单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白。

晶体型Interleaver的滤波片

说明了Interleaver的基本原理,分析了晶体型Interleaver的滤波片的原理,以YVO4晶体为例,给出了具体应用的设计思想。

一种特殊的单片晶体滤波器模块

介绍了一种进口中频滤波器微电路模块。该中频微电路模块是中心频率为12.1 MHz,3dB带宽240kHz,体积仅35mm×25mm×5mm的一种复合型宽带有源单片式晶体滤波器,其采用叉指结构对单片晶体滤波器的性能进行改善。通过实验证明叉指结构对单片晶体滤波器具有改善矩形系数,增加带外抑制和精密微调频率的作用。

叉指结构在单片晶体滤波器中的应用

剖析了一种复合型宽带单片式晶体滤波器。从单片晶体滤波器和叉指换能器的原理出发对该滤波器进行了理论分析,然后使用仿真软件模拟了叉指结构对单片式晶体滤波器的影响。最后通过实验证明了插指结构对晶体滤波器具有调整矩形系数,增加带外抑制和频率微调的作用。

泛音模单片晶体滤波器

本文在引用单片晶体滤波器基本理论的基础上，对泛音模单片晶体滤波器的设计方法、工艺特点及工程应用作了较详细的介绍。并结合一个实例，利用计算机辅助分析及设计技术。研制出了满足预定要求的３０～７０ＭＨｚ泛音模单片晶体滤波器。

甚高频单片晶体滤波器的研制

1 概述 随着军用、民用电子工业的发展,特别是信息通讯领域的飞速发展,对元器件提出了更高性能指标,更低功耗,更小体积,更高可靠性的要求。

小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

介绍比较了钽酸锂（LiTaO3,简称LT）晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器。结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%~4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

四极点LGS晶体滤波器的研制

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体滤波器的设计方法。该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55^+125℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%~0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值。

市场经济驰骋 敢问路在何方——国有七九五厂改革纪实

在古老永恒的毕郢原下,在滔滔不息的渭水之畔,在秦王统一天下立业建都的咸阳城里,座落着一个大型国有企业——七九五厂。 这个厂是电子部全国三大元器件厂之一,1958年筹建,1965年投产。现有职工总数4500人,其中工程技术人员930人;工厂占地面积41万平方米,建筑面积20万平方米;资产总值1.1亿元。工厂主要生产:电子、陶瓷、瓷介电容器、膜式电阻器、线绕电阻器、(月炭)膜和玻璃釉电位器,压敏元器件、光敏元器件、晶体材料和元器件、无线电专用设备、保安器材、日用化工等十四个大类二十二个品种,数万个规格的产品。多年来,七九五厂为国防和国民经济建设做出过重要贡献。 八十年代,红箭8号硫化铅红外探测器和500W被釉线绕电阻器曾分别荣获国家级科技进步特等奖和优秀新产品金龙奖。