期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析
1
作者
吉元
王丽
+4 位作者
张隐奇
卫斌
索红莉
王建宏
程艳玲
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期322-327,共6页
本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN...
本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm)。
展开更多
关键词
电子背散射衍射(EBSD)
晶体取向错配
外延层
LA2ZR2O7
GAN
下载PDF
职称材料
题名
纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析
1
作者
吉元
王丽
张隐奇
卫斌
索红莉
王建宏
程艳玲
机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
北京工业大学材料学院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期322-327,共6页
基金
国家973资助项目(No.2009CB623700)
国家973资助项目(No.2006CB601005)
北京市自然科学基金资助项目(No.2072004)
文摘
本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm)。
关键词
电子背散射衍射(EBSD)
晶体取向错配
外延层
LA2ZR2O7
GAN
Keywords
electron backscatter diffraction(EBSD)
crystal misorientation
epilayer
La2Zr2O7
GaN
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析
吉元
王丽
张隐奇
卫斌
索红莉
王建宏
程艳玲
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部