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单分散钛酸钡纳米晶的制备 被引量:8
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作者 崔斌 王训 李亚栋 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-5,共5页
采用溶剂热法制备出表面包裹油酸的单分散立方相钛酸钡纳米晶,晶粒平均尺寸为6.0 nm,采用TEM和XRD对其微结构进行了表征;研究了醇的链长度、油酸用量和热处理温度等对钛酸钡的相组成和形貌的影响规律.研究结果表明,产物粒径较小,粒度分... 采用溶剂热法制备出表面包裹油酸的单分散立方相钛酸钡纳米晶,晶粒平均尺寸为6.0 nm,采用TEM和XRD对其微结构进行了表征;研究了醇的链长度、油酸用量和热处理温度等对钛酸钡的相组成和形貌的影响规律.研究结果表明,产物粒径较小,粒度分布较窄,单分散性较好,其表面为非极性,可溶于非极性试剂;由于纳米晶表面由亲油性的长链烷基所覆盖,与周围的水性环境不相容,产生一定的斥力;在重力和该斥力的共同作用下,纳米晶可以有效地从液相环境中分离出来. 展开更多
关键词 钛酸钡 分散纳米 控制合成
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单层晶金属极薄带的制备及其尺寸效应 被引量:7
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作者 宋孟 刘相华 +1 位作者 孙祥坤 刘立忠 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第S1期5-11,共7页
对低碳钢极薄带进行热处理后发现,在成品厚度为25μm以下时,其厚度方向只有一层晶粒。这种单层晶的晶界面积在晶粒总表面积中的占比很小,导致其组织性能与常规材料不同。为了研究单层晶极薄带的尺寸效应,进行单轴拉伸实验。结果表明,对... 对低碳钢极薄带进行热处理后发现,在成品厚度为25μm以下时,其厚度方向只有一层晶粒。这种单层晶的晶界面积在晶粒总表面积中的占比很小,导致其组织性能与常规材料不同。为了研究单层晶极薄带的尺寸效应,进行单轴拉伸实验。结果表明,对于厚度方向只有少数晶粒的极薄带而言,抗拉强度和伸长率均随厚度/晶粒尺寸(T/D)比值的减小而降低。分析主要原因是晶粒自由表面比例大,位错容易从晶界表面逃逸,导致产生上述尺寸效应。 展开更多
关键词 低碳钢极薄带 极薄带 尺寸效应
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块体单准晶材料制备的进展及展望
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作者 刘新宝 宋广生 +1 位作者 张振忠 杨根仓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期14-16,20,共4页
概述了近年来单准晶制备技术方面的发展状况;介绍了籽晶提拉法、尖端形核法、浮区法、自熔体法、深过冷快速凝固法等技术原理和控制参数;指出了制备大尺寸单准晶的可能途径。
关键词 制备 块状材料 定向凝固法
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轧制单层晶铜箔滑移启动和应变局部化的晶体塑性模拟 被引量:7
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作者 陈守东 卢日环 +2 位作者 陈子潘 孙建 李杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期4170-4176,共7页
在晶粒尺度采用晶体塑性有限元模拟极薄带材轧制成形过程,对优化和改进材料模型以及探究极薄带材塑性变形机制具有重要作用。箔材轧制成形性能主要依赖材料的微观结构(晶界、滑移系、取向)。采用退火态的单层晶铜箔为原料,进行箔轧实验... 在晶粒尺度采用晶体塑性有限元模拟极薄带材轧制成形过程,对优化和改进材料模型以及探究极薄带材塑性变形机制具有重要作用。箔材轧制成形性能主要依赖材料的微观结构(晶界、滑移系、取向)。采用退火态的单层晶铜箔为原料,进行箔轧实验和晶体塑性有限元模拟。建立反映晶粒形貌、晶界和取向各向异性的单层晶铜箔晶体塑性有限元模型,分析极薄带轧制成形中单/多滑移系启动状态和应变局部化现象。为准确构建晶体塑性有限元模拟的初始晶粒结构,消除微观组织亚表面的影响,采用垂直晶界即在厚度方向上建立只有一层晶粒的铜箔晶粒模型。结果表明:晶粒各向异性影响单层晶铜箔的轧制变形机制;晶界处的变形和滑移系运动状态完全不同于晶粒其他位置;单层晶轧制变形的滑移状态表现出明显的各向异性,出现局部滑移带和应变局部化,随轧制变形量的增大,滑移差异显著增大;晶界两侧局部区域存在滑移和变形的显著差异,这为亚晶和微观裂纹源的形核提供了有利的位置。 展开更多
关键词 极薄带轧制 体塑性 应变分布 局部滑移
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轧制单层和少层晶铜箔塑性各向异性的晶体塑性有限元模拟 被引量:8
5
作者 陈守东 卢日环 +1 位作者 孙建 李杰 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期353-364,共12页
