倒T型布置绝缘子串污秽闪络特性

合理的绝缘子串布置方式是提高污秽闪络电压的有效方法之一,目前国内外对于绝缘子串布置方式的研究主要集中在V型串和倒V型串,对于倒T型布置的绝缘子串闪络特性缺乏基础试验研究。为此,以XWP–70等3种绝缘子为试品,采用均匀升压法展开试验研究并与普通悬垂串进行对比。研究表明:倒T型布置绝缘子串的闪络电压(Uf)与附盐密度(ρESDD)满足幂函数关系;倒T型布置的绝缘子串闪络电压相较于普通悬垂串提高11.6%～22.3%,而且随着附盐密度的增加,闪络电压提高百分比也随之增加。根据实验结果,计算出倒T型绝缘子串在各个污区的串型等效系数,方便倒T型绝缘子串串长的选择。