超声乳化吸出+蓝光滤过型人工晶体对白内障患者术后恢复、并发症及睡眠的影响

目的:分析超声乳化吸出+蓝光滤过型人工晶体在白内障患者中的应用效果。方法:选取2019年12月至2023年1月湖北省浠水县中医院收治的白内障患者70例作为研究对象,按照随机数字表法,分为对照组和观察组,每组35例。对照组采取超声乳化吸出+硬性人工晶体植入术,观察组采取超声乳化吸出+蓝光滤过型人工晶体植入术。结果:治疗后,观察组患者视力水平、角膜散光均显著高于对照组,差异均有统计学意义(均P<0.05);眼压水平对比差异不显著,差异无统计学意义(P>0.05)。观察组并发症发生率、睡眠质量、睡眠状态评分均显著优于对照组,差异均有统计学意义(均P<0.05)。结论:对白内障患者实施超声乳化吸出+蓝光滤过型人工晶体植入术,能够提高睡眠状态和质量,减少并发症发生率,术后视力恢复情况尚可,应用价值较高。

散光型人工晶体植入手术治疗白内障合并角膜散光的临床探讨

探究白内障合并角膜散光者应用散光型人工晶体植入手术的治疗效果。方法 纳入100例白内障患者(合并角膜散光)为研究样本,患者就诊我院时间为2021.05~2022.05,采用计算机数表法将100例研究对象分为研究组、对照组,n=50例,研究组与对照组均实施人工晶体植入术,前后者分别术中分别应用散光型与传统球面,比对治疗效果。结果 术前2组视力、角膜散光及总散光、球镜与柱镜情况以及手术前后轴向、曲率值均相近,P>0.05;术后研究组视力>1.0的比例(60.00%)高于对照组(26.00%),且其0.5~1.0的比例(30.00%)低于对照组(52.00%)P<0.05,差异较大;术后1、3个月,观察组角膜散光与总散光值均低于对照组,P<0.05,;术后3个月,研究组球镜与柱镜值低于对照组,P<0.05。结论 白内障合并角膜散光患者人工晶体植入术中,应用散光型晶体整体效果更为理想,有助于提高该类患者视力,降低散光程度,可在临床广泛推广应用。

基于反向恢复电流的绝缘栅双极型晶体管模块动态结温估测方法

针对传统结温估测方法响应速度慢、测量误差大问题,采用绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的反向恢复电流作为温敏电参数,提出一种新型结温估测方法.分析了IGBT模块结温和负载电流对反向恢复电流的影响机理,并建立了三者间的理论关系.考虑实际工况并采用试验数据拟合得到IGBT模块的结温预测模型,通过比较试验测量数据与预测模型计算结果的差异,证实了采用反向恢复电流提取IGBT模块动态结温的估测方法具有较高的估测精度和较快的响应速度.

有晶状体眼后房型人工晶体植入术后拱高的变化及影响因素

有晶状体眼后房型人工晶体(posterior chamber phakic implantable collamer lens,ICL)植入术是目前矫正中高度近视及角膜形态不规则近视的主要手术方式,因其具有安全性、可逆性、稳定性、高度可预测性、良好的视觉质量,目前广泛应用于临床。临床中,手术的安全性主要取决于ICL术后拱高的大小。拱高过高或过低均可能引起相关并发症,如前囊下白内障和继发性青光眼等。ICL术后拱高的大小是评价ICL植入术后安全性的重要指标之一,本文将对ICL术后拱高的变化及影响因素进行系统分析。

一种基于开通栅极电压的新型IGBT键合线老化监测方法

绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方法,该方法可有效避免温度和负载电流带来的影响。首先,基于IGBT等效电路模型,系统分析ugem受键合线断裂影响的原因;其次,利用双脉冲测试进行验证,同时对温度和负载电流带来的影响进行分析;在此基础上,考虑到使用ugem局部特征将受到温度和电流的干扰,提出将开通栅极电压整体波形用于键合线老化的监测,并进一步利用有监督的线性判别分析进行数据降维以及采用支持向量机实现键合线断裂根数的检测。最后,通过实验对所提监测方法的有效性进行验证。

拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen位移调控

运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的规律。可以通过调节入射线极化波的入射角、改变函数光子晶体周期数或在表面涂覆不同的拓扑绝缘体来控制分界面上的Goos-Hänchen位移。

一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路

采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。

一种负反馈式双极结型晶体管工艺实现

利用负反馈电路对放大器提高增益稳定性、减少非线性失真、拓展通频带宽、改善输入输出电阻的作用,基于实际生产,设计并实现一款带电阻双极结型晶体管产品。在普通晶体管基础上,利用LPCVD工艺淀积多晶硅,并对其进行离子注入,充当负反馈偏置电路中的电阻结构。以典型半导体加工工艺先后实现基极、发射极、通孔、多晶硅电阻、电极、保护膜以及集电极的制备,对电路成品进行详细性能测试并投入生产。该产品EDS特性测试良率高达99.4%,放大倍数均为200以上。

绝缘栅双极型晶体管模块的双向热网络模型构建方法

针对传统热网络模型提取结温时忽略了硅胶和外壳的影响而导致结温提取存在误差的问题,建立了完整封装结构的绝缘栅双极型晶体管(insulation gate bipolar transistor, IGBT)模块的双向Cauer模型,得到了精确的暂态结温,验证了传统热网络模型计算稳态结温的可行性。通过有限元仿真结果和试验数据对比,证明双向Cauer模型计算结果的正确性。

基于双分支Cauer模型的IGBT模块焊料层老化监测方法

以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的焊料层为研究对象,在传统Cauer模型的基础上,提出考虑芯片-铜端子热流支路的双分支Cauer模型,利用光纤温度传感器测量裸露在IGBT模块外部的铜端子温度和IGBT模块底板温度,以获取IGBT芯片结温,通过分析芯片结温、铜端子温度、底板温度的变化规律,准确定位焊料层老化位置,以区分芯片焊料层老化和底板焊料层老化,从而实现对不同焊料层的老化状态监测。

晶体型interleaver器件的带宽优化设计

介绍了晶体型interleaver器件的基本工作原理,同时应用傅立叶级数的方法对interleaver输出光谱带宽特性进行优化设计.理论计算表明interleaver器件的自由光谱范围只和第一级晶体滤波器的长度有关.而输出光谱的带宽特性与晶体滤波器的串联级次有关.当满足不同相位条件的多级晶体滤波器串联时,调节各级双折射晶体光轴之间的夹角可以改变光强表达式中各级谐波对应的系数,从而改善输出光谱带宽特性.本文重点分析了两级晶体滤波器串联时的情况,并从实验上验证了理论分析的正确性.实验结果显示,经过带宽优化设计后的器件,输出光谱特性得到了明显改善.同时通过分析还发现,该带宽优化理论同样适用于马赫-陈德尔涉仪型interleaver的设计.(OD13)

寄生参数对基于常通型SiC JFET器件的中压直流固态断路器过电压的影响及抑制方法

研究了寄生电感对基于常通型碳化硅(silicon carbide,SiC)结型场效应晶体管(junction field effect transistor,JFET)串联结构的中压直流固态断路器(solid state circuit breaker,SSCB)过电压的影响,并在此基础上提出了一种SSCB的过电压抑制方法。首先介绍了基于常通型SiC JFET器件串联结构的SSCB拓扑及工作原理,建立了考虑完整回路寄生电感的SiC JFET串联结构开关过程的数学模型。其次利用MATLAB软件对数学模型进行解析计算,揭示了SSCB开关过程中寄生电感对SiC JFET器件串联运行时过电压的影响机理,并利用PSPICE仿真结果验证了理论分析的正确性。最后设计了一种适用于SSCB过电压抑制的单栅极驱动及缓冲电路,并通过SSCB实验样机验证了所提方法的有效性。

