利用X射线衍射技术分析辐照处理对黄藤材晶体尺寸影响

以我国特有的黄藤为研究对象,应用60Co产生的高能γ射线对黄藤材进行辐照处理,通过X射线衍射法测定γ射线辐照前后纤维素中晶体尺寸、分析其变化规律,探寻晶体尺寸与物理力学性质间关系,提高我国棕榈藤资源高附加值加工利用水平。结果表明:晶体宽度在1.901～3.019nm范围内变化,平均宽度为2.403nm;晶体长度在4.118～28.824nm范围内变化,平均长度为10.907nm。辐照处理后黄藤材晶体宽度在2.139～3.540nm范围内变化,平均值为2.569nm;晶体长度在5.765～38.432nm范围内剧烈变化,平均值为15.530nm。辐照处理后晶体宽度和长度变化范围和平均值均增大。

镁掺杂对氧化锌晶体尺寸和红外性能的影响

采用固相反应法制备系列ZnMgO粉料,通过X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)表征粉体的结构和红外性能。结果表明,在镁掺杂量x=0.02和烧结温度T=900℃条件下,镁能完全进入到ZnO晶格内部。随着镁掺杂量的改变,粉体的晶粒大小有明显的变化,但ZnO的晶胞结构基本保持不变,具有典型的纤维锌矿结构,复合样品Zn0.98Mg0.02O中Zn-O的吸收峰出现明显的蓝移。

北京谱仪III电磁量能器晶体尺寸的测量

对北京谱仪电磁量能器中晶体的分布、CsI晶体尺寸的测量所用的仪器和方法进行了分析,最后对所有晶体的尺寸进行了统计。

大尺寸蓝宝石晶体的应用领域及生长技术研究

蓝宝石具有良好的光学、电学、化学等性质,发展前景较大,涉及科学技术的各个分支。现阶段,市场对宝蓝石的需求量逐年增大,对其生长方法的要求也日益提高。鉴于此,为满足市场对蓝宝石的应用需求,文章在对蓝宝石晶体应用领域掌握的基础上,对大尺寸蓝宝石晶体生长技术展开深入分析。

大尺寸蓝宝石晶体生长技术的应用研究

在理论研究与实践探索中,蓝宝石晶体凭借自身独特的优势及理化特性得到广泛应用,其强度高、硬度高、耐高温、耐腐蚀、透光性能好等一系列优势的显现,使我国在蓝宝石晶体生产技术研究中取得一定的成就。各种生长技术获取长足的发展,尤其是大尺寸蓝宝石生长技术,在原有生长技术的基础上得到大幅度提升,在产业化规模生产中得到有效应用,为工业发展提供支撑,尤其是在国防工业及航空航天领域,作出巨大的贡献。基于此,文章介绍了蓝宝石晶体生长技术的特点,探讨了我国大尺寸蓝宝石晶体生长技术的发展历程和现状,分析了大尺寸蓝宝石晶体生长技术的具体应用和发展趋势,以供参考。

用作环氧树脂填料的大尺寸氨氧化镁晶体

日本神岛化学工业（Konoshima Chemical）公司已经开始大量生产大尺寸氢氧化镁晶体，并将其用作环氧树脂的无卤阻燃填料，其应用范围比较广（从印刷线路板到半导体密封材料，均可应用）。该公司称氢氧化镁的晶体尺寸可以在5～15μm范围内变动。

