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分光光度法测定八面体配合物晶体场分裂能
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作者 李子奇 《山西化工》 2021年第6期52-53,共2页
分光光度法是定量分析配合物的重要方法,用分光光度法分析和测定八面体配合物的晶体场分裂能是较为基础的定量分析方法。通过改变配合物浓度以及配体金属离子的化合价,对比八面体配合物最大波长变化,间接地判断晶体场分裂能大小,并对配... 分光光度法是定量分析配合物的重要方法,用分光光度法分析和测定八面体配合物的晶体场分裂能是较为基础的定量分析方法。通过改变配合物浓度以及配体金属离子的化合价,对比八面体配合物最大波长变化,间接地判断晶体场分裂能大小,并对配合物晶体场分裂能大小的变化因素进行探讨,对进一步研究配离子的结构稳定性有着积极作用。 展开更多
关键词 分光光度法 晶体场分裂能 八面体配合物 波长
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2-烷基TCNQ的红外光谱和结构研究——CH_2剪式振动的双峰与晶体场分裂的关系(英文)
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作者 王海水 杨燕花 尾崎幸洋 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期892-896,共5页
测量了2-烷基TCNQ(C8TCNQ,C12TCNQ,C18TCNQ)浇铸膜的红外光谱,发现这类化合物的红外CH2剪式振动在1 471和1 462 cm-1处显示2个峰。这2个峰的强度比(I1 471/I1 462)随着烷基链的长度增加而明显减少。另外,来自CH2的1 471 cm-1吸收峰与来... 测量了2-烷基TCNQ(C8TCNQ,C12TCNQ,C18TCNQ)浇铸膜的红外光谱,发现这类化合物的红外CH2剪式振动在1 471和1 462 cm-1处显示2个峰。这2个峰的强度比(I1 471/I1 462)随着烷基链的长度增加而明显减少。另外,来自CH2的1 471 cm-1吸收峰与来自TCNQ环的1 529 cm-1吸收峰的相对强度随着碳链的长度增加而不发生变化。CnTCNQ系列化合物的红外光谱CH2的剪式振动行为与长链脂肪酸中CH2行为很不相同。在长链脂肪酸中,晶体场效应导致了剪式振动分裂。考虑C12TCNQ的晶体结构,而将1 471cm-1峰归属为非叉指对接的碳链,将1 462 cm-1峰归于叉指对接的碳链,双峰的出现与晶体场分裂无关。并且得到烷基TCNQ中,非叉指对接的碳链的长度与碳链总长度无关的结论。 展开更多
关键词 红外光谱 CH2剪式振动 晶体分裂 2-烷基TCNQ
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浅谈硫酸铜晶体
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作者 李创 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》 1991年第2期54-54,共1页
硫酸铜晶体,在初中化学课里业已接触,它在不同温度条件下的颜色变化更为学生醒目,这里仅对颜色变化的原因作一讨论。一、硫酸铜的晶体结构水分子是极性很强的分子,并且具有两对孤电子对;硫酸铜中的 Cu(Ⅱ)有空3d 轨道,可以跟四分子水... 硫酸铜晶体,在初中化学课里业已接触,它在不同温度条件下的颜色变化更为学生醒目,这里仅对颜色变化的原因作一讨论。一、硫酸铜的晶体结构水分子是极性很强的分子,并且具有两对孤电子对;硫酸铜中的 Cu(Ⅱ)有空3d 轨道,可以跟四分子水以配位键,形成水合铜离子[Cu(H<sub>2</sub>O)<sub>4</sub>]<sup>2+</sup>。第五分子水以氢键。 展开更多
关键词 硫酸铜晶体 子水 初中化学 孤电子对 晶体结构 温度条件 配位键 化学课 晶体分裂 硫酸根离子
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烧成温度过高使青花泛黑泛紫的机理初探
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作者 孙国梁 《中国搪瓷》 1991年第5期6-9,共4页
本文应用晶体场理论,阐明了过渡金属离子呈色机理,分析了烧成温度对发色离子能级间距的影响,得知过高的烧成温度造成了晶体场分裂能降低,光吸收带向长波方向移动,导致青花泛黑泛紫。这一研究,对改善青花呈色,具有指导意义。
关键词 过渡金属离子 烧成温度 温度过高 晶体理论 呈色机理 能级间距 青花瓷 晶体分裂 配位体 分裂能
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四面体超晶格中高温铁磁半导体的预测 被引量:1
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作者 王亚奇 孙华胜 +4 位作者 吴世海 李盎 万逸 阚二军 黄呈熙 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期1225-1230,共6页
铁磁(FM)半导体兼具半导体(如逻辑器件)和磁性材料(如记忆存储器)的优点,半个多世纪以来一直受到广泛关注.然而,铁磁半导体的发展受到候选材料稀缺以及居里温度低的阻碍.铁磁性通常在具有八面体配位的过渡金属化合物中被发现.而具有较... 铁磁(FM)半导体兼具半导体(如逻辑器件)和磁性材料(如记忆存储器)的优点,半个多世纪以来一直受到广泛关注.然而,铁磁半导体的发展受到候选材料稀缺以及居里温度低的阻碍.铁磁性通常在具有八面体配位的过渡金属化合物中被发现.而具有较小晶体场分裂和较弱反铁磁(AFM)直接交换的四面体配位化合物可能是高温铁磁体的潜在候选者,但很少被探索.在这项工作中,我们提出了高温铁磁半导体可以在四面体配位超晶格(SL)中实现.在第一性原理计算的基础上,我们系统地研究了一系列MX/TMX (MX表示12-16,13-15或14-14族四面体半导体,TM表示3d过渡金属,X表示配体)超晶格.其中,SiC/CrC SL是一种稳定的铁磁半导体材料,具有0.363 eV的间接带隙和~935 K的高居里温度.此外,我们还探讨了Cr原子层的分布和层间磁耦合,预测了单轴应变引起了反铁磁到铁磁的相变.这些发现为实现四面体配位超晶格的高温铁磁半导体在未来自旋电子应用中开辟了新的机会. 展开更多
关键词 过渡金属化合物 高居里温度 自旋电子 晶体分裂 超晶格 逻辑器件 八面体配位 候选者
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