“晶体管二极管的特性与检测”实验之实践与体会

电子技术实验有别于其他学科实验,对学生实践综合能力的要求较高,需要实验指导教师在课前精心准备,在实验中科学指导,以保证学生学以致用。

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法 .利用该方法 ,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值 ,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值 .用此方法对 Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测 ,所有的实验结果与理论分析相符合 .实验中确认了在 Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在 .

CHIPWORKS宣布推出晶体管特性检测服务

Chipworks公司（一家专家从事还原工程及系统分析之半导体业界领导厂商）宣布推出专为次微米晶体管（如90nm或65nm CMOS技术节点）而设的直流晶体管特性检测服务，

370A晶体管特性图示仪校准方法探讨

一、晶体管特性图示仪的校准现状 晶体管特性图示仪是用来显示、测量晶体二极管、三极管特性的重要仪器，是所有生产和使用晶体管的单位必需使用的仪器。

激光二极管正向电特性的检测与分析研究

激光二极管是采用化合物材料制作成的多量子阱结构的器件,其具有成本低、功耗低、发光均匀以及稳定性高的优势,在正向偏压下可产生蓝、红、绿等光,是一种应用价值较高的光电子器件。对激光二极管的正向电特性进行研究,能够掌握内部物理机制,增强激光二极管的性能。为增强激光二极管的性能,采用表征方法对发光二极管的电学特性实施精确检测。采用正向交流小信号C-V融合直流I-V特性的方法,获取激光二极管的电参数。结果表明,不同颜色的激光二极管在低频率以及高电压时产生显著的负电容,同电压间呈现指数关系;不同频率下的表观电导,在高电压下随着电压的增大而呈现指数提升,在低电压和高频率时对表观电导造成微弱干扰。

基于共振隧穿二极管的应力检测方法

共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法——惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,可调范围达到三个数量级.

用于位置检测的光电二极管参数分析

PIN型光电二极管由于响应速度快,暗电流低,噪声低等特点越来越多地被应用到位置检测中,如何根据设计需求对光电二极管进行选型很重要。通过分析光电二极管的光灵敏度、暗电流、噪声等效功率和响应速度性能参数,分解光电传感器位置检测系统的设计需求,提出了光电二极管的选择依据。

批量光电二极管弱光光敏特性测试仪

针对光照度小于10lx的弱光使用环境,提出并设计了一种批量光电二极管弱光光敏特性测试仪。仪器包括可调弱光光源、照度均匀化装置、批量光电二极管固定板、多通道转换开关、微电流放大电路、环境照度监测通道、数据采集及微机接口电路和相关配套软件。仪器的核心为自行研制的光照度在0.01-10lx范围内无级可调的弱光光源。实际应用中,在2lx照度下,光电二极管弱光光电流一般为12.2-15.6nA,只有少数光电流低于10nA;因此,该仪器可用来进行光电二极管的定量筛选。

强流电子加速器中气体开关与真空二极管的光学特性

利用光纤传感器与光电二极管相结合的方法,对强流电子加速器中气体火花开关以及真空二极管的发光特性进行了研究,对影响光电二极管测量的因素进行了理论计算与模拟研究。在气体开关导通电压1.7 MV,二极管电压1.07 MV,电流18 kA时,进行了多次实验,得到了发光特性与击穿电压、电流的关系。同时,对利用光学检测方法测量主开关或真空二极管电压、电流大小得可行性进行了分析。

车用二极管自动检测与分选装置的设计与应用

由于国内汽车产量的急速增加,用于整流桥的车用二极管产品质量判断与匹配也就显得极其重要,国内重大的车用二极管厂家与整车厂家迫切需要车用二极管的自动检测与分选装置,来代替传统的手工检测带来的精度与效率问题。文章介绍实现车用二极管自动检测与分选装置的机电一体化设备,可以使你的工作实现的轻松与高效率。

用吉时利源表实现二极管特性曲线测试

二极管的伏安特性曲线直观地反应了器件的性能,传统上采用阴极射线管(CRT)的晶体管图形仪进行测试,设备体积大、能耗大,测试精度低,人工读数的方式还会带来无法避免的主观差异。随着测试技术和计算机技术的发展,可以采用数字源表加控制软件的方法实现二极管特性曲线的测试。本文介绍了具体的实现方法。

90nm CMOS工艺下3×V_(DD)容限静电检测电路

提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时,该电路能产生38mA的触发电流.在3×VDD电压下工作时,每个器件都处于安全电压范围,在25℃时漏电流仅为52nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于3×VDD容限的接口缓冲器.

红外对管检测装置

本文提出了一种在工厂装配线上对成批的近红外线发光二极管和光电二极管进行筛选的工艺。

正确认识和使用发光二极管

针对目前中学实验教学中发光二极管频频被烧坏等问题,文中结合自己多年的工作经验,从发光二极管的特性、种类、供电及检测等方面进行了阐述,以供教师参考。

基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiCMOSFET的短路耐受时间较小,仅为2~5μs,这对SiCMOSFET的短路保护电路提出了更高的要求。首先总结分析SiCMOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiCMOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证。实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiCMOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行。

尿失禁检测器

在因交通事故等原因造成脊髓损伤的人群中,有一部分人膀胱和外尿道失去功能,引起尿失禁发生,给伤残者的生活造成很大的苦恼。本文介绍的尿失禁检测器能够准确地检测出尿失禁发生,并通知伤残者本人或者护理人员及时地进行处理。当然,这种尿失禁检测装置也适用于排尿系统失调的其他病人或老年人。对于上肢体功能健全的伤残者,利用该尿失禁检测器,还可以不必依赖集尿器和护理人员的帮助,自行处理尿湿产生的问题。无疑地,能使生活质量得到很大的改善。

二极管的特性与检测

1 二极管的结构具有一个PN结的半导体器件称为半导体二极管,简称二极管。在PN结的N区和P区分别引出一个电极,再用金属、塑料或玻璃等材料封装上管壳,就成了一个二极管。与P区相连的电极为二极管的正极或阳极,用符号“+”表示;

液晶显示器晶体管和特殊元器件识别及检测(上)

一、二极管的识别与检测 1．常规二极管 应用在液晶显示器中的常规二极管主要有整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管。（1）整流二极管 整流二极管的作用是将交流电转变成直流电。常见的整流二极管有：IN4001、IN5401等型号。