大尺寸晶体快速生长理论与技术的研究进展

“如何突破大尺寸晶体材料的制备理论和技术”是中国科协发布的2021年度的十大前沿科学问题之一,揭示晶体生长机制和突破生长关键技术是大尺寸功能晶体发展的两个趋势。在原子分子尺度上,晶体生长可以是有势垒的热激活过程,也可以是无势垒的超快结晶过程,这与具体的体系以及晶面有关。从界面属性角度来看,光滑界面是以台阶拓展的方式生长;粗糙界面没有明显的固-液分层,通过局部原子固化进行生长。本文从晶体生长理论模型、生长技术及其应用实例,以及分子动力学方法在晶体生长中的应用等方面探讨了近些年大尺寸晶体快速生长理论和技术的研究进展。目前有多种方法制备大尺寸晶体,但普遍存在制备的晶体质量差和性能不稳定等问题。需要突破对晶体生长微观机制上的认识,建立机制与温度、流速等外界因素的内在联系。而利用机器学习力场以及分子动力学模拟方法,建立固-液界面,模拟晶体生长,将是探究晶体生长微观机制的一种有效方式。

MCML单元电路晶体管尺寸设计

通过建立数学模型得出功耗延时积最优化时对应的MCML电路工作的电流,在matlab环境下得出晶体管大小的最优化算法,由电流和约束条件确定电流源、逻辑运算、有源负载晶体管尺寸大小。

大尺寸薄膜晶体管液晶显示器的一种条状显示不均的分析和改善研究

研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析,这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性波动有关,金属膜厚的周期性波动导致了液晶显示器的液晶盒盒厚的不均匀,从而造成显示不均。这种膜厚的周期性波动与液晶高世代线广泛采用的平面靶材溅射设备构造有关。通过对设备结构的改造,提高了基板面内的金属膜厚的均一性,改善了此不良。

AgGaS_2晶体生长裂纹研究

从理论和实验上对AgGaS2 晶体生长中易产生裂纹甚至开裂的现象与其热应力、晶体尺寸以及温度梯度、生长速率等生长参数之间的关系进行了研究。结果表明:晶体产生裂纹甚至开裂与生长速率、坩埚旋转速率、冷却速率所造成的热应力和热应变有关。采用改进的Bridgman法成功地生长出尺寸为12mm×30mm无裂纹的AgGaS2单晶体,给出了制备无裂纹、大尺寸AgGaS2 晶体的较佳生长工艺参数。

微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响。适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸。CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI。

用数学模型计算生长大尺寸光学晶体加热系统结构 第2部分—在φ4 00mmCaF_2晶体生长中计算辐射-传导热交换的方法和结果(英文)

大尺寸氟化物晶体的生长是基于对晶体炉热交换的实验研究和计算结果 ,在晶体生长过程的不同阶段解决了复杂结构生长容器的边界条件和温场的二维计算任务。我们在这里给出了晶体生长过程中温场设置和转变的具体数据。所有的计算都是根据晶体、熔体 ,容器材料的光学特性与光谱和温度的关系以及它们的热物理值与温度的关系做出的。这些结果包括了迄今有关氟化物晶体生长系统和过程的最精确的数据 ,可用于生长技术工艺的发展以及晶体生长炉和容器的设计。

Nd∶NaY(WO_4)_2晶体生长与开裂研究

本论文采用提拉法 (CZ)生长了尺寸为1 5mm× 2 0mm的Nd :NaY(WO4) 2 晶体 ,并从理论上讨论了温度梯度、提拉速度、晶体转速和晶体尺寸等工艺参数以及热应变等因素对晶体开裂的影响 ,给出了生长Nd :NaY(WO4) 2

转速对快速法生长KDP晶体影响的实验与数值模拟研究

采用快速生长法在不同转速下生长了KDP晶体,对晶体生长过程中的现象进行了研究;运用fluent软件,采用多重参考模型和标准k-ε湍流模型对籽晶架和晶体在溶液中旋转产生的速度场进行了数值模拟,分析了不同转速对速度场和晶体长大对溶液稳定性的影响;结合实验现象与模拟结果分析可知,初始阶段适于KDP晶体快速生长的最优转速是100 r/min,随着晶体的长大,转速应适当降低。

