Multisim10软件在晶体管放大电路失真分析教学中的应用

本文介绍了Multisim仿真软件的基本功能和特点,及该软件在晶体管放大电路非线性失真教学中的优势。通过仿真实例,将Multisim仿真技术引入晶体管放大电路失真分析的教学实践,提供了一种更为直观、易懂、便于操作的教学方法。

晶体管放大电路等效网络化简分析法

运用电源化简定理,给出分析晶体管放大电路的网络化简分析法,并结合分析具体电路说明此等效网络化简分析法的优势所在.

基于电压阀和电流阀模型的晶体管放大电路分析

依据已经提出的电压阀和电流阀两种非线性电路模型以及由电压阀和电流阀构造出的晶体管模型,进一步对各种晶体管放大电路进行了非线性模型等效,并在等效的模型电路基础上,研究晶体管放大电路的静态工作点计算方法、动态参数计算方法。该方法具有电路直观、概念清晰、分析计算准确等特点,而且能够判断出晶体管是否截止或饱和、动态工作范围大小等。

单电子晶体管的制备、集成与电路研究

我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨,给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法,这种方法具有普遍性,在教学中易于学生接受和掌握.

晶体管放大电路温漂特性智慧教室仿真探讨

本文以混合式教学为背景,以晶体管放大电路温漂问题为例,介绍了通过MULTISIM仿真软件,深入学习和分析晶体管放大电路的温度特性,阐述了智慧教室在混合式教学中的可行性和实用性,文中的晶体管放大电路温度稳定性探究为学生在模拟电子技术难点和重点学习起到了有效的示范和说明作用。

薄膜晶体管矩阵电路中的Al电极

本文介绍Al 电极 TFT 矩阵电路的优越性及其制造工艺——阳极氧化法制造 Al_2O_3膜。

射频接收系统晶体振荡电路的设计与分析

采用了理论分析、工程估算、SPICE模拟以及与实际调试相结合的方法确定了射频接收系统中晶体振荡电路的结构、直流工作点及电路的元器件参数。

晶体管放大电路中放大倍数误差探究

针对本科生晶体管放大电路实验中,放大倍数实测值误差较大,且普遍存在理论值偏大,实测值偏小的异常现象,寻找到了电容是产生这种现象的主要原因。通过实验,验证了容量大的电容会明显降低放大倍数的误差。

EWB在晶体管放大电路实验教学中的应用研究

从模拟电路的实验教学出发，介绍EWB软件在晶体管放大电路中的应用，从中可以看出仿真和实验相结合的方式可以提高实验效率。

射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计

描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-WellCMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题。该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块。

晶体管组态电路的噪声谱矩阵计算及噪声比性能比较

采用谱矩阵方法，推导了了三种电路组态的噪声谱矩阵关系，从而完整、准确地比较了晶体管三种电路组态的噪声性能。理论分析及仿真计算表明，不同组态电路在一般情况下虽然差异较小，但在高频范围，特别是当器件工作在小电流情况下，噪声性能判别会增加。

晶体管基本放大电路分析的两种方法

本文对晶体管基本放大电路分析的两种方法 ,即直接分析法和网络定律分析法的运用作了比较 ,并指出两种方法在实际教学中使用时的不同特点。

全零器、无定器在晶体管、集成元件电路中的互换分析

通过现代电子电路设计中所虚设的全零器、无定器，将分立元件电路转化成集成电路。为设计集成电路和电子电路分析开创了又一个新方法。

晶体管在放大电路中三种组态的应用

在以往的物理教材中,对半导体的介绍往往是从它们组成材料的原子结构、PN结等性质向学生阐述。这些固然重要,但有些枯燥。所以我们在文章中以实际的应用出发,介绍了在实际应用中晶体管的三种组态,以此来提高学生对半导体物理的兴趣。晶体管放大技术电路有共发射极、共集电极和共基极三种组态。针对如何根据实际需求在实际的电路设计中选择合适的电路组态,文章结合一个包含三种组态的实际放大电路深入细致的分析比较了三种放大电路,加深了对三种放大电路的理解。

基于Multisim的晶体管放大电路设计研究

晶体管放大电路是电子电工课程中的重难点,是学生学习电子技术的基础。文章基于集成化的Multisim虚拟设计实验环境对模拟电子技术中典型的晶体管放大电路进行了设计与仿真,分析了放大电路的开环差模增益、输入偏移电压、共模抑制比、增益带宽积等基本特性。实验结果表明,通过这种方法可以非常形象简便地得出结果,对学生理解晶体管放大电路的原理及工作具有很大帮助。

温度对晶体管放大电路影响的计算方法

:分析了温度对晶体三极管三个主要参数的影响。运用偏微分方程进行理论计算 ,并用实际测量值加以验证。

一种高性能CMOS晶体振荡电路的设计

本文对晶体振荡器的线性和非线性理论给出一般性的理论描述。它建立在高Q值的谐振电路基础上。常见的是三点振荡器,包括Pierce振荡器以及单端口振荡器。通过对电路的阻抗进行根轨迹分析,则能更清晰地了解电路的非线性性能。通过无损耗假设,可得到起振的基本条件以及频率牵引度、临界阻抗及启动时间等表达式。作为在RF设计中的一个应用电路,本文给出一种应用在接收器芯片中的高性能CMOS晶体振荡器设计,该芯片用0.25μm CMOS工艺实现,仿真结果与系统要求一致。