太阳电池用晶体硅片及其技术标准发展现状

介绍了目前太阳电池用晶体硅片及其技术标准的发展现状,分析了单多晶硅片的现状及发展趋势,分别介绍了单晶硅片向N型硅片、薄片化及大尺寸发展,以及多晶硅片向高效多晶方向迈进的趋势;梳理了单多晶硅片技术标准的现状与发展趋势,分析了单多晶硅片技术标准中存在的技术要求落后、参数设定包容性差,适用性偏低等诸多问题,对了解太阳能用单多晶硅片业内情况及单多晶硅片相应标准的制定都有重要的指导意义。

晶体硅片切割厚度控制工艺方法研究

随着全球的能源危机的愈演愈烈,能源危机也随之变得更为突出明显。太阳能作为当今全球的一种最为清洁的能源,将太阳能转换成电能,从根本上缓解了能源危机的问题[1]。因此太阳能电池无疑成了最有潜力的新型能源,太阳能电池的研发和生产自然受全球瞩目。太阳能电池中,绝大多数的太阳能电池都以硅作为基底的。目前全球各国都在加大力度推进太阳能电池的使用,太阳能电池的产量和质量是现有能源转化研究领域的热门[1]。本文结合具体的生产情况,研究了不同的生产工艺条件对晶体硅片切割厚度的影响,改善了某企业太阳能硅片厚度偏薄的问题[2]。

融合注意力机制的残差网络晶体硅片分类方法

为了更好地利用晶体硅片资源,实现对晶体硅片准确高效的分类,提出了一种改进的ResNet34卷积神经网络,且用于对晶体硅片高清图像进行分类.通过拍摄晶体硅片高清图像建立自有数据集,并对其进行离线扩充来有效扩大数据集.基于ResNet34网络建立分类模型,采取自适应矩估计权重衰减优化算法(AdamW)来提高ResNet34网络的泛化能力,同时将注意力机制的方法融入到ResNet34网络中增强模型的特征提取能力,之后将改进的模型载入到晶体硅片数据集上训练,实验结果发现,所提W-ResNet34+SC-SEAM分类模型的准确率可达99.91%,比在仅利用ResNet34模型分类结果上提高了2.68%的准确率,实现了对晶体硅片的精确分类,证明了所提分类方法是可行的.

超薄异质结太阳能电池性能的研究

随着硅片切割技术的不断进步,越来越薄的晶体硅太阳能电池成为光伏组件产品成本下降的重要途径之一。 在各种不同的太阳能电池工艺路线之中,异质结太阳能电池以其正反双面对称的结构,以及全程低温工艺的特点,显示出优于其它太阳能电池工艺路线的对于超薄太阳能硅片的兼容性。本文主要通过实验方法,测试超薄硅片在异质结生产线上的电池性能以及生产良率。并针对硅片的厚度,提出异质结电池的生产改善方案。

Analysis on Conductivity of nc-Si: H Films

A conduction channel model is proposed to explain the high conductivity property of nc-Si: H. Detailed energy band diagram is developed based on the analysis and calculation, and the conductivity of the nc-Si: H was then analysed on the basis of energy band theory. It is assumed that the conductivity of the nc-Si: H stems from two parts: the conductance of the interface, where the transport mechanism is identified as a thermal-assisted tunnelling process, and the conductance along the channel around the grain, which mainly determined the high conductivity of the nc -Si: H. The conductivity of nc - Si: H is calculated and compared with the experiment data. The theory is in agreement with the experiment.

晶体硅缺陷的腐蚀及表征

对太阳电池用晶硅片的缺陷表征,目前大都采用厚1mm～3mm的片子进行测试研究,为了与当前批量生产晶硅片相兼容,我们使用常规生产的硅片(厚度180μm～200um)进行分析测试。文章主要论述了对180μm～200um厚的常规生产晶硅片的化学抛光、化学腐蚀的实验方法及采用共聚焦显微镜方法进行观察和表征晶体硅缺陷的方法及内容。