采用具有拉拔-压缩-剪切复合成形功能的微型异步轧机,对厚度方向具有单层和少层晶结构的铜极薄带开展箔轧实验。基于晶体塑性有限元理论,模拟分析复合轧制单层和少层晶铜极薄带的塑性各向异性行为。将单层和少层晶铜极薄带的初始织构和... 采用具有拉拔-压缩-剪切复合成形功能的微型异步轧机,对厚度方向具有单层和少层晶结构的铜极薄带开展箔轧实验。基于晶体塑性有限元理论,模拟分析复合轧制单层和少层晶铜极薄带的塑性各向异性行为。将单层和少层晶铜极薄带的初始织构和晶粒形貌输入晶体塑性有限元模型,分析极薄带轧制成形中晶粒层次的滑移启动、定量应变演化以及变形局部化现象。同时,模拟分析单/多滑移系启动、滑移局部化以及与微观组织相关的变形演化。结果表明:轧制单层晶铜极薄带的滑移区域和局部化趋势主要依赖于晶粒形貌结构,晶体塑性有限元模型准确获得滑移启动及其滑移区域的演化。轧制少层晶铜极薄带的滑移和塑性变形具有明显的各向异性,且随晶粒层数的减少而增强。同一晶粒内部和相邻晶粒的晶界局部区域存在显著的滑移与变形差异,这为裂纹的萌生和缺陷的形成提供了有利的位置。 展开更多
关键词 少层 极薄带轧制 体塑性 各向异性
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基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析 被引量:2
6
作者 邓勇 宣晓峰 +1 位作者 许高斌 杨明武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期15-18,共4页
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单... 利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。 展开更多
关键词 层多EEPROM TCAD软件 等效模型 器件模拟
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单层多晶的EEPROM 被引量:3
7
作者 任涛 刘志弘 朱钧 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期552-556,共5页
针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处 ,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP ROM ,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM (singlepolyEEPROM ) ,展示了singlepolyEEPROM的应用前景 ,同时提出了singlepolyEEPROM所面临... 针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处 ,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP ROM ,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM (singlepolyEEPROM ) ,展示了singlepolyEEPROM的应用前景 ,同时提出了singlepolyEEPROM所面临的问题 。 展开更多
关键词 EEPROM 层多 CMOS工艺 三阱工艺 存储器 结构
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压下率对轧制单层晶极薄带晶界滑移特性的影响 被引量:2
8
作者 陈守东 卢日环 +2 位作者 孙建 李杰 张可 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期88-96,共9页
采用退火态单层晶轧制铜箔为原料,进行不同压下率的箔轧.以多晶体位错滑移及塑性流动机制为基础,建立了考虑潜在硬化和晶格转动效应的率相关晶体滑移本构模型,分析了压下率对轧制单层晶极薄带晶界附近区域变形分布特性、取向演化和滑移... 采用退火态单层晶轧制铜箔为原料,进行不同压下率的箔轧.以多晶体位错滑移及塑性流动机制为基础,建立了考虑潜在硬化和晶格转动效应的率相关晶体滑移本构模型,分析了压下率对轧制单层晶极薄带晶界附近区域变形分布特性、取向演化和滑移系激活规律的影响,并探讨其机理.确定了合理的材料本构参数,铜箔拉伸实验与晶体塑性有限元模拟得到的应力-应变曲线一致.所建立的晶体塑性有限元模型,可很好的模拟最大压下率达到80%时轧制单层晶铜箔的变形过程.结果表明:1)由于晶粒形状、晶界及晶粒取向的作用导致晶内-晶间变形分布非均匀性;2)由于晶粒间复杂的相互作用导致晶粒取向主要绕横向(TD)进行旋转,且旋转角度和取向分散度随压下率的增加而增大;3)在晶内-晶间不同区域的滑移系启动存在显著差异,启动滑移系随压下率的增加而增多,当压下率小于等于60%时,在晶粒表层和晶界处,滑移系成对发生启动,当压下率达到80%时,表层和晶界处为多滑移系启动情形;4)滑移最先从晶粒表层和晶界处开始,然后向晶粒内部延伸. 展开更多
关键词 极薄带轧制 体塑性 滑移系 轧制压下率
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单分散硫化铜纳米晶的生长及调控 被引量:7
9
作者 张懿强 张辉 +2 位作者 于敬学 杨德仁 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期208-212,共5页
