Microchip提供符合RoHS标准的无铅封装产品

单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology(美国微芯科技公司)近日宣布，该公司所有的产品自2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡(Matte tin)作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡，铅焊接工艺，

Microchip提供符合RoHS标准的无铅封装产品

Microchip Technology(美国微芯科技公司)近日宣布，该公司所有的产品自2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡(Matte tin)作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡／铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡／银／铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。

飞利浦超薄无铅封装获得重大突破

皇家飞利浦电子公司日前宣布在超薄无铅封装技术领域取得重大突破，推出针对逻辑和RF应用的两款新封装：MicroPak^TMⅡ和SOD882T。Micro PakII是世界上最小的无铅逻辑封装，仅1．0mm^2，管脚间距为0．35mm。而面向RF应用的飞利浦SOD882T封装则更小，仅为0．6mm^2。飞利浦新的超薄无铅封装（UTLP）平台使得消费电子产品设计师能够灵活地在更小的空间内添加更多的功能。

Microchip提供符合RoHS标准的无铅封装产品

全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology(美国微芯科技公司)近日宣布，该公司所有的产品自2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡(Matte tin)作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡／铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡／银／铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。

Vishay推出无铅封装的SCSI总线终端器

美国威旭（Vishay）旗下的Siliconix公司近日宣布推出“小型计算机系统接口”（SCSI）总线终端器系列新产品-SiP56xx。该系列器件提供从SCSI-1到SPI-4（Ultra 320）所有SCSI总线运行模式的解决方案。

SOD882D：无铅封装产品

恩智浦半导体推出采用可焊性镀锡侧焊盘的无铅封装产品SOD882D。这是一款2引脚塑料封装产品，尺寸仅为1mm×06mm．是纤薄型设备的理想之选。其高度仅有0.37mm（典型值）．同时也是1006尺寸（0402英寸）系列中最扁平封装的产品之一，提供多种ESD保护和开关二极管选择。

英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET

英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET．在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。

杰尔无铅封装材料有突破，解决“锡须”问题

杰尔系统日前宣布，该公司的工程师已经找到了半导体封装材料成分的新组合，使半导体行业能够成功地实现无铅封装。该方法据称可在封装过程中去除铅，并消除了在推出无铅封装产品时存在的潜在缺陷。

Semtech的ESD保护器件采用超小型无铅封装

Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp 3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

Vishay推出无铅封装的SCSI总线终端器

Vishay子公司Siliconix近日宣布推出“小型计算机系统接口”(SCSI)总线终端器系列新产品——SiP56xx。该系列器件提供从SCSI—I到SPI-4(Ultra3201所有SCSI总线运行模式的解决方案.

Microchip提供符合RoHS标准的无铅封装产品

Microchip Technology(美国微芯科技公司)目前宣布，公司所有的产品自2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡(Matte tin)作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡／铅焊接工艺，并向前兼容于采用锡／银／铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。

Microchip提供符合RoHS标准的无铅封装产品

Microchip日前宣布该公司所有的产品自2005年1月起采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip计划采用雾锡(Matte tin)作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡／铅焊接工艺，并向前兼容于采用锡／银／铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。

飞利浦超薄无铅封装获得重大突破

飞利浦电子公司在超薄无铅封装技术领域取得重大突破。推出针对逻辑和RF应用的两款新封装：MicroPakll和SOD882T。MicroPakll的无铅逻辑封装达到1．0mm^2。管脚间距为0．35mm。而面向RF应用的飞利浦SoD882T封装则更小，仅为0．6mm^2。飞利浦新的超薄无铅封装平台使得消费电子产品设计师能够灵活地在更小的空间内添加更多的功能。

英飞凌SuperSO8无铅封装OptiMOS 3系列提升功率密度

英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比，SuperS08封装可使功率密度增大50％。采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与D^2-Pak封装相同的导通电阻。

无铅封装的测试解决方案

本文对无铅封装器件的测试问题进行了分析,并描述了ECT公司的解决方案。