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ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
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作者 徐卫东 肖健 +1 位作者 何晶 袁夫通 《电子与封装》 2024年第1期51-55,共5页
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间... ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证,得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因。晶圆经900℃烘烤60 s就会形成背圈,这是外延过程中的正常现象,但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差,异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决。 展开更多
关键词 硅外延缺陷 晶圆背圈 ASM E2000外延炉
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