纳米Co_(3)O_(4)催化剂用于丙烷催化燃烧性能研究

挥发性有机化合物(VOCs)是臭氧和PM2.5的重要前驱体,其排放对环境和人类健康造成极大的危害。催化燃烧是消除VOCs最有效的方法之一。四氧化三钴(Co_(3)O_(4))作为VOCs催化燃烧活性最高的过渡金属氧化物催化剂之一,最有潜力取代贵金属。本文采用不同方法制备三种不同Co_(3)O_(4)纳米催化剂,选择丙烷作为VOCs模型分子,考察Co_(3)O_(4)对丙烷催化燃烧性能。研究表明采用沉淀法制备出的Co_(3)O_(4)表现出最佳的催化活性,其T_(90)仅为251℃,比直接焙烧出来的Co_(3)O_(4)的T_(90)低33℃,这种较高的活性归因于其较大的比表面积、最低的Co^(3+)还原温度、最多的表面Co^(3+)物种以及活性氧物种。随着焙烧温度的增加,使得Co_(3)O_(4)的晶粒尺寸变大,因而其表观活性降低。

阴离子、阳离子和非离子表面活性剂在纳/微米草酸钙晶体上的吸附差异

研究了尺寸分别为50 nm和3μm的一水草酸钙(COM)和二水草酸钙(COD)晶体对不同电荷表面活性剂的吸附差异,包括阴离子型表面活性剂磺基琥珀酸钠二辛酯(AOT)、阳离子型表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和非离子型表面活性剂壬基酚聚氧乙烯醚(NP-40),探究了尿液中带不同电荷的分子对纳米、微米尿微晶的影响。结果表明,表面活性剂的吸附量大小为AOT>CTAB>NP-40,即阴离子型表面活性剂的吸附量最大,非离子型表面活性剂的吸附量最小;晶体尺寸相同时,COM的吸附能力稍大于COD;吸附表面活性剂后,晶体表面的ζ电位绝对值都增大,有利于抑制晶体的团聚和沉降。提出了晶体吸附不同表面活性剂的分子模型。不同电荷表面活性剂与纳/微米COM、COD晶体之间存在不同的相互作用。表面活性剂吸附量越大,沉降越慢,对晶体悬浮液的稳定效果越明显。

不同尺寸COM、COD对阳离子表面活性剂CTAB的吸附性质差异

为比较研究不同纳微米尺寸的一水草酸钙(COM)和二水草酸钙(COD)晶体对阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的吸附差异,探讨抑制剂对结石形成的抑制机理,本研究测定了各浓度CTAB下不同尺寸COM或COD对CTAB的吸附量;采用XRD和FT-IR表征吸附前后晶体是否发生晶相改变;采用Zeta电位仪测定吸附后晶体表面的Zeta电位随CTAB浓度的变化。结果发现,随着c(CTAB)浓度升高,3μm和10μm的COM、COD晶体的吸附曲线由上升段和平台段组成,而小尺寸的50 nm、100 nm、1μm的COM、COD晶体的吸附曲线为直线型。随着晶体尺寸的增大,COM和COD晶体的吸附量依次降低。当尺寸相同时,COM对CTAB的吸附量要大于COD,归因于CTAB更容易选择吸附在COM表面负电荷的区域。上述结果表明,草酸钙晶体对阳离子表面活性剂的吸附量与比表面积和晶体的晶面结构有关。晶体尺寸越小,比表面积越大,晶面暴露的草酸根密度越大,CTAB的吸附量越大,导致晶体表面Zeta电位绝对值增大,静电排斥力增强,从而抑制尿微晶的聚集,有利于抑制草酸钙结石的形成。

上海光机所无锥柱交界面KDP类晶体长籽晶快速生长技术取得重要进展

近期,上海光机所应用于Ⅱ类切割的430 mm口径KDP类晶体的长籽晶快速生长技术取得重要进展。利用自主研发的KDP类晶体连续过滤快速生长系统,在国际上首次结合长籽晶点晶技术(籽晶长度260 mm)获得长籽晶KDP晶体(图1),晶体尺寸为471 mm×480 mm×400 mm(长×宽×柱面高)。