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晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响
被引量:
2
1
作者
刘忠永
蔡理
+3 位作者
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第4期234-238,256,共6页
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350...
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350V和255V,SEB发生时的临界击穿电场强度分别为2.4×10~6 V/cm和1.8×10~6 V/cm。在V_d=30V、V_g=-13.9 V的偏置条件下,两种晶圆器件的氧化层最大瞬态电场均为5.6×10~6 V/cm。结果表明晶圆各向异性导致(0001)晶圆器件的抗SEB能力更强,而对单粒子栅穿效应(SEGR)没有影响。
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关键词
4H-SIC
晶圆各向异性
单粒子烧毁
单粒子栅穿
下载PDF
职称材料
题名
晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响
被引量:
2
1
作者
刘忠永
蔡理
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
机构
空军工程大学理学院
空军第一航空学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第4期234-238,256,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11405270)
文摘
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350V和255V,SEB发生时的临界击穿电场强度分别为2.4×10~6 V/cm和1.8×10~6 V/cm。在V_d=30V、V_g=-13.9 V的偏置条件下,两种晶圆器件的氧化层最大瞬态电场均为5.6×10~6 V/cm。结果表明晶圆各向异性导致(0001)晶圆器件的抗SEB能力更强,而对单粒子栅穿效应(SEGR)没有影响。
关键词
4H-SIC
晶圆各向异性
单粒子烧毁
单粒子栅穿
Keywords
4H-SiC
wafer anisotropy
single event burnout (SEB)
single event gate rupture (SEGR)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响
刘忠永
蔡理
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
2
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职称材料
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