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1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
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作者 段子刚 柴广跃 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1409-1412,共4页
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料... 基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量. 展开更多
关键词 异质结 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化
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1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
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作者 段子刚 黄晓东 +2 位作者 周宁 徐光辉 柴广跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期6193-6199,共7页
基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2... 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱. 展开更多
关键词 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化
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半导体光电子激光器技术的发展 被引量:2
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作者 程开富 《电子元器件应用》 2008年第8期78-80,共3页
分析了通信用光电子器件的分类,介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工作原理,同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。
关键词 通信 光电子器件 半导体 晶体管激光器
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Diode-pumped Nd:YAG/LBO CW yellow laser at 588.9 nm
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作者 BU Yi-kun ZHENG Quan +2 位作者 XUE Qing-hua JIA Fu-qiang QIAN Long-sheng 《Optoelectronics Letters》 EI 2005年第1期30-32,共3页
A design of diode-pumped Nd.YAG laser with a single crystal that generates simultaneous laser action at the wavelengths of 1064 nm and 1319 nm was presented and continuous-wave (CW) of 588.9 nm was obtained for the ... A design of diode-pumped Nd.YAG laser with a single crystal that generates simultaneous laser action at the wavelengths of 1064 nm and 1319 nm was presented and continuous-wave (CW) of 588.9 nm was obtained for the first time by use of type-I critical phase-matching LBO crystal intracavity sumfrequency mixing. The maximum output power of 62 mW is achieved with an incident pump power of 1.8 W. The optical-to-optical conversion efficiency is up to 3.4% ,and the power instability in 24 h is better than ± 2.7 %. 展开更多
关键词 二极管 激光器 晶体结构 波长 连续波
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Output characteristics of Nd:Gd VO_4 crystals laser with dual c-axis orthogonal gains end-pumped by two fibercoupled diode lasers
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作者 林海峰 熊飞兵 黄剑平 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第1期30-32,共3页
The output characteristics of neodymium-doped gadolinium vanadate(Nd:GdVO4) crystals laser with dual c-axis orthogonal gains end-pumped by two fiber-coupled diode lasers are investigated. With two 1 W semiconductor di... The output characteristics of neodymium-doped gadolinium vanadate(Nd:GdVO4) crystals laser with dual c-axis orthogonal gains end-pumped by two fiber-coupled diode lasers are investigated. With two 1 W semiconductor diode lasers pumping, the output power of TEM00 laser is 920 m W, and the optical conversion efficiency is close to 46%. By changing the relative orientations of both Nd:Gd VO4 crystals, the polarization characteristics of laser are varied. In particular, by keeping the c-axes of two Nd:Gd VO4 crystals orthogonal to each other and adjusting two diode pump lasers to operate at the same power level, the completely unpolarized light is obtained. 展开更多
关键词 oscillator resonant optoelectronic modulator longitudinal branch adding microwave demonstration constructs
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