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晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)
被引量:
1
1
作者
杨建生
《电子与封装》
2002年第2期30-33,共4页
本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。
关键词
芯片
规模
封装
晶圆
片
级
芯片
规模
封装
发展前景
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职称材料
电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
被引量:
1
2
作者
容志滔
黄雁
《电子产品可靠性与环境试验》
2023年第2期21-27,共7页
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用...
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
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关键词
电池保护电路
金属氧化物半导体场效应晶体管
晶圆级芯片规模封装
失效分析
失效定位
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职称材料
题名
晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)
被引量:
1
1
作者
杨建生
机构
甘肃天水永红器材厂技术中心
出处
《电子与封装》
2002年第2期30-33,共4页
文摘
本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。
关键词
芯片
规模
封装
晶圆
片
级
芯片
规模
封装
发展前景
Keywords
CSP
WLCSP
Prospects for applications
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
被引量:
1
2
作者
容志滔
黄雁
机构
工业和信息化部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2023年第2期21-27,共7页
文摘
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP)。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
关键词
电池保护电路
金属氧化物半导体场效应晶体管
晶圆级芯片规模封装
失效分析
失效定位
Keywords
battery protection circuit
MOSFET
WLCSP
failure analysis
failure isolation
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)
杨建生
《电子与封装》
2002
1
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职称材料
2
电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
容志滔
黄雁
《电子产品可靠性与环境试验》
2023
1
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职称材料
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