BEGe探测器晶体参数的蒙特卡罗计算与实验表征技术研究

利用241 Am发射的59.54keV平行γ射线束对宽能BEGe探测器晶体进行扫描测量,通过晶体端面垂直扫描确定晶体直径,通过晶体侧面垂直扫描确定晶体高度。利用厂家提供的参数以及扫描得到的晶体参数建立蒙特卡罗计算模型,再通过点源和体源的实验测量值对晶体前端面及侧面死层厚度进行表征调节,使其与实验值符合,从而获得最佳理论计算模型。结果表明,获得的参数正确可靠,其点源探测效率的理论计算结果与实验测量值在2%内符合。该方法极大改善了蒙特卡罗计算BEGe晶体探测效率的精度,可应用于探测器的效率刻度及环境放射性调查。

Mn(C2Cl3O2)Cl(C(12)H8N2)2的合成、表征及其纳米晶体参数计算

以Cl3CCOOH、1,10-菲罗啉为配体,以MnCl2·4H2O为金属离子盐,通过溶液蒸发法合成了具有纳米级金属骨架的三元配合物Mn(C2Cl3O2)Cl(C12H8N2)2。通过元素分析、红外光谱、X单晶衍射测得配合物属于单斜晶系,其空间群为P21/c,a=1.8155nm,b=1.0638nm,c=1.4685nm,β=112.9°,z=4,V=2.6110nm3。通过纳米化计算的方法,计算出总晶胞数、总原子数、及表面参数随粒径变化的关系,得出Mn(C2Cl3O2)Cl(C12H8N2)2最佳纳米化尺度为115nm。

晶体的杂散阻抗对晶体测量参数的影响

仿真分析了在π网络测量法中,直插式晶体元件的引线电感和接触电阻对晶体元件参数测量的影响,以及晶体元件的寄生响应对测量的影响.分析结果表明,接触电阻和引线电感对串联谐振频率的影响较小,接触电阻对谐振电阻的大小有直接的影响,主模和寄生响应间隔与晶体参数的测量误差成正比.

碲锌镉单晶体生长参数的实时监控

碲锌镉晶体生长质量与生长条件有着密切的关系。实时检测晶体生长参数,改进生长条件是生长高质量晶体的关键。为此设计了一个参数监控系统,实现对碲锌镉晶体生长过程参数的实时监控、记录、存储和显示。通过对各控制参数数据分析和比较,找到了碲锌镉单晶体生长缺陷的根源,改进了生长设备,制备出了高质量的碲锌镉单晶体。

晶体管h参数微变等效电路的研究

晶体管 h参数微变等效电路是电子技术中求解低频、小信号放大电路常用的分析方法。本文通过具体分析 ,将模拟放大电路进行了新的分类 ,并且明确而系统地给出运用微变等效电路求解各类模拟放大电路动态指标 Av、ri 和 r0 公式。

基于分子晶体序参数与K-means聚类的TNT晶型转化有限温度弦研究

为揭示炸药转晶稀有事件的分子机制,分别构建了基于键距离(即分子间距离)与键取向和分子取向的两类序参数,借助基于Euclidean距离和密度权重的K-means聚类算法进行了序参数的增强采样。结果表明,基于分子晶体序参数与K-means聚类的增强采样改进了稀有事件常规有限温度弦方法,使自由能快速收敛。将该方法用于TNT晶型转化的研究,避免了分子晶体序参数“维数爆炸”,获得了平均力势面,验证了基于分子晶体序参数与K-means聚类有限温度弦方法在炸药晶型转化研究中的有效性,探明了TNT(O)与TNT(M)之间界面诱导、局部引发、多核非同步生长的晶型转变过程。

