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重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备
被引量:
3
1
作者
薛宏伟
米姣
+2 位作者
袁肇耿
王刚
张志勤
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期200-205,共6页
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原...
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。
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关键词
硅外延片
超高阻
多次本征工艺
低温外延
无hcl抛光
电阻率不均匀性
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职称材料
题名
重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备
被引量:
3
1
作者
薛宏伟
米姣
袁肇耿
王刚
张志勤
机构
河北普兴电子科技股份有限公司
河北省硅基外延材料工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第3期200-205,共6页
文摘
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。
关键词
硅外延片
超高阻
多次本征工艺
低温外延
无hcl抛光
电阻率不均匀性
Keywords
silicon epitaxial wafer
ultra-high resistance
multiple intrinsic process
low temperature epitaxy
hcl
-free polishing
resistivity nonuniformity
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备
薛宏伟
米姣
袁肇耿
王刚
张志勤
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
3
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职称材料
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