相结构、微观形貌、介电、压电及铁电性能的影响。研究发现,(1-x)BNKT-x BaTiO_3厚膜体系的准同型相界(MPB)位于3mol%<x<7mol%,当BT掺杂量为5mol%时,厚膜的介电、压电及铁电性能达到最佳,介电常数εr=793,压电常数d33=72 p C/N,剩余极化强度Pr=4.35μC/cm2,应变值达到了0.817%,但同时5mol%的BT掺杂使厚膜的介电损耗tanδ由1.1%增加到了6.2%,也使矫顽场EC由35.77 k V/cm增加到53.72 k V/cm。最后将制备的95BNKT-5BT压电厚膜制成扬声器振膜,结合设计的驱动电路,研制出了用于便携式电子设备的无铅压电扬声器。