基于ARM的便携式晶体管参数测量平台研制

介绍一种晶体管参数测量平台的方案,给出硬件组成和软件流程。使用ARM处理器及WinCE系统作为软硬件基础,以S3C2410为核心控制电路,利用12位D/A模块TLV5618产生稳定的控制电压、10位A/D模块TLC1543完成电压测量。将晶体管参数测量平台与单片机及传统示波器测量平台做了比较,其测量精度高于示波器,并且在对数据的分析处理能力及速度上ARM优于单片机,结果表明该系统性能可靠、速度快、精度高且便携。

晶体管参数测试仪的设计

以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。该系统主要功能模块包括:恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。测试结果表明:该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。

五磷酸铕晶体的穆斯堡尔参数和晶体场参数

测量了五磷酸铕晶体的穆斯堡尔谱,并得到了相应的穆斯堡尔参数:同质异能移位(IS)、四极矩分裂(eQV_(zz))、电场梯度分量(V_(zz))以及电场梯度在^(151)Eu 核处的不对称因子(η)。从有关的穆斯堡尔参数和电场梯度的计算,得到了五磷酸铕晶体中的电荷分布的近似结果。基于晶格加和方法,对五磷酸铕的晶体场参数进行了计算。所有结果表明,在五磷酸铕晶体中铕原子和最近邻氧原子间的化学键可能不是纯离子性的。

基于晶体管级参数提取的后仿真

介绍了时钟电路芯片的功能,给出了Star-RCXT(RC参数提取工具)的晶体管级参数提取及后仿真流程,详细描述了一些基于晶体管级参数提取的版图后仿真设计经验,给出了设计的前、后仿真的输出对比结果。

Nd^(3+):GdScO_(3)晶体场能级及拟合分析

采用提拉法生长出了钕掺杂钪酸钆晶体(Nd^(3+):GdScO_(3)),通过低温吸收光谱和室温发射光谱,对其中Nd^(3+)的实验能级进行分析指认,确定了Nd^(3+):GdScO_(3)的66个实验Stark能级,拟合了其自由离子参数和晶体场参数,拟合均方根误差为13.17 cm^(–1).与Nd^(3+):YAP和Nd^(3+):YAG相比,Nd^(3+):GdScO_(3)的晶场强度较弱.弱的晶体场强度有可能是Nd^(3+):GdScO_(3)晶体具有优良激光特性的原因之一.本文数据集可在https://www.doi.org/10.57760/sciencedb.15702中访问获取.

晶体管参数对高稳晶振频率稳定度的影响

本文利用晶体管混合π型等效电路和振荡器的相位平衡条件，计算出晶体管参数对振荡器频率稳定度的影响．计算结果表明，晶体管发射结电容对频率稳定度的影响最大．为了减轻这些影响。

浅谈晶体管H_(FE)参数差异范围的控制

缩小双极晶体管HFE值的差异范围,是从业的工程师们一直在努力的工作,就此问题,通过生产实践中的统计数据,作了较细的研究,从理论上分析了影响HFE参数的主要因素,并在工艺上作了改进,收到了较明显的效果。

UI9600晶体管参数筛选仪存储时间测试一致性改造

由于双极型三极管的开关时间参数在节能灯失效中的影响越来越受到重视,三极管存储时间ts的分档也越来越细,导致仪器UI9600晶体管参数筛选仪间的存储时间ts测试一致性成为关键。从该仪器的测试电路着手,通过改造达到消除仪器间的存储时间ts测试差异。

双极型晶体管温度特性的Multisim仿真研究

基于Multisim仿真分析,研究了双极型晶体管参数的温度特性。通过数据仿真和曲线拟合得到了双极型晶体管参数温度特性近似方程。分析了2种不同偏置的电压放大电路的温度性能,为掌握电路系统的温度漂移,优化系统性能提供设计依据。

