硅中的缺陷和硅片热处理

本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 ,提高GOI合格率的实验结果。研究表明 ,硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。

高温氢气退火提高硅片质量的研究

研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层。测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果。

200mmSi片中因机械负载引起的塑性形变

随着对无晶体原生颗粒（COP）Si衬底需求量的增加，大直径Si片在高至1200℃下的Ar或H2气氛中退火变得越来越重要。这里面，无滑移高温加工是一个关键问题。一般说来，加工过程中热或重量作用会在晶片中产生剪切应力。