A1/Ge双层膜退火过程中多中心晶化生长的模拟

对 a-Ge/Al 双层膜在退火过程中出现的分形晶化现象进行了模拟研究。结果显示,各团簇的生长呈现出各向异性。分形晶化是随机相继触发形核的结果。这种多中心分形晶化图形显示出多重分形特征,用盒计数法得到了模拟图形的多重分形谱。

水热法合成单斜晶相BiVO4及其可见光催化活性研究

以Bi（NO3）3·5H2O和V2O5作为铋源和钒源，水热合成法成功合成出枝晶状m—BiVO4，采用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶变换红外光谱（FT—IR）和紫外一可见光谱（UV—Vis）等方法对样品进行了详细的理化性能表征，结果证明，合成的光催化剂是结晶良好的枝晶状m-BiVO4：m—BiVO4中心微米棒边缘光滑，粗细均匀，平均直径为500nm，长度范围为6—10μm；两侧分枝长度范围在5—8μm，平均直径为400nm。试验选用刚果红作为目标降解有机染料，研究m—BiVO4对其光降解活性，120min内刚果红的光降解率达到了90％。

a—Ge/Au双层膜中单分形团族的Monte—Carlo模拟

本文用 Monte-Carlo 方法模拟了 a—Ge/Au 双层膜中单中心分形生长过程。模拟图形与实验结果一致说明实际的晶化生长是由随机逐次成核过程决定的。多重分形谱能定量地表征单生长中心晶化图形。

高度b轴取向Ge-ZSM-5分子筛膜的制备

在α-Al2O3载体上,以原位晶化-二次生长法合成了高度b轴取向的Ge-ZSM-5分子筛膜,采用X射线衍射、扫描电镜以及极图分析对所制备的Ge-ZSM-5分子筛膜进行表征。结果表明,在Ge-ZSM-5分子筛膜中,b轴取向晶体可达94%。