Cs(ATZ)的制备、晶体结构与热力学性质

以5-氨基四唑(ATZ)和氢氧化铯溶液为原料,制备了配合物Cs(ATZ)并培养出单晶,结构由X-ray单晶衍射测定.晶体属正交晶系,空间群Pnma,晶体学参数:a=0.8114(4)nm,b=0.6907(4)nm,c=0.9122(5)nm,V=0.5113(5)nm3,Dc=2.819g/cm3,Z=4,F(000)=392,μ=7.112mm-1,R=0.0485.其中Cs+与9个氮原子配位,分子间通过氢键、金属离子与N原子的桥连接及分子间作用力,形成三维结构,增加了晶体结构的稳定性.同时,用红外、拉曼光谱对配合物进行了表征.根据测得的ATZ及Cs(ATZ)在氢氧化铯溶液中的反应焓和溶解焓,算得配合物Cs(ATZ)标准摩尔生成焓为(-430.56±0.43)kJ·mol-1.

YAlO_3晶体中Pr^(3+)的4f^2能级

YAlO3∶Pr3+是一种受到广泛关注的发光体系,本文根据文献中给出的YAlO3∶Pr3+晶体中Pr3+的晶体场能级,从Nd3+离子的晶体场参数和Pr3+的准自由离子参数出发,采用f-shell计算软件包对Pr3+的能级参数进行了研究,并对获得的参数进行了讨论。用拟合获得的参数计算了Pr3+的4f 2电子构型的所有能级。

单轴晶体材料的Casimir效应调控研究

Casimir效应最初表现为理想导体平板之间存在的真空作用力,近年来在微机械和纳米机械领域中具有重要影响和作用。考虑单轴晶体平行材料板的光轴几种不同取向,通过电磁场应力张量方法计算了单轴晶体平板间的Casimir作用力,其中平板间为真空区域。仿真结果表明,Casimir作用力在短距下受到较强抑制,而随着板间距的增大抑制逐渐放缓,直至可以恢复到约为理想导体板间力的1/10,同时Casimir力也随各晶体参数发生变化,进而可由此调控Casimir效应。

Nd^(3+):Gd_3Ga_5O_(12)单晶的能级和晶体场计算(英文)

测试了Nd^(3+):GGG单晶在可见和近红外波段的吸收光谱,并分析指认了它的实验能级,通过从头计算的DV-Xα方法计算得到了它的晶体场参数和旋轨耦合参数。用Nd^(3+):GGG在77 K和300 K的156个、88个实验能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差(即拟合精度)σ分别为15.79 cm^(-1)和11.48 cm^(-1)。结果表明晶体场参数的拟合结果和从头计算值符合的很好。最后比较了拟合得到的Nd^(3+):GGG和已报道Nd^(3+):YAG的自由离子参数和晶体场参数。

矿物热膨胀的晶体化学研究综述

热膨胀是矿物材料的重要属性之一 ,对它的研究在矿物学及材料科学中具有重要意义。前人关于矿物的热膨胀系数和晶体化学参数之间关系的研究表明 ,矿物的结构、成分、化学键及原子价态、配位数、外层电子结构等对热膨胀系数都有不同程度的影响。晶体化学方法是研究矿物热膨胀系数的有效方法 ,但由于矿物的热膨胀系数和晶体化学参数之间的定量关系尚未完全弄清 ,目前仅仅能对简单结构矿物的热膨胀系数进行计算 ,结构、成分较复杂的矿物的热膨胀系数计算尚缺乏好的晶体化学模型。为达到精确计算矿物热膨胀系数的目的 ,必须对矿物按照晶体化学特性进行分类。在分类的基础上 ,把晶体化学方法和理论计算方法有效地结合起来。矿物的热膨胀性可按照受热时结构有无旋转划分为键膨胀型和结构旋转型 ,过渡金属阳离子所形成的化合物根据d电子层电子云的分布进行分类。通过以上的分类 ,在计算不同类型矿物热膨胀系数时 ,可按矿物类型处理。对键膨胀型的矿物只需估计键的膨胀情况 ,而对于结构旋转型除考虑键的膨胀性以外还要考虑配位多面体旋转的情况。