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采用双阈值配置的抗老化N型多米诺或门
1
作者
易茂祥
丁力
+2 位作者
张林
李扬
黄正峰
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第4期499-504,共6页
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的主要因素之一。仿真分析表明,N型多米诺或门中各种PMOS管受NBTI的影响有明显差别。针对这种差异,提出一...
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的主要因素之一。仿真分析表明,N型多米诺或门中各种PMOS管受NBTI的影响有明显差别。针对这种差异,提出一种双阈值配置的抗老化多米诺或门。对电路老化起关键作用的保持PMOS管和反相器PMOS管采用低阈值电压设计。仿真结果表明,在保证噪声容限和功耗的条件下,该双阈值配置PMOS管的多米诺或门在10年NBTI老化后仍有0.397%的时序余量。
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关键词
负偏置温度不稳定性
多米诺或门
抗老化
双阈值配置
时序余量
下载PDF
职称材料
题名
采用双阈值配置的抗老化N型多米诺或门
1
作者
易茂祥
丁力
张林
李扬
黄正峰
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
江苏商贸职业学院电子信息系
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第4期499-504,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61371025
61574052)
南通市应用基础研究科技计划资助项目(GY12015037)
文摘
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的主要因素之一。仿真分析表明,N型多米诺或门中各种PMOS管受NBTI的影响有明显差别。针对这种差异,提出一种双阈值配置的抗老化多米诺或门。对电路老化起关键作用的保持PMOS管和反相器PMOS管采用低阈值电压设计。仿真结果表明,在保证噪声容限和功耗的条件下,该双阈值配置PMOS管的多米诺或门在10年NBTI老化后仍有0.397%的时序余量。
关键词
负偏置温度不稳定性
多米诺或门
抗老化
双阈值配置
时序余量
Keywords
NBTI
Domino OR gate
Anti-aging
Dual threshold configuration
Timing margin
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用双阈值配置的抗老化N型多米诺或门
易茂祥
丁力
张林
李扬
黄正峰
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
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