超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展

随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显;而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和黏附、结构损伤、废气处理等一系列问题。超临界清洗和刻蚀技术是最具有前景的环境友好、无损伤技术,能够耦合刻蚀、清洗与干燥工艺为一体,且可以循环使用,安全环保,是晶圆制造过程中常规清洗和刻蚀的首选替代技术。综述了超临界二氧化碳中晶圆清洗与选择性刻蚀的研究进展,重点介绍了超临界二氧化碳共溶剂、微乳液体系在光刻胶剥离以及含硅基底选择性蚀刻中的应用,展望了超临界二氧化碳晶圆清洗和刻蚀存在的问题和发展趋势。

晶圆清洗技术应用

介绍在半导体IC制成中晶圆清洗的重要性,随着集成电路的发展,对硅片的表面的洁净度要求越来越高,对比以往的湿法化学清洗存在的污染物质不易处理的问题,提出利用先进旋转喷淋技术,同时采用气液混合的清洗方式对硅片表面进行清洗,清洗后采用惰性气体直接干燥。旋转喷淋清洗方式避免其他清洗方式的不足,提高了硅片的清洗效率。

晶圆清洗机无刷电机齿槽转矩的仿真分析

齿槽转矩对无刷电机低速性能产生重要影响.采用计算机仿真方法研究晶圆清洗机无刷电机的齿槽转矩问题,包括极槽配合、磁极以及定子斜槽/转子斜极对无刷电机齿槽转矩的影响,在此基础上提出晶圆清洗机无刷电机的优化设计方案.

晶圆清洗过程中静电电压超标原因与改进

分析划片后的晶圆在清洗过程中静电电压严重超标的原因,提出4种改进方案,采用16种晶圆进行了验证。结果表明:清洗过程中关闭清洗机剥离胶膜用反冲气,操作人员佩戴防静电腕带,在取出晶圆过程中采用手持式可移动离子风枪对晶圆进行风淋,可解决长期存在的晶圆划片后清洗过程中表面静电电压严重超标的问题。

干式晶圆清洗技术 摆脱无“水”可炊的梦魇

中国台湾半导体产业在度过艰苦的寒冬后,喜见订单不断涌入,正欢欣于景气的复苏时,却又遭逢缺水的梦魇,据台湾《经济日报》报道,台湾新竹科学园区因水荒,半导体厂每月在运水方面须花费百余万,连外国客户都叹为世界奇景。

含氮碱基缓蚀剂在铜研磨抛光后清洗液中的应用

阐述对比不同缓蚀剂配方对铜dummy片表面腐蚀抑制的影响,并辅助不同温度、时间、浓度下的不同缓蚀剂腐蚀速率,提出含有含氮碱基缓蚀剂配方的优势。对比不同缓释剂配方的清洗效果、表面粗糙度、对PVA清洗刷表面划伤的影响,进一步验证含有含氮碱基缓蚀剂配方的PCMP样品,在碱性条件下表现最佳。可将晶圆表面铜层清洗干净,且对铜表面腐蚀起到有效抑制作用,降低表面粗糙度,延长Q-Time时间。分析PCMP处理后的晶圆表面SP2和XPS表征,验证Cu_(2)O可以有效延长Q-time时间。

用单片清洗设备进行晶圆背面清洗(英文)

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。

RCA清洗机工艺探讨

随着半导体技术进步,半导体芯片工艺线宽在不断缩小,因此芯片制造过程中的颗粒控制越来越严格。在制造过程中,如受到颗粒的污染,会造成芯片电路短路,导致芯片失效,因此严格控制污染物的引入和半导体晶圆的清洁是半导体工艺过程的重中之重。

超声波清洗液控制系统研究

介绍了一种超声波清洗液系统的控制原理与方法。该控制系统一般用于晶圆清洗设备,通过软件方法实现对各种功能的控制,保障了晶圆在超声波清洗过程中的清洁效果,同时也提升了设备的安全和稳定性。

全自动RCA清洗机工艺探讨

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术及RCA清洗技术的进步和优化,对半导体圆片的湿法清洗工艺步骤优化进行了分析.

快排清洗槽中节水阀的应用分析

在晶圆的清洗洁净过程中,利用快速排水清洗槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快速清洗槽的去离子水中,再快速排除清洗槽中的去离子水,用于达到清洗晶圆的目的。现有的清洗设备中,当完成对晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。本文针对这一问题,提出了一种适用于该类工艺流程的节水阀。

基于湿法清洗中快排槽节水性能的优化研究

现有的清洗设备中,当完成晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。针对这一问题,探讨了一种适用于该类工艺流程的节水设计方案。通过改进排放阀的结构,将废水排放与回收功能集成相结合,使得去离子水的利用率得到了提高,不仅节约了成本,并且避免了资源的浪费。

考虑工件释放时间和柔性维护的单机调度问题

针对晶圆制造过程中考虑清洗维护的生产调度联合优化问题,以最小化最大完工时间为求解目标,优化工件加工顺序及维护活动执行时间。证明了该问题为NP难的,建立了问题的整数规划模型并进行线性化。结合机器役龄约束下的成批调度问题特征,证明了解的性质,并设计ERD-LPT-BFLD启发式算法对问题进行求解。构建了考虑工件释放时间及清洁活动约束的下界算法。通过不同规模算例仿真实验,将所提启发式算法与CPLEX及下界算法求解结果进行比较,验证了所提算法的有效性。