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无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错
被引量:
1
1
作者
刘云霞
周旗钢
+3 位作者
孙燕
石宇
曹孜
李惠
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期787-790,共4页
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。
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关键词
氧化诱生层错
无铬腐蚀液
硅单晶
检测
抛光片
下载PDF
职称材料
题名
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错
被引量:
1
1
作者
刘云霞
周旗钢
孙燕
石宇
曹孜
李惠
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期787-790,共4页
基金
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
文摘
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。
关键词
氧化诱生层错
无铬腐蚀液
硅单晶
检测
抛光片
Keywords
oxidation-induced stacking faults(OSF)
chromium-free etching solution
CZ Si
detection
polished wafer
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错
刘云霞
周旗钢
孙燕
石宇
曹孜
李惠
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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