有晶体眼后房型人工晶体植入术矫治高度近视的效果观察

目的:探讨有晶体眼后房型人工晶体植入术对高度近视的矫治效果。方法:选择2020年6月至2022年6月在芜湖昭美眼科医院门诊接受近视矫治的70例高度近视患者,矫正术式为有晶体眼后房型人工晶体植入术,观察患者手术前后的矫正视力、晶状体透明度、角膜内皮细胞计数、裸眼视力、前房深度、屈光度、人工晶体位置、眼压、眼轴,并统计其并发症的发生率。结果:患者术后的矫正视力、裸眼视力高于术前,前房深度、屈光度低于术前(P<0.05);术后角膜内皮细胞计数、眼压、眼轴与术前相比差异无统计学意义(P>0.05)。患者术后并发症的发生率为2.86%。结论:有晶体眼后房型人工晶体植入术具有良好的光学矫正效果,能有效提高高度近视患者的视力,对眼结构无明显影响,安全性较高,值得推广应用。

不同方法测量中高度近视患者角膜曲率、散光、前房深度的差异及对后房型人工晶体计算的影响

目的探讨不同仪器测量中高度近视患者角膜曲率、散光、前房深度(ACD)的差异及对后房型人工晶体计算的影响。方法选取中高度近视患者97例194眼,于术前使用三维眼前节分析仪(Pentacam)、光学相干生物测量仪(IOL-Master)、自动电脑验光仪及超声生物显微镜(UBM)分别测量ACD、角膜曲率(Kf、Ks)及散光参数[包括散光度(Cyl)、陡峭轴轴位(Axis)及平坦轴轴位(Axif)],并将UBM与自动电脑验光仪(A组)、IOL-Master(B组)及Pentacam(C组)测量的ACD、Kf、Ks值带入有晶状体眼后房型人工晶状体(ICL)计算公式,得出预期等效球镜值,并分别与术后3月、6月、12月用自动电脑验光仪测量的实际等效球镜值比较,采用Pesrson相关分析预期等效球镜与实际等效球镜的相关性。结果3种仪器在测量Kf、Cyl、Axif一致性好,IOL-Master与其他两种仪器在测量Ks一致性较差,Pentacam与电脑验光仪在测量Axis时一致性较差;UBM与IOL-Master和Pentacam测量ACD值差异有统计学意义(P<0.05),UBM和其他两种仪器测量的ACD一致性较差;3种方法计算后房型人工晶体得出的预期等效球镜具有差异性(F=90.218,P<0.001),其中以A组预期等效球镜与实际等效球镜一致性较高,其在3月、6月、12月时与实际等效球镜一致性较B组、C组两种方法更高(r=0.200、0.154、0.176,P<0.05)。结论Pentacam、IOL-Master、自动电脑验光仪在测量中高度近视患者角膜曲率、散光参数时的相关性好,必要时可互换使用;IOL-Master与Pentacam测量ACD值相关性好,测量值可互换使用,但UBM测量的ACD值不建议替换使用;UBM测量的ACD及自动验光仪测量的Kf、Ks代入后计算得出的预期等效球镜与实际等效球镜相关性相对更高,可继续用于ICL的计算。

白内障超声乳化摘除联合散光型人工晶体植入术的手术护理配合

目的探讨白内障超声乳化摘除联合散光型人工晶体植入术的手术护理配合。方法抽取采用该术式治疗的104例患者,在术前、术中、术后进行严格无菌操作、系统的护理配合。结果104例患者在全方位的护理干预下,均顺利完成手术,术后视力明显提高,最大程度的减少了并发症的发生。结论充分的术前护理准备、有效的护患沟通、对手术步骤及仪器器械的熟悉、严格的无菌操作,是手术成功的保证,降低了并发症的发生率,提高了患者的满意度。

IGBT器件级物理模型的FPGA设计与实现及在环验证

基于硬件在环(HIL)仿真,研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件级Hefner物理模型及其求解算法与优化方法,在现场可编程门阵列(FPGA)上设计并实现了Hefner优化模型,并基于PYNQ框架对其进行了在环验证。首先,分析并仿真了Hefner物理模型与其求解算法,提出并训练了一个前馈神经网络用以拟合模型中的一组非线性函数;接着,在FPGA上设计并验证了Hefner优化模型IP核,并使用基于PYNQ框架的FPGA在环验证方法对其进行了板级验证;最后,用IKW50N60H3和FGA25N120两种型号的IGBT器件对IP核进行了实例验证。结果表明,Hefner优化模型能准确地反映IGBT的开关瞬态特性;在Zynq 7020芯片的处理器系统(PS)端运行PYNQ框架,可编程逻辑(PL)端时钟频率为100 MHz时,实现60 000个时间步长的时间为212 s,是软件运行同样次数所用时间(341 s)的62%,FPGA加速明显。

