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切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备
1
作者
汪正鹏
张崇德
+8 位作者
孙新雨
胡天澄
崔梅
张贻俊
巩贺贺
任芳芳
顾书林
张荣
叶建东
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1007-1015,共9页
本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射...
本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。
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关键词
超宽禁带半导体
氧化镓薄膜
金属有机物化学气相沉积
日盲紫外光电探测器
切割角
外延
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职称材料
肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器
被引量:
1
2
作者
杨莲红
张保花
+1 位作者
郭福强
陈敦军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1240-1243,共4页
本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性...
本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga2O3晶体质量的影响.
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关键词
肖特基
β-Ga2O3
日盲紫外光电探测器
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职称材料
题名
切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备
1
作者
汪正鹏
张崇德
孙新雨
胡天澄
崔梅
张贻俊
巩贺贺
任芳芳
顾书林
张荣
叶建东
机构
南京大学电子科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1007-1015,共9页
基金
国家重点研发计划(2022YFB3605403)
国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071)
广东省重点研发计划(2020B010174002)。
文摘
本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。
关键词
超宽禁带半导体
氧化镓薄膜
金属有机物化学气相沉积
日盲紫外光电探测器
切割角
外延
Keywords
ultra-wide bandgap semiconductor
β-Ga_(2)O_(3)film
metal organic chemical vapor deposition
solar-blind ultraviolet photodetector
off-cut angle
epitaxy
分类号
O78 [理学—晶体学]
O484 [理学—固体物理]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器
被引量:
1
2
作者
杨莲红
张保花
郭福强
陈敦军
机构
昌吉学院物理系
南京大学电子科学与工程学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1240-1243,共4页
基金
新疆维吾尔自治区科技厅自然科学基金项目(No.2016D01C002)。
文摘
本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga2O3晶体质量的影响.
关键词
肖特基
β-Ga2O3
日盲紫外光电探测器
Keywords
Schottky
β-Ga2O3
solar-blind UV photodetector
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备
汪正鹏
张崇德
孙新雨
胡天澄
崔梅
张贻俊
巩贺贺
任芳芳
顾书林
张荣
叶建东
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器
杨莲红
张保花
郭福强
陈敦军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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