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题名时间依赖性雾(TDH)的产生机理及其消除方法
被引量:4
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作者
赵丽霞
陈秉克
张鹤鸣
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司
西安电子科技大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期669-671,共3页
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文摘
阐述了Si片表面时间依赖性雾的形成过程、分布、形状、密度及识别和去除的方法。通过同样流程清洗、不同条件干燥处理的Si片在不同湿度条件下储存的实验,指出了时间依赖性雾是H与掺杂原子的联合体以及雾是Si片表面与H2O或O2反应生成SiO2颗粒两种解释的不准确性。提出了时间依赖性雾是含有离子或有机物沾污的水汽在Si表面浓缩而形成的光散射。在总结和比对分析实验结果的基础上,得到了控制时间依赖性雾的生成、延长Si片存储时间的有效方法。
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关键词
时间依赖性雾(tdh)
酸根离子
碱根离子
颗粒
光散射
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Keywords
time-dependent haze (tdh)
acid ions
alkali ions
particles
light diffusion
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名硅抛光片表面时间依赖性雾产生的原因分析
被引量:3
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作者
刘云霞
史训达
李俊峰
林霖
赵晶
刘卓
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机构
有研半导体材料股份有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第12期803-806,共4页
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基金
国家科技重点专项资助项目(2010ZX02302)
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文摘
阐述了硅片表面时间依赖性雾(TDH)的形成过程、颗粒分布、形态以及检测方法。时间依赖性雾产生的原因包括清洗后化学液体的残留、清洗后硅片的干燥程度、片盒的洁净度和干燥度、表面金属以及硅片存放的环境(洁净度、温湿度和化学气氛)等。给出了不同的因素诱发时间依赖性雾的机理、颗粒分布、形态及消除方法。时间依赖性雾都可以用SC1湿法清洗掉。有些有时间依赖性雾的硅片用SC1洗掉后不会再产生,但对Cu引起的时间依赖性雾,硅片用SC1洗掉后,存放一段时间还会产生时间依赖性雾。
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关键词
时间依赖性雾(tdh)
金属
颗粒
硅抛光片
湿度
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Keywords
time-dependent haze (tdh)
metal
particle
polished silicon wafer
humidity
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名鼻喷雾缓解偏头痛
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作者
相洪琴
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出处
《国外医学情报》
1989年第19期11-11,共1页
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文摘
美国纳什维尔消息:双氢麦角胺鼻喷雾减轻偏头痛,且无明显的副作用或产生药物依赖性的迹象。在前后两次头痛发作时,病人或接受双氢麦角胺(DHE 45,Sandoz)鼻内喷雾,或用安慰剂治疗。在第一次发作时,接受DHE治疗的44名病人,其平均头痛持续时间明显缩短为13小时,接受安慰剂治疗的47名病人的持续时间为20.3小时。第二次发作时,给予DHE治疗的47名病人的平均持续时间为13.7小时;
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关键词
偏头痛
双氢麦角胺
安慰剂
药物依赖性
作时
平均持续时间
治疗学
病人
副作用
内喷雾
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分类号
R
[医药卫生]
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