这里的硅片为何如此硬邦邦?——晶向和各向异性

那年我们出访瑞士,安排顺访位于楞次堡 (Lenzburg)的电力半导体器件生产线。初联系时还是BBC,3个月后成行时就已经是ABB了(瑞典ASEA 公司和瑞士BBC公司合并为ABB公司)。ABB的朋友带我参观了3-4英寸晶闸管芯片生产线之后,我问到这种全压接式结构——硅片同热补偿片(钼片、钨片)之间没有任何合金过程——相关的强度问题。这位朋友递给我1片报废了的3英寸硅片,问我能不能用手把它掰碎。在国内,大家都知道硅片很脆,3英寸大片一掰很容易碎。可是,此时此地的3英寸硅片却难以破掰碎。我马上联想到,国内用的是(111)面的硅片,这里可能用的是(100)面的硅片。(111)面是硅的解理面,机械强度很差。 (100)面机械强度高多了,所以难以一下子掰碎它。在(100)面上,找到<111>方向,顺与之垂直的位置使劲,费了一番周折,该硅片才碎成几块,其破口全是斜坡,坡面即(111)面解理面。

同质外延硅汽相淀积法的改进

硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。