以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定... 以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定条件下硫化铜纳米晶还可以自组装为蛇状纳米结构和玉米棒状纳米结构。最后利用X射线衍射仪、透射电镜和高分辨透射电镜对硫化铜纳米晶的结构和形貌进行了表征。 展开更多
关键词 高温化学反应 分散硫化铜纳米 表面活性剂
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单纳米晶和系综水平上的钙钛矿纳晶和频振动光谱
10
作者 朱仁龙 裴权炳 +2 位作者 谈军军 郑晓萱 叶树集 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期738-746,I0001-I0003,I0011,共13页
在单纳米晶和系综水平上探测有机-无机杂化钙钛矿纳米晶的分子结构对于理解其与尺寸相关的光电特性以及纳米晶体组装机制至关重要,但目前实现该探测依然存在很大的挑战性.本文首次证明飞秒和频振动光谱可以提供一种高灵敏的探测工具用... 在单纳米晶和系综水平上探测有机-无机杂化钙钛矿纳米晶的分子结构对于理解其与尺寸相关的光电特性以及纳米晶体组装机制至关重要,但目前实现该探测依然存在很大的挑战性.本文首次证明飞秒和频振动光谱可以提供一种高灵敏的探测工具用于探测单纳米晶上与玻尔直径(约10 nm)相当的纳米晶分子结构.利用(R-MBA)PbBr_(3)和(R-MBA)_(2)PbI纳米晶(MBA:甲基苄胺)中苯基的光谱特征来监测和频信号,发现在系综水平上,和频谱图在3067(±3)cm(v模)处有一个很强的共振峰,在3045(±4)cm^(−1)(v模)处有一个弱的肩膀峰;而在单纳米晶水平上,主要由v模和在3025(±3)cm^(-1)处的v模组成.单纳米晶水平的纳米晶颗粒倾向于平躺在表面.而随系综数目和平均尺寸的增加,纳米晶逐渐竖立起来.这一发现可能为依赖于纳米晶尺寸的光物理性质和光致发光闪烁动力学的结构起源提供有价值的信息. 展开更多
关键词 钙钛矿 纳米 和频振动光谱 尺寸依赖的性质
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钯三角双锥单孪晶的合成
11
作者 孙长勇 林亮标 解晓伟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期2149-2155,共7页
采用液相还原法,以Na_2PdCl_4为钯源,PVP为还原剂和分散剂,碘离子作为晶面选择吸附剂和配位剂,硝酸根离子作为氧化蚀刻剂,水为溶剂,在n(Na_2PdCl_4)∶n(PVP)∶n(KI)∶n(NaNO_3)=1∶35∶10∶9和pH=11条件下,合成了形貌规整的纯度大于99%... 采用液相还原法,以Na_2PdCl_4为钯源,PVP为还原剂和分散剂,碘离子作为晶面选择吸附剂和配位剂,硝酸根离子作为氧化蚀刻剂,水为溶剂,在n(Na_2PdCl_4)∶n(PVP)∶n(KI)∶n(NaNO_3)=1∶35∶10∶9和pH=11条件下,合成了形貌规整的纯度大于99%的钯三角双锥单孪晶.碘离子在合成体系中主要通过改变钯前驱体还原速率来影响钯晶种的生长转化和产物的形貌,对氧化蚀刻作用的影响在较高pH值下并不明显.钾离子和钠离子比例的变化显著影响了产物的形貌组成,此阳离子效应可归因于反应体系在钠离子存在时较钾离子存在时表现出更快的钯前驱体还原速率. 展开更多
关键词 三角双锥 氧化蚀刻 还原速率 阳离子效应
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单反馈晶振电路中的噪声对短稳影响的定量分析
12
作者 陈化松 程天军 《电信技术研究》 1995年第2期1-10,共10页
本文以Lesson提出的噪声模型为依据,系统地阐述了单反馈晶振的噪声特性。在此基础上,以128MHz晶振为例,详细地定量分析了噪声对短稳的影响,提出了低噪声晶体振荡噪设计的几点意见。
关键词 反馈振电路 噪声 军用雷达 短稳 定量分析
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压电陶瓷圆片单面研磨抛光工艺 被引量:1
13
作者 鄢秋娟 罗夏林 +6 位作者 米佳 李洪平 谭桂娟 刘善群 唐运红 于新晓 张静雯 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期585-588,共4页
介绍了一种在行星式双面磨抛设备上对压电陶瓷圆片进行单面研磨和抛光的工艺。在加工过程中,使用了自制的全水溶性粘接剂来粘接晶片,实现了圆片单面所有磨抛加工流程都在双面磨抛设备上进行。采用自制化学腐蚀液分段腐蚀控制圆片形貌(... 介绍了一种在行星式双面磨抛设备上对压电陶瓷圆片进行单面研磨和抛光的工艺。在加工过程中,使用了自制的全水溶性粘接剂来粘接晶片,实现了圆片单面所有磨抛加工流程都在双面磨抛设备上进行。采用自制化学腐蚀液分段腐蚀控制圆片形貌(翘曲度)的变化,中间研磨工序优化介质控制表面粗糙度和划道、SiO2胶体化学机械抛光去除亚损伤层,获得了高品质的铝钛酸铝压电陶瓷(PZT)单面抛光圆片。 展开更多
关键词 双面研磨 双面抛光 化学腐蚀 水溶粘接剂
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Experimental and numerical investigations on acoustic damping of monoclinic crystalline wideband sound absorbing structures
