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映像力对高纯铝自由表面附近位错组态的影响
1
作者
李东
毛卫民
余永宁
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1105-1108,共4页
采用分析位错映像力的方法研究了纯铝表层区域直螺、直刃位错所承受的滑移应力,理论上计算出映像应力作用下直螺、刃位错临界滑移距离和纯铝表层低位错密度区尺寸.讨论了直刃位错临界攀移距离和温度的关系,指出了表面上相对稳定的位错组态.
关键词
纯铝
位错
映像力
临界滑移距离
临界攀移距离
下载PDF
职称材料
〈100〉间隙型位错环在纯钨及含氦杂质钨(010)表面下运动行为的分子动力学模拟
2
作者
秦梦飞
王英敏
+1 位作者
张红玉
孙继忠
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第24期212-219,共8页
在聚变辐照环境下,面向等离子体材料钨的近表层中会产生位错环缺陷,影响材料的力学性能和氢/氦滞留.本文通过分子动力学方法,从原子层次研究了半径1 nm的〈100〉间隙位错环在W-(010)近表面的迁移行为,分析取向、温度、深度因素和间隙原...
在聚变辐照环境下,面向等离子体材料钨的近表层中会产生位错环缺陷,影响材料的力学性能和氢/氦滞留.本文通过分子动力学方法,从原子层次研究了半径1 nm的〈100〉间隙位错环在W-(010)近表面的迁移行为,分析取向、温度、深度因素和间隙原子对的存在对位错环运动的影响.结果表明:b//n(b代表柏氏矢量,n代表表面法线方向)位错环易向表面移动,b⊥n位错环倾向滞留在材料内,移动过程中伴随着惯习面翻转和内应力释放;b//n位错环在温度高于800 K且深度小于5 nm时逸出表面的概率超过90%,其他模拟情况下基本全滞留;b⊥n位错环可在温度800 K且深度小于2 nm时逸出表面,而在更深处位错环不易移动,但会在温度升高时发生〈100〉环分解为1/2〈111〉位错的现象;氦原子对的存在阻碍位错环迁移,延长其在材料内的滞留时间,同时内应力场的变化导致氦在近表层分布不均匀.
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关键词
分子动
力
学模拟
位错环
映像力
氦
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职称材料
题名
映像力对高纯铝自由表面附近位错组态的影响
1
作者
李东
毛卫民
余永宁
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1105-1108,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No50571020)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(No20040008010)
文摘
采用分析位错映像力的方法研究了纯铝表层区域直螺、直刃位错所承受的滑移应力,理论上计算出映像应力作用下直螺、刃位错临界滑移距离和纯铝表层低位错密度区尺寸.讨论了直刃位错临界攀移距离和温度的关系,指出了表面上相对稳定的位错组态.
关键词
纯铝
位错
映像力
临界滑移距离
临界攀移距离
Keywords
pure aluminum
dislocation
image force
critical slip distance
critical climb distance
分类号
TG146.2 [金属学及工艺—金属材料]
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
〈100〉间隙型位错环在纯钨及含氦杂质钨(010)表面下运动行为的分子动力学模拟
2
作者
秦梦飞
王英敏
张红玉
孙继忠
机构
大连理工大学物理学院
大连理工大学材料科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第24期212-219,共8页
基金
国家磁约束核聚变能发展研究专项(批准号:2019YFE03030004)
国家自然科学基金(批准号:12275040)资助的课题。
文摘
在聚变辐照环境下,面向等离子体材料钨的近表层中会产生位错环缺陷,影响材料的力学性能和氢/氦滞留.本文通过分子动力学方法,从原子层次研究了半径1 nm的〈100〉间隙位错环在W-(010)近表面的迁移行为,分析取向、温度、深度因素和间隙原子对的存在对位错环运动的影响.结果表明:b//n(b代表柏氏矢量,n代表表面法线方向)位错环易向表面移动,b⊥n位错环倾向滞留在材料内,移动过程中伴随着惯习面翻转和内应力释放;b//n位错环在温度高于800 K且深度小于5 nm时逸出表面的概率超过90%,其他模拟情况下基本全滞留;b⊥n位错环可在温度800 K且深度小于2 nm时逸出表面,而在更深处位错环不易移动,但会在温度升高时发生〈100〉环分解为1/2〈111〉位错的现象;氦原子对的存在阻碍位错环迁移,延长其在材料内的滞留时间,同时内应力场的变化导致氦在近表层分布不均匀.
关键词
分子动
力
学模拟
位错环
映像力
氦
Keywords
molecular dynamics simulation
dislocation loop
image force
helium
分类号
O561 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
映像力对高纯铝自由表面附近位错组态的影响
李东
毛卫民
余永宁
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
2
〈100〉间隙型位错环在纯钨及含氦杂质钨(010)表面下运动行为的分子动力学模拟
秦梦飞
王英敏
张红玉
孙继忠
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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