惠普突破摩尔定律芯片内晶体管数量提高8倍

eNet硅谷动力消息：美国惠普公司的科学家日前宣布，他们采用了一种纳米科技成果，可以将单位面积芯片上的晶体管数量增加8倍。相当于应用了3轮摩尔定律。

改进的共享布尔逻辑进位选择加法器设计

在当今高度数字化和计算密集型的环境下,设计出高速和低功耗的加法器,例如进位选择加法器(Carry Select Adder,CSLA)是至关重要的。基于此提出一种改进共享布尔逻辑进位选择加法器。与现有设计相比,该设计在牺牲部分功耗和速度的基础上,减少了晶体管数量。该设计采用TSMC65nm工艺在Cadence中实现了4位的设计。仿真结果显示,相对于Fast Adder Module-2(FAM2)进位选择加法器,该方案的晶体管数量、功耗和功耗延时积分别降低了8.91%、8.13%和6.02%。

3D晶体管

英特尔公司创造出了速度更快、能效更高的处理器。为了在硅芯片上挤入更多的元件，英特尔公司已经开始大规模地生产基于3D晶体管的处理器。这一举动不仅可以延长摩尔定律（根据摩尔定律，每块芯片上的晶体管数量每两年就会翻一番）的寿命，而且还有助于大幅提升处理器的能效和运行速度。

恩智浦1500kW射频功率晶体管树立新标杆

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N．V．）（Nasdaq：NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或存任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1．50kW CW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。

1500kW射频功率晶体管

MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1．50kWCW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500MH濒率下工作，适用于广泛的应用，从激光和等离子体源到粒子加速器、

工业硅片上长出“完美”二维超薄材料

据发表在最新一期《自然》杂志上的论文,美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法,在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料,以制造越来越小的晶体管。根据摩尔定律,自20世纪60年代以来,微芯片上的晶体管数量每年都会翻一番。但这一趋势预计很快就会趋于平缓,因为用硅制成的器件一旦低于一定的尺寸,就会失去其电性能。在纳米尺度上,二维材料可比硅更有效地传导电子。因此,寻找下一代晶体管材料的重点是将二维材料作为硅的潜在替代品。

专访索喜CEO:立足日本,但希望融入全球体系

随着小型化趋势的发生,摩尔定律规定集成电路上的晶体管数量每两年就会增加一倍。七年前,节点尺寸是7nm。就在两年前,IBM发布了第一款2nm芯片,英特尔计划在2024年投产1.8纳米芯片。您谈到了小型化的局限性以及超越摩尔的概念,这超出了小型化的范围。您能解释一下Socionext(索喜)超越摩尔的概念吗?这意味着什么?这将使用哪些技术?

谷氨酸结晶控制探讨

从结晶学的原理来探讨谷氨酸的结晶控制 ,以尽可能控制好谷氨酸制备过程中晶体的数量和质量 ,从而可有效地避免 β型晶体 (俗称 :轻麸酸 )的出现 ,提高谷氨酸质量和提取收率。

秘鲁南部阿雷基帕段海岸岩基带找矿方向探讨（英文）

通过详细的岩相学和锆石U-Pb年龄的研究,秘鲁海岸岩基带阿雷基帕段的填图工作得到了补充,该岩基带岩浆活动可分为7个阶段和4个旋回,各阶段都显示出不同的岩浆容量,其地貌主要表现为岩基和岩脉。旋回Ⅰ和旋回Ⅱ代表侏罗纪岩浆活动阶段(201~145Ma),岩浆分异为辉长岩到花岗岩;旋回Ⅲ和旋回Ⅳ代表白垩纪岩浆,岩浆分异为英云闪长岩-二长花岗岩、闪长岩与花岗闪长岩及英云闪长岩-花岗闪长岩。对角闪石和黑云母矿物晶体的数量关系研究表明,旋回Ⅰ的侵入岩有大量辉石和角闪石结晶,并伴随金-铁成矿作用;旋回Ⅱ有大量的群集角闪石晶体和呈定向排列或群集的六边形黑云母,且伴随铜-金-铁成矿作用;旋回Ⅲ侵入岩内发育角闪石和黑云母,伴随着金-铜和铁成矿作用;旋回Ⅳ发育大量角闪石和六边形黑云母,岩石更偏长英质,并伴随铜-锌-金-银-铁和铜-金-钼成矿作用。