14
作者 XIE Su-chao HE Lei +3 位作者 YAN Hong-yu ZHANG Feng-yi HE Guan-di WANG Jia-cheng 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期1931-1944,共14页
In order to overcome the limitations of traditional microperforated plate with narrow sound absorption bandwidth and a single structure,two multi-cavity composite sound-absorbing materials were designed based on the s... In order to overcome the limitations of traditional microperforated plate with narrow sound absorption bandwidth and a single structure,two multi-cavity composite sound-absorbing materials were designed based on the shape of monoclinic crystals:uniaxial oblique structure(UOS)and biaxial oblique structure(BOS).Through finite element simulation and experimental research,the theoretical models of UOS and BOS were verified,and their sound absorption mechanisms were revealed.At the same time,the influence of multi-cavity composites on sound absorption performance was analyzed based on the theoretical model,and the influence of structural parameters on sound absorption performance was discussed.The research results show that,in the range of 100-2000 Hz,UOS has three sound absorption peaks and BOS has five sound absorption peaks.The frequency range of the half-absorption bandwidth(α>0.5)of UOS and BOS increases by 242% and 229%,respectively.Compared with traditional microperforated sound-absorbing structures,the series and parallel hybrid methods significantly increase the sound-absorbing bandwidth of the sound-absorbing structure.This research has guiding significance for noise control and has broad application prospects in the fields of transportation,construction,and mechanical design. 展开更多
关键词 monoclinic crystal microperforated plate acoustic metamaterials inclined cavity sound absorption
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晶体概念新释
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作者 张家春 白书欣 +1 位作者 张虹 谭春林 《理化检验(物理分册)》 CAS 2004年第3期156-158,共3页
提出了晶体的新概念,修改了晶体中原子排列周期性的传统提法。按照晶体结构中原子是否有周期性重复排列将晶体分成了单胞晶和双胞晶两大类。
关键词 体概念 固体结构 周期性排列 双胞 体结构学说
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一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元
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作者 张关保 刘文平 唐威 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第11期105-108,共4页
