有铝激光器和无铝激光器特征温度对比研究

为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。

LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器

介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点 .制作的条宽 10 0 μm、腔长 1mm的激光器 (腔面未镀膜 ) ,激射波长为831nm,室温连续输出光功率达 1W.

有Al激光器和无Al激光器的工作寿命对比研究

为了证明无Al激光器在可靠性方面优于有Al激光器,对InGaAsP/GaAs无Al和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有Al的808 nm大功率半导体激光器进行了常温下电流步进加速老化寿命试验,介绍了半导体激光器寿命试验的理论依据,给出寿命试验的数学模型,据此得到了器件在常温电流步进条件下的寿命,利用最小二乘法拟和得到加速老化的加速方程,从而推算出激光器的特征寿命,分析了有Al激光器和无Al激光器寿命对比结果,提出了材料中含Al对器件可靠性的一些不良影响,无Al激光器可靠性明显优于有Al激光器。

大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究

介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。

长春光所机研制的“808nm百瓦级连续波无铝量子阱叠阵激光器”已达国际领先水平

由长春光机所承担的吉林省科技厅重大项目“808nm百瓦级连续波无铝量子阱叠阵激光器研制”项目已通过成果鉴定。该项目建立了自己的无铝大功率量子阱激光器设计方法,优化设计了材料和器件结构,并攻克了管芯制作、器件封装、散热和电源驱动等一系列关键工艺技术;在国际上首次采用光源成像调节技术实现了5bar光束共线;研制出连续输出达217W、光谱半宽为2.5nm、5bar共线性好的激光叠阵模块,主要技术指标达到国际领先水平。

850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。

High-Power Distributed Feedback Laser Diodes Emitting at 820nm

By etching a second-order grating directly into the Al-free optical waveguide region of a ridgewaveguide（RW） AlGaInAs/AlGaAs distributed feedback（DFB） laser diode,a front facet output power of 30mW is obtained at about 820nm with a single longitudinal mode. The Al-free grating surface permits the re-growth of a high-quality cladding layer that yields excellent device performance. The threshold current of these laser diodes is 57mA,and the slope efficiency is about 0.32mW/mA.