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晶体管噪声的计算机测试及晶体管宽带放大器的低噪声设计
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作者 王树勋 《仪器仪表学报》 EI CAS 1988年第1期94-98,共5页
一、前言文献[1]中提出并实现了晶体管前置放大器的双最佳低噪声设计。其中要利用晶体管噪声参数fL、a、Rbb’。国内晶体管尚未给出fL,a 参数。测试它们的一般方法是在频谱仪上测晶体管的噪声谱,然后进行计算。这种方法操作复杂、计算... 一、前言文献[1]中提出并实现了晶体管前置放大器的双最佳低噪声设计。其中要利用晶体管噪声参数fL、a、Rbb’。国内晶体管尚未给出fL,a 参数。测试它们的一般方法是在频谱仪上测晶体管的噪声谱,然后进行计算。这种方法操作复杂、计算繁琐、误差较大,因此不实用。本文采用计算机测试方法,即把晶体管噪声通过A/D 转换器送入计算机,计算其噪声功率谱,再根据功率谱计算管子参数fL、a、Rbb’。设计者可以直接利用计算机内存中噪声功率谱、参数fL、a、Rbb’及优化程序进行设计。因此操作方便、计算准确。二、晶体管噪声的计算机测试晶体管噪声是一种随机信号。我们采用平滑周期图平均法进行测试。设晶体管噪声信号为x(t)、对x(t)进行N 点抽样得抽样序列x(n),n=0,1,2,…,N-1。将x(n)分成长度为L 的K 段,即L=N/K。 展开更多
关键词 晶体管噪声 噪声设计 宽带放大器 功率谱 前置放大器 噪声参数 频谱仪 随机信号 噪声 周期图
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晶体管噪声性能的测量和表示法
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作者 成众志 《电信科学》 1959年第8期30-35,共6页
1.引言在各种無线电电子学設备系统中,所用电子器件的噪声性能是对設备的性能如何具有决定性的一种因素。例如收音机的絕对灵敏度,就是由收音机的放大能力和噪声性能来决定;又例如某些需要有高灵敏度的测量仪器,都是依靠低噪声的电子器... 1.引言在各种無线电电子学設备系统中,所用电子器件的噪声性能是对設备的性能如何具有决定性的一种因素。例如收音机的絕对灵敏度,就是由收音机的放大能力和噪声性能来决定;又例如某些需要有高灵敏度的测量仪器,都是依靠低噪声的电子器件来完成它們的任务。因此对电子器件噪声性能的研究和测虽有極大的卖出意义。对电子管噪声性能的研究,虽已有了比較成熟的結果,但对晶体管的噪声性能还只有一些初步研究的成果。需要作更深入和有系统的了解。晶体管在噪声性能方面是否可与电子管相比,是一个值得注意的問題。大約在1954年以前,一般認为晶体管的噪声性能比电子管的差,特别是点接触型晶体管。 展开更多
关键词 晶体管噪声 噪声系数 噪声性能 电子器件噪声 噪声 接触型 噪声 噪声 测量仪器 体管
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微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究 被引量:18
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作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期111-114,158,共5页
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示... 为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。 展开更多
关键词 微波低噪声晶体管 方波电磁脉冲 敏感端对 灵敏参数 损伤功率 统计分布 损伤机理
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微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究 被引量:11
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作者 杨洁 王长河 刘尚合 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期99-102,共4页
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基... 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。 展开更多
关键词 微波低噪声晶体管 静电放电 方波电磁脉冲 损伤电压 损伤机理
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大生产中超高频低噪声管失效分析
5
作者 吴振江 《电子器件》 CAS 1996年第3期179-183,共5页
本文介绍了大生产中超高频低噪声管的失效现象,对生产结果进行了讨论,亦提出了新的工艺方法。
关键词 失效分析 EB结构 软击穿 噪声晶体管
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自激随机起爆引信原理与设计
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作者 刘建丰 娄文忠 王良风 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2003年第1期22-24,共3页
提出了一种经济可行的 ,可用于封锁机场武器的自激随机定时方法 ,即晶体管热噪声产生随机数 ,可实现自激随机起爆 ,同时完成了相应的电路设计 ,并对其进行了验证与温度试验分析。
关键词 自激随机起爆引信 撒布武器 集束武器系统 子母式武器系统 结构原理 随机信号 晶体管噪声
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井下地层流体NMR分析仪微弱信号放大电路设计 被引量:5
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作者 黄琳 龚治宇 +1 位作者 孟祥隆 吴磊 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2017年第2期27-30,共4页
