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ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
1
作者
徐卫东
肖健
+1 位作者
何晶
袁夫通
《电子与封装》
2024年第1期51-55,共5页
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间...
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证,得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因。晶圆经900℃烘烤60 s就会形成背圈,这是外延过程中的正常现象,但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差,异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决。
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关键词
硅外延缺陷
背
圈
晶圆背圈
ASM
E2000外延炉
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职称材料
题名
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
1
作者
徐卫东
肖健
何晶
袁夫通
机构
南京国盛电子有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第1期51-55,共5页
文摘
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证,得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因。晶圆经900℃烘烤60 s就会形成背圈,这是外延过程中的正常现象,但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差,异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决。
关键词
硅外延缺陷
背
圈
晶圆背圈
ASM
E2000外延炉
Keywords
silicon epitaxial defects
back-ring
wafer back-ring
ASM E2000 epitaxial furnace
分类号
TN304.0 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
徐卫东
肖健
何晶
袁夫通
《电子与封装》
2024
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