硅晶圆的晶向偏离度测定方法探索

本文介绍了晶向偏离度的测定方法,阐述了三种不同要求下晶向偏离度的测定方法,并描述了一些可能导致晶向偏离度计算错误或者晶向偏离不一致的情况。

锗单晶片边缘损伤影响因素分析

新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切。从单晶质量控制、滚圆及参考面制作出发,对锗片边缘质量的影响因素进行了分析,并提出相应的解决措施,提升了超薄锗片的边缘完整性。