晶体管高频功率放大器电路在电视技术中的应用

晶体管高频功率放大器电路主要是指直流馈电电路、基极偏置电路及输入、输出匹配电路等。正确地组成这些外部电路,能保证所需工作状态(甲类、乙类、甲乙类、丙类)的实现。分析了晶体管高频功率放大器中的直流馈电电路、基极偏置电路、输入输出匹配电路的问题,根据输入、输出匹配电路在实际工作中存在的问题,阐述了晶体管本身的输入、输出电抗参数对匹配电路的影响及消除方法,提出了频响的补偿措施。

晶体管高频功率放大器和晶体管微带功率放大器研究

在电视发射中,晶体管高频功率放大器结构由高频大功率晶体管、直流馈电、输入输出匹配电路、散热和屏蔽装置组成。晶体管微带功率放大器的工作状态选择、电路组态、静态工作点和负载线的确定等,与VHF频段的晶体管高频功率放大器基本相同。研究了二者在电视发射技术中的构成及应用。

晶体管高频线性功率放大器调试方法探讨

本文探讨了晶体管高频线性功率放大器频响和匹配及最佳工作点和最佳线性输出功率的调试步骤，介绍了防止高频晶体管发生异常振荡而造成损坏的方法。

5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器

采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。

基于MOS晶体管的低频功率放大器设计与实现

功率放大器是"电子技术"课程中一个重要内容。本文结合第九届全国大学生电子设计竞赛,介绍了一种由分立的大功率MOS晶体管实现的低频宽带功率放大器系统设计。该系统由阻抗匹配电路、前置放大电路、低通滤波电路、带阻滤波电路和功率放大电路组成。测试结果表明设计满足指标要求。

高频功率放大器大功率晶体管故障简易判断及调试

全固态调频发射机高频功率放大器主要用来放大由调频激励器送出的射频已调波信号。目前,各个厂家大功率晶体管多采用MOSFET,尤其是飞利浦公司生产的BLF177和BLF278被广泛应用于功率放大模块中。

用于太阳射电快速记录系统中的微带功率晶体管放大器的研制

本文介绍了云南天文台微带功率晶体管放大器在太阳射电快速记录系统中的设计原理和技术性能，并给出了放大器的线路图和最初的测量结果。

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。

基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器

介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管;在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明,在5 V偏置电压下,该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统,邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。

浅析专业用大功率晶体管功率放大器的使用可靠性及其一种试验方法

专业用功率放大器即用于扩声工程及电影电视节目制作监听用的功放,由于使用扩声系统的会场或影剧院在开会或演出时绝不允许功放出现故障而造成停顿事故,所以除要求它们具有很高的电性能指标外,还必须具有特别高的使用可靠性。功放在使用中产生损坏事故的主要原因一般是负载过重或短路,信号突然增强或过冲以及电源电压突然升高而超出其承受范围。针对以上原因。

高频功率放大器最佳导通角的理论定义与控制

介绍了高频电子线路中谐振功率放大器的最佳导通角的定义,并通过严格的理论分析,给出了其求解方程,然后利用方程近似解法,通过计算机编程求出了最佳导通角的具体解,并分析了他在具体设计中的应用。

高频功率放大器调制特性分析

高频功率放大器是通信系统发送设备的重要组成部分,在此利用Multisim仿真软件对高频功率放大器的调制特性进行了分析。结果表明基极调制比集电极调制所需的调制功率更小,与理论分析一致;与传统实验相比,仿真分析结果形象直观,容易理解,仿真实验更能激发学生的积极性和主动性。

基于Multisim14的窄带高频功率放大器仿真研究

采用Multisim14仿真软件对窄带高频功率放大器进行设计与仿真,讨论了其外部参数对电路的工作状态的影响,设计了馈电电路和滤波匹配网络。仿真结果表明:发射极串接50Ω小电阻可以很好的改善集电极脉冲电流顶部凹陷形状。通过网络分析仪设计的匹配网络能够很好的实现匹配,最终设计的窄带高频功率放大器输出功率高达1W,功率增益达到24d B。

高频宽增益小信号放大器的设计及在医用超声功率计中的应用

介绍供医用超声功率计用的两种高频、宽增益的小信号放大器,并比较了它们彼此的优缺点。

电子管高频功率放大器的新算法

介绍了卡茨曼给出的计算电子管功放级的一种新算法,指出卡氏法的局限性,提出有用的改进意见,建立了利用通用曲线进行计算的方法。按此方法可对欠压、临界、弱过压状态的电子管功率放大器进行计算,精度与图解法(十三点法)相近。新法物理意义明确,计算简便,适于现场使用。

基于Multisim的高频功率放大器特性分析

采用Multisim仿真软件对高频功率放大器原理和特性进行仿真分析,实现了对高频功放电路的几种外部特性的分析以及仿真测试,结果表明,仿真数据与理论数据一致,并且能显示出一些无法用电子仪器设备显示的波形和曲线,使结果更直观,更易于理解。

关于用微波晶体管功率放大器取代行波管的实践

本文阐述了模拟微波功率放大器——行波管功率放大器存在的种种弊端,介绍了用微波晶体管功率放大器取代行波管的具体电路,及该局14台设备改造后的技术效果和经济效益。

改进偏置电路提高音质的单声道60W晶体管功率放大器

本文介绍一款通过仿真对各种偏置电路的传输特性做了认真分析比较后设计的单声道60W功率放大器,使放大器的传输特性有所改善,音质进一步提高.整个放大器由对称的两级电压放大器和两管作达林顿连接的SEPP电路构成.电压放大级和功率放大器均采用独立的稳压电源单独供电,并设置有电源关闭型扬声器保护电路、输出级晶体管过流防止电路等保护电路.在8Ω扬声器上可输出60W,其音色非常自然.

250WD类晶体管功率放大器

本文以实用电路为例,介绍了中等功率D类晶体管功率放大器的设计、电路特点及调试方法。