不同瞳孔条件下衍射型非球面多焦点人工晶体视觉质量评价

目的分析超声乳化白内障吸除联合衍射型非球面多焦点人工晶体植入术后不同时间、不同瞳孔条件下视觉质量的变化情况。方法收集2019年9月至2020年7月在我院行白内障超声乳化吸除联合Tecnis全光学面衍射型非球面多焦点人工晶体(Tecnis ZMB00 MIOL)植入术的24例患者(30只眼)的临床资料。术后1周和3个月时,检测裸眼和矫正后的远、中、近视力,3 mm、5 mm孔径下的散射光值、波前像差和调制传递函数(MTF)值。采用非参数Mann-Whitney U检验对数据行统计分析。结果术后1周和3个月裸眼和矫正的远、中、近视力比较,无统计学差异。5 mm孔径下,术后3个月散射光值、球差均低于术后1周,术后1周和3个月散射光值均大于3 mm孔径,差异均有统计学意义(均P<0.05)。5 mm孔径下,术后3个月各空间频率的MTF值显著优于术后1周,20 cpd空间频率有统计学差异(P<0.05)。结论与术后1周相比,术后3个月5 mm孔径下散射光值明显减小,球面像差明显降低,MTF值升高,说明Tecnis ZMB00 MIOL植入术后3个月夜间视觉质量较术后1周有提高的趋势。

结合整车路谱的绝缘栅双极型晶体管模块寿命预测方法研究

为实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命的准确预测,提出一种基于模型的IGBT寿命预测方法。根据整车路谱信息仿真获得相电压、相电流及功率因数,查表得到电机逆变器的开关频率并计算IGBT的损耗,结合热网络模型计算IGBT的结温,进而获取IGBT温度变化曲线,并利用雨流计数法提取特征参数,结合IGBT的寿命模型评估相应路谱的IGBT损伤率,从而对IGBT的寿命是否满足设计要求进行评价。

基于级联常通型SiC JFET的快速中压直流固态断路器设计及实验验证

固态断路器(solid state circuit breaker, SSCB)是直流配电网中实现快速、无弧隔离直流故障的关键保护装置。首先提出了一种基于级联常通型碳化硅(silicon carbide, SiC)结型场效应晶体管(junction field effect transistor, JFET)的新型中压直流SSCB拓扑,直流故障发生时利用金属氧化物压敏电阻(metal oxide varistor, MOV)向SSCB主开关级联常通型SiC JFET器件的栅源极提供驱动电压,可快速实现直流故障保护。其次详细分析了SSCB关断和开通过程的运行特性,并提出了SSCB驱动电路关键参数设计方法。最后研制了基于3个级联常通型Si C JFET器件的1.5 kV/63 A中压SSCB样机,通过短路故障、故障恢复实验验证了设计方法的有效性。结果表明该SSCB关断250 A短路电流的响应时间约为20μs,故障恢复导通响应时间约为12μs,为中压直流SSCB的拓扑优化设计和级联常通型Si C JFET器件的动静态电压均衡性能提升提供了支撑。

压接型IGBT器件短路失效管壳爆炸特性及防护方法

压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效应及其防护,该文结合多组模拟模块化多电平工况实验,得到IGBT器件短路过流失效爆炸后外壳结构的变形特征。结合电气能量特性的分析和实际爆炸失效形貌特点,建立该IGBT器件结构的数值仿真模型,初步确定实际爆炸过程中的等效TNT爆炸当量。在此基础上,从提高结构自身抗爆能力、增加能量外泄通道、替换结构材料等角度开展IGBT器件的结构优化设计,并进行相关试验验证。结果表明,将管壳的陶瓷材料替换为纤维增强复合材料可有效提高结构的防爆性能,降低器件的破坏程度。