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晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析
被引量:
7
1
作者
李乐
祖静
徐鹏
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z3期2589-2590,共2页
芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性。为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。对实验现象进行理论分...
芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性。为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。对实验现象进行理论分析后得出:与应力波传播方向平行放置的芯片抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的芯片。
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关键词
高冲击
晶振芯片
抗过载能力
失效
下载PDF
职称材料
EXO3晶振与KSS晶振在高过载下的失效特性分析
被引量:
7
2
作者
李乐
祖静
徐鹏
《中国测试技术》
2007年第3期88-90,共3页
为了研究芯片抗高过载能力,本实验选取两种典型晶振芯片:EXO3、KSS,利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度,并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明:晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能;与...
为了研究芯片抗高过载能力,本实验选取两种典型晶振芯片:EXO3、KSS,利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度,并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明:晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能;与应力波传播方向平行放置的晶振抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的晶振。
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关键词
高冲击
晶振芯片
抗过载能力
失效
HOPKINSON杆
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职称材料
题名
晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析
被引量:
7
1
作者
李乐
祖静
徐鹏
机构
仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z3期2589-2590,共2页
文摘
芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性。为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。对实验现象进行理论分析后得出:与应力波传播方向平行放置的芯片抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的芯片。
关键词
高冲击
晶振芯片
抗过载能力
失效
Keywords
high-g shock crystal oscillator shock-resistibility failure
分类号
TH7-55 [机械工程—精密仪器及机械]
下载PDF
职称材料
题名
EXO3晶振与KSS晶振在高过载下的失效特性分析
被引量:
7
2
作者
李乐
祖静
徐鹏
机构
仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学
出处
《中国测试技术》
2007年第3期88-90,共3页
基金
山西省青年基金资助(20031001)
文摘
为了研究芯片抗高过载能力,本实验选取两种典型晶振芯片:EXO3、KSS,利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度,并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明:晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能;与应力波传播方向平行放置的晶振抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的晶振。
关键词
高冲击
晶振芯片
抗过载能力
失效
HOPKINSON杆
Keywords
High-g shock
Crystal oscillator
Shock-resistibility
Failure
Hopkinson bar
分类号
O212.6 [理学—概率论与数理统计]
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题名
作者
出处
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1
晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析
李乐
祖静
徐鹏
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
7
下载PDF
职称材料
2
EXO3晶振与KSS晶振在高过载下的失效特性分析
李乐
祖静
徐鹏
《中国测试技术》
2007
7
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职称材料
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