三氧化钨晶体拓扑结构生长行为及其电致变色性能

本研究利用种子层辅助的水热反应法,在导电玻璃上沉积生长三氧化钨(WO_(3))晶体结构薄膜.通过调控水热反应溶液中盐酸、草酸的浓度以及后处理温度,分别得到花朵状、海胆状和多孔花瓣状的WO_(3)晶体结构薄膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和电化学表征等手段研究了不同拓扑结构形成的机理及其对WO_(3)电致变色性能的影响.结果表明:盐酸中的Cl^(–)具有促进WO_(3)晶体沿c轴方向生长的作用,而草酸具有促进WO_(3)晶体沿a轴方向生长的作用;微米海胆状WO_(3)的着色效率为42.37 cm^(2)/C,远远大于WO_(3)花朵状(15.21 cm^(2)/C)和花瓣状(12.71 cm^(2)/C)的着色效率;经过淬冷处理的微米花WO_(3)表面呈多孔结构,其着色效率高达56.95 cm^(2)/C,是未淬冷处理、表面光滑微米花WO_(3)着色效率的近4倍,同时也优于微米海胆状WO_(3)的着色效率.

Co(Ⅱ)与烟酸类分子形成的配位聚合物的晶体结构与孔道稳定性

利用烟酸与异烟酸两种配体分别与硝酸钴在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中采用溶剂热法合成了三种新的配位聚合物[Co2(μ2-H2O)(nicotinic acid)4·(DMF)](1),[Co2(isonicotinic acid)4·(DMF)](2),[Co(isonicotinic acid)2·(DMF)](3),并利用单晶X射线衍射(XRD)和元素分析获得其结构信息.通过傅里叶变换红外(FTIR)光谱、粉末X射线衍射(XRD)、热重分析(TGA)和比表面积分析等手段对结构中孔道的热稳定性进行了表征.结果表明化合物1具有类金刚石的拓扑结构,结构中含有稳定的一维(1D)孔道空间.化合物2和3是以异烟酸为配体,分别在100和160°C下合成,二者结构中配体以完全不同的方式与Co(II)配位,从而使其具有不同的结构.化合物2和3的一维孔道在热处理脱附DMF分子的过程中不能稳定存在.