硬脆晶体基片化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制研究

本文主要对基片内材料去除非均匀性的形成机理进行了深入的研究;首先分析了化学机械抛光(CMP)时抛光机运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律,然后进行了基片内材料去除非均匀性实验,通过实验得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响;通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果的曲线性质不匹配,而只有抛光液中的磨粒在基片表面的运动轨迹分布密度非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果曲线趋势相同;研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布密度非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用。

紫外光源

紫外光发射元件【专利】／三菱电线／／CN1586015A。直接在晶体基片（B）或在晶体基片（B）上的缓冲层上形成包含GaN系晶体屋的发射区的层压结构（S）。发射区具有多个量子势阱结构。这虚张声势势阱层由可以发射紫外光的InGaN制成。势阱层的层数为2至20，并且阻挡层的厚度为7至30nm。因此，通过由InGaN制成的发射层，实现了高输出能量的紫外光辐射。

Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究

项目通过氧化锌晶体基片研制、Ⅱ族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设计，最终实现基于Ⅱ族氧化物半导体的低阈值激光器件和紫外光电探测器件。项目已经能够生长出50mm直径ZnO单晶基片，位错密度低于450／cm^2，Li、K等杂质比水热法商品基片低一个数量级以上。

专利信息

CN1958233一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法；CN1951574一种碳化硅精细微粉的生产方法；CN1951635一种硬脆晶体基片超精密磨削砂轮；CN1953843钎焊的金刚石修整工具；CN1954042多晶磨料及其制备方法。

专利信息

CN200610134248．2一种硬脆晶体基片超精密磨削砂轮；CN200510003297．8金属切削带孔隙砂轮的内冷却方法；CN200610155253．1一种用成形砂轮磨削螺旋槽的方法；CN200510122226．X一种磨特种钢材的砂轮；CN200610023138．