晕苯增强CMOS图像传感器

由于紫外光在硅中的穿透深度有限,以及多晶硅栅极对紫外光的吸收,导致传统的硅基CMOS图像传感器在紫外光波段的响应不高。在此,本文选择一种低成本的下转换法来提升CMOS图像传感器的紫外响应能力,采用真空热蒸发法分别在石英衬底和CMOS图像传感器的像敏面上蒸镀了晕苯薄膜,并对薄膜的光学性能、红外光谱、光稳定性和热稳定性进行了研究。实验结果表明,晕苯薄膜能吸收紫外光并发射出500 nm的绿色荧光,可以与CMOS图像传感器的光谱响应峰值很好地匹配;同时,发现晕苯红外吸收光谱的实验值和计算值基本吻合;薄膜在200℃温度下退火20 min后,其发射峰的荧光强度保持在原来的95.7%;在280 nm激发波长照射大约60 min后,发光强度呈指数衰减至初始值的64%。采用CMOS单色相机在可见光(400~780 nm)和紫外光(365 nm)下定性分析了薄膜的紫外增强效果,发现蒸镀晕苯薄膜后的CMOS单色相机可以提高对紫外光的灵敏度。

加氢尾油中双晕苯、晕卵苯和双卵苯的测定

介绍了加氢尾油中的双晕苯、晕卵苯和双卵苯等１５～２１环高稠环芳烃的分析方法，利用三段溶剂油提法将加氢尾油中的高稠环芳烃抽提富集出来，再用场解吸电离质谱进行定性和定量分析。

荧光材料晕苯的合成工艺研究

以苝为合成原料,通过2步Diels-Alder反应和两步脱羧反应,总共4步反应制得了晕苯。产物的合成的总收率可达63.2%。最终产物通过重结晶及升华纯化,含量达到99.2%以上。对各步骤反应产物采用熔点测定、红外光谱、1 H-NMR等方法进行了鉴定。

旋涂法和热蒸发制备紫外CCD用晕苯薄膜的性能对比

晕苯是一种用于真空紫外光致发光重要的下转换材料。本文研究旋涂法和热蒸发法制备紫外CCD用晕苯薄膜的工艺方法,并对所制备的两种薄膜的性能进行了表征和对比。测试结果表明:旋涂方式成膜工艺简单,材料利用率较高,并且保持了荧光材料本身固有的晶体结构,但是膜面粗糙度较大;热蒸发方式成膜后紫外吸收较强,荧光发射强度相对较高,成膜后膜面粗糙度较小;热蒸发工艺在加热过程中改变了晕苯的晶体结构并形成了新的结晶态;相比于旋涂法,热蒸发的整个制备工艺相对复杂,并且生产成本较高。此外,该对比性研究工作为实现不同要求(如荧光发射强度、表面粗糙度、生产成本等)的荧光下转换薄膜的制备提供了理论指导。

同步荧光光谱法测定石油中的晕苯

用苯做溶剂对原油样品进行逐级稀释,恒波长同步荧光法对原油样品中晕苯进行定性、定量分析。分别从溶剂选择、波长差、狭缝宽度等参数对其测定的光谱条件进行优化。实验结果表明:用苯为溶剂、Δλ=6nm,狭缝宽度为2.5nm,为原油样品中晕苯的最佳测试条件。所建立方法测定晕苯的线性范围为0.5—100μg/mL,校准曲线的相关系数r大于0.99,相对标准偏差小于3%(n=5)。该法分析快速、准确,对石化工厂中对原油样品中晕苯的快速检测具有一定的应用价值。

关于正规苯烃和正规晕苯烃的拓扑性质的研究

本文较系统地研究了正规苯烃和正规晕苯烃的拓扑性质,给出了Cyvin和Gutman于1986年提出的两个猜想的证明。这些拓扑性质的给出和猜想的证明对正规苯烃和正规晕苯烃的判定、产生、分类、计数以及合成和理论研究都有一定的意义。

利用晕苯增强CCD紫外响应的实验研究

传统的电荷耦合器件(CCD),在400nm以下CCD的量子效率太低,而传统的基于CCD的紫外增强技术可以提高CCD对紫外波段的响应,但是存在光谱信号弱的缺点,并且系统分辨率也因此降低。一种自行研制的CCD紫外荧光增强技术,其创新在于去除CCD表面保护玻璃,通过真空镀膜的方法将晕苯直接沉积在CCD敏感元件表面,能有效地提高CCD的紫外响应度,并削弱薄膜对分辨率的影响。对于离散谱线,253.6nm波长的相对强度提高10倍。对于连续谱线,紫外波段的信号也得到明显增强,截止频率从290nm降至220nm。该种方法制作紫外CCD成本不高,可以实现批量生产,适合工业应用。

稠环芳烃在蜡油加氢裂化装置分布规律研究

加氢裂化尾油用作蒸汽裂解制乙烯原料的比例在逐渐增大,其性能通常用芳烃指数(BMCI值)来表征。稠环芳烃(PAHs)广泛存在于重质油中,通常尾油中的PAHs质量分数不大于70 mg/g。蒽及三亚苯等三环或四环芳烃在气相中比例基本不超过10%,而晕苯及卵苯等七环及以上芳烃几乎全部富集在油相中。97%(质量分数,下同)的三亚苯富集在煤油中,99%的蒽富集在柴油中,67%的卵苯富集在柴油中,99%的晕苯富集在尾油中。通过提高汽提蒸汽量使塔内油气分压变小,该措施对芳环数较少的PAHs汽提效果比较明显,对晕苯等PAHs汽提效果有限。