针对井下地层流体核磁共振分析仪器回波信号的频率高、强度弱、信噪比低的特性,以及测井仪器工作环境的特殊性,设计了一种低噪声的微弱信号放大电路。电路以低噪声双极性晶体管MAT02为核心的负反馈放大电路作为第一级放大,采用低噪声集... 针对井下地层流体核磁共振分析仪器回波信号的频率高、强度弱、信噪比低的特性,以及测井仪器工作环境的特殊性,设计了一种低噪声的微弱信号放大电路。电路以低噪声双极性晶体管MAT02为核心的负反馈放大电路作为第一级放大,采用低噪声集成运放AD8130作为第二、三级放大,改善了微弱信号放大电路的噪声性能。实验表明:该电路对于频带4~5 MHz微弱信号,增益可达70 d B,且其等效输入噪声电压为槡2.1 n V/Hz,同时在环境温度0~150℃时有良好的线性度、较平坦的带宽和优良的低噪声性能,可为测井仪器中较高频率的微弱信号测量研究提供参考。 展开更多
关键词 核磁测井仪器 微弱信号放大电路 噪声双极性晶体管 噪声匹配
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HBT's High Frequency Noise Modeling and Analysis
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作者 王延锋 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1140-1145,共6页
A T equivalent high frequency heterojunction bipolar transistor (HBT) noise model is reported.This model is derived from Hawkins noise model commonly used in Si BJT.The main modifications include the influence of th... A T equivalent high frequency heterojunction bipolar transistor (HBT) noise model is reported.This model is derived from Hawkins noise model commonly used in Si BJT.The main modifications include the influence of the ideality factor,emitter resistance,intrinsic base collector capacitance,extrinsic base collector capacitance and other parasitic elements of HBT represented in equivalent circuit topology.In order to calculate accurate noise parameters from the equivalent circuit,the noise correlation matrix method is used to avoid any simplifications generated in circuit transformations and complex noise measurements.The analysis of the influence of the equivalent circuit elements on the minimum noise figure is reported,the results of analysis agree well with the physics explanations.By means of the formulae derived from device physics of HBT,the influence of device parameters on the minimum noise figure is also represented. 展开更多
关键词 heterojunction bipolar transistor noise modeling noise correlation matrix
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Preparation and operation characteristics of organic semiconductor transistor using thin film Al gate and copper phthalocyanine 被引量:1
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作者 赵洪 王东兴 +3 位作者 梁海峰 桂太龙 殷景华 王喧 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2006年第6期675-677,共3页
The organic static induction transistors (OSITs) are fabricated by the method of evaporating and plating in a vacuum with copper phthalocyanine (CuPc) dye, and has a five layered structure of Au/CuPc/Al/CuPc/Au. The e... The organic static induction transistors (OSITs) are fabricated by the method of evaporating and plating in a vacuum with copper phthalocyanine (CuPc) dye, and has a five layered structure of Au/CuPc/Al/CuPc/Au. The experiment reveals that OSITs have obtained a low driving voltage, high current density and high switch speed such as I_ DS = 1.2×10 -6 A/mm2, and the degree of 1 000 Hz. The OSITs have excellent operation characteristics of typical static induction transistors. 展开更多
关键词 thin film transistor copper phthaloeyanine organic semiconductor vacuum evaporate
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