计算机处理器的未来——多核处理器

自从计算机诞生以来,推动处理器高速发展的源动力主要有两方面：微电子技术飞速进步和处理器体系结构演化发展。于1965年提出的摩尔定律认为：每隔18～24个月、单位面积上晶体管数量倍增。随后的实践证明了摩尔定律的正确性和有效性：最新的制造工艺已经将处理器线宽从亚微米级降低至纳米级层次,晶体管数量也即将达到十亿个。

摩尔精神——硅世界的超越法则

一个芯片上可容纳的晶体管数量每隔18或24个月便会增加一倍。1965年4月19日,高登·摩尔对集成电路上晶体管数量的增长做了预测,这就是著名的摩尔定律。40年回首,摩尔定律已不仅仅是针对芯片的定律。不久的将来,它有可能扩展到无线技术、传感器技术、光学技术等领域,成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。

摩尔定律之外的创新

不论是DC，还是热门的智能手机．都正在迎来越来越强大的处理器。尤其是2012年．新一代制造工艺将会得到广泛的应用，性能、功耗，晶体管数量都会迈上新台阶。这些足以诱惑我在2012年采购新的PC和手机。

美国半导体和集成电路

近20年来,美国半导体工业发展迅速,平均年增长率在17%左右,不论在技术上,还是销售额方面都一直处于世界领先地位。1985年美国半导体的交运量总值约174亿美元,比1984年有所下降(1984年为205亿美元)。1985年美国半导体贸易的逆差多达21亿美元。

多核,瓶颈在软件

1965年4月。戈登·摩尔先生在准备某个演讲之前忽然灵机一动。发现了计算机处理器发展的规律。这些规律预言道：“半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将会以每年一倍的速度增长”。到1975年。他将这条定律进行了修改。并称：“电脑芯片中的晶体管的数量每18个月将翻一番”。尽管摩尔先生只将这个定律放在10年的范围之内。但是在计算机硬件领域仍然坚持不懈地履行着这一定律。按照当时的预测。今天CPU上的集成晶体管数量应该已经达到17．5万亿个。很明显。今天的CPU并没有达到这一数量。导致这种情况的根本原因其实主要是因为对芯片设计和制造工艺上。几乎已经达到了极限。人们无法再通过增加晶体管的数量来提高CPU的运算能力了。

摩尔定律尽头的计算科学

摩尔定律,由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出,其内容为：当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件数目,约每隔18~24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。自上世纪60年代以来一直被IT行业推崇为＂圣经＂并依赖其发展的摩尔定律正在走向终结,面临＂夕阳时刻＂,半导体行业将何去何从？

双大马士革工艺的发展及挑战

随着CMOS晶体管尺寸不断缩小到次微米级，正如摩尔定律的预测，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多达八层的高密度金属连线，然而这些金属互连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路速度的主要因素。基于这个因素的推动，半导体工业从原来的金属铝互连线工艺发展成金属铜互连线，同时低k值材料替代了二氧化硅成为金属层间的绝缘介质。金属铜减少了金属连线层间的电阻，同时增强了电路稳定性；低k值介质则减少了金属连线层之间的寄生电容。

取代硅元件芯片技术新突破

IBM研究人员已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。其可将1万个晶体管安置在单一芯片上，这一数字约为传统硅晶体管数量上限的100倍。

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺

随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（Shallow—Trench—Isolation），金属前绝缘层（Pre—Met—al—Dielectric），金属层间绝缘层（Inter—Metal—Dielec—tric）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0．25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。