为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对... 为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对器件的分析及仿真,验证了该结构在模拟电路应用中的有效性. 展开更多
关键词 层多EEPROM 浮栅 FN隧道 附加栅
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单分散纳米晶的合成、组装及其介孔材料的制备 被引量:7
17
作者 王定胜 彭卿 李亚栋 《中国科学(G辑)》 CSCD 2008年第11期1434-1454,共21页
单分散纳米晶因其均一的尺寸而表现出尺寸效应、表面效应等不同于体相材料的优异性能,同时也是组装具有功能特性纳米结构材料的理想构建基元.因此,合成单分散纳米晶具有十分重要的意义.自从1993年Bawendi研究组成功制备CdS/CdSe单分散... 单分散纳米晶因其均一的尺寸而表现出尺寸效应、表面效应等不同于体相材料的优异性能,同时也是组装具有功能特性纳米结构材料的理想构建基元.因此,合成单分散纳米晶具有十分重要的意义.自从1993年Bawendi研究组成功制备CdS/CdSe单分散半导体量子点以来,单分散纳米晶的合成已取得一系列重要进展.目前,对于各类单分散纳米晶已基本都能通过一定的制备方法得到.然而,为实现单分散纳米晶的规模化工业生产,更为简易、经济、快速、宏量的制备方法仍有待进一步发展.另一方面,单分散纳米晶的组装是构建具有复合功能超结构体的基础,是连接微观粒子和宏观器件的桥梁.十几年来,各研究组共同发展了多种组装方法.然而,通过简便易行的途径实现单分散纳米晶大规模、规则、可控组装仍然存在着巨大的挑战.该文综述了单分散纳米晶的合成、组装及其介孔材料制备的前沿进展. 展开更多
关键词 纳米材料 分散纳米 组装 介孔材料
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单分散CdS纳米晶/PNIPAM复合水凝胶的制备及其温敏荧光特性 被引量:2
18
作者 宋秋生 朱小飞 杨洋 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第4期440-445,共6页
采用液体-固体-溶液法(LSS)制备单分散CdS纳米晶;通过自由基聚合制备单分散CdS纳米晶/聚N-异丙基丙烯酰胺(CdS/PNIPAM)复合温敏水凝胶.采用HRTEM、XRD、FTIR、DSC、PL等对CdS纳米晶、CdS/PNIPAM温敏复合凝胶的微观结构与性能进行了表征... 采用液体-固体-溶液法(LSS)制备单分散CdS纳米晶;通过自由基聚合制备单分散CdS纳米晶/聚N-异丙基丙烯酰胺(CdS/PNIPAM)复合温敏水凝胶.采用HRTEM、XRD、FTIR、DSC、PL等对CdS纳米晶、CdS/PNIPAM温敏复合凝胶的微观结构与性能进行了表征,变温荧光光谱研究了温度对凝胶荧光性能的影响.结果表明,CdS纳米晶粒径约为2.8 nm,单分散性良好;复合凝胶的荧光发射强度与环境温度存在一定的关联性,且呈可逆性. 展开更多
关键词 CdS 分散纳米 复合凝胶 温敏 光致发光
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铌酸锂切磨抛工艺探讨 被引量:3
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作者 姚瑞明 《江苏冶金》 1991年第4期48-51,共4页
前言铌酸锂单晶作为一种铁电材料,在声表面波技术上的应用近年来有了很大的发展,用它制作的声表面波滤波器大大改善了彩电、录像机和高传真音响设备的可靠性和稳定性。由于铌酸锂脆性大、传热系数小,硬度又不很高。因而造成了加工工艺... 前言铌酸锂单晶作为一种铁电材料,在声表面波技术上的应用近年来有了很大的发展,用它制作的声表面波滤波器大大改善了彩电、录像机和高传真音响设备的可靠性和稳定性。由于铌酸锂脆性大、传热系数小,硬度又不很高。因而造成了加工工艺上的很大困难,不易得到优质的抛光片。本工艺研究着重探讨了铌酸锂晶片的切割、研磨、 展开更多
关键词 铌酸锂 晶单 切割 研磨 抛光
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极薄带异步轧制滑移带演化的晶体塑性有限元分析
20
作者 陈守东 卢日环 《材料科学与工艺》 CAS 2024年第4期85-94,共10页
以单层晶极薄带轧制为研究对象,采用多尺度晶体塑性有限元方法模拟其在拉-压-剪复合应力状态下的宏观剪切带和微观滑移带演化,优化极薄带材轧制工艺。在微观层次上,每个晶粒被离散成若干个有限元单元,且每个积分点采用单晶体本构模型。... 以单层晶极薄带轧制为研究对象,采用多尺度晶体塑性有限元方法模拟其在拉-压-剪复合应力状态下的宏观剪切带和微观滑移带演化,优化极薄带材轧制工艺。在微观层次上,每个晶粒被离散成若干个有限元单元,且每个积分点采用单晶体本构模型。宏-微观层次模拟的共同特征是滑移带演化高度的各向异性和局部化,微观层次的模拟更加明显。结果表明:新剪切带随轧制区施加额外剪切变形而形成,在拉-压-剪复合应力下,强剪切造成已缩窄的主次剪切带随轧制压下的增大而又扩展。单系滑移带在各变形晶粒内的演化差异很大,存在主次滑移,随压-剪复合应力状态的增强而形成亚滑移带。在拉-压-剪复合应力下,单滑移扩展和叠加形成贯穿晶界的累积滑移带,晶界起到很好的滑移承载和传递作用。 展开更多
关键词 极薄带异步轧制 铜箔 滑移带 体塑性 有限元
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