1kbit铁电存储器电路设计技术研究

铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存储器领域最具潜力的产品之一。首先设计了一种1 kbit铁电存储芯片的整体架构,其次对其不同的工作时序进行了分析,再次对铁电存储器外围译码电路、驱动电路以及灵敏放大电路等电路模块进行了设计,每个设计过程包括电路设计、电路仿真和版图设计。由仿真结果可以看出,电路的选取均适用于铁电存储器的要求,为以后大容量、产品化的铁电存储器设计起到了基础性的指导作用。