光控-晶控相结合的膜厚监控法对滤光片膜厚的研究

针对光电极值法和石英晶振法各自的弊端,结合两种方法提出了光控-晶控膜厚监控法.在相同工艺条件下,分别使用这三种方法监控905nm窄带滤光片（规整膜系）和830nm截止滤光片（非规整膜系）的膜厚,对制备的滤光片的透射率光谱曲线进行比较.结果表明,光控-晶控膜厚监控法除了各项指标都符合要求外,在曲线通带处获得的平均透过率值比光电极值法和石英晶振法获得的平均透过率值提高了3%～6%,且与理论光谱基本吻合,光谱特性最好.该方法不仅对规整和非规整膜系都能进行监控,且能有效降低膜厚误差,提高光谱特性.

TJ—90调速晶控钟

T—90调速晶控是比JK—79型晶控钟推功器及87型晶控推动钟更为完美的记录器动力源,它既保持了原晶控推动动力晶体稳速的特点又具备能在大范围内任意调速的功能,使得地震记录图纸时分号角度线能简便地满足台站记录规范的要求,它可以替代JK—79型及87型晶控钟,又可改进DD—1、DK—1及传输台网多笔记录器的动力源。

高温合金整体叶轮控晶铸造工艺研究

研究了高温合金整体叶轮控晶铸造工艺方法。结果表明,铸型搅动可使整体叶轮的轮盘晶粒度达到ASTM2～3级(0.18～0.125mm),叶片的晶粒形态和晶粒尺寸可在一定范围内自由控制。

K418B合金控晶铸造整体叶轮热等静压和热处理工艺研究

对K418B合金控晶铸造整体叶轮进行了热等静压和热处理工艺研究,获得了K418B合金控晶铸造整体叶轮的热等静压和真空热处理制度。控晶铸造整体叶轮经热等静压和热处理后,性能得到大幅度的改善。

MgO-Al_2O_3-SiO_2系玻璃受控晶化研究

根据微晶玻璃的基础组成 ,以菱镁矿渣和大同砂为主要原料 ,从晶格匹配、最低共熔点、成型等方面确定MgO Al2 O3 SiO2 系玻璃主成分和选择晶核剂·用差热分析、X射线衍射、扫描电镜和偏光显微镜观测等手段 ,优选晶核剂 ,研究了以TiO2 和Cr2 O3为晶核剂的微晶玻璃的晶化速率、晶相组成和微观结构 ,晶化结果表明 :添加合适晶核剂将形成中间相 ,通过中间相诱导析晶 ,主晶相为堇青石 ;复合晶核剂可提高晶化速率 。

Li_2O-Al_2O_3-SiO_2-P_2O_5系统微晶玻璃受控析晶分析

应用DTA,XRD,SEM等手段研究了Li2O-Al2O3-SiO2-P2O5系统微晶玻璃的析晶过程和相组成.采用模拟计算方法考察了不同的析晶条件.引入适量的Al2O3等难熔物组分来改变析晶条件及残留玻璃相的组成和粘度.通过抑制主晶相(Li2O·2SiO2)晶粒的生长,最终获得了晶粒尺寸为0.1～0.3μm的透明微晶玻璃.

基于PI调节的压控晶振驯服系统的设计与实现

设计并实现了一种基于自适应PI调节的GPS秒脉冲驯服高稳压控时钟晶振的方法.该设计以XILINX的SPARTAN3系列芯片为核心,以D/A转换器DAC7512为控制手段,通过外部的GPS秒脉冲信号实现了对高稳压控晶振OCXO MV180的驯服.

基于FPGA的压控晶振同步频率控制系统研究

晶振时钟信号存在长期稳定度差和累积误差的问题。给出了一种压控晶振同步频率控制系统的设计原理与方法。以FPGA为控制核心,通过秒脉冲高电平持续时间方法判断并消除干扰秒脉冲信号,用1个循环周期内累积偏差频率并计算平均偏差频率,以校准晶振输出信号频率。研究结果表明,该方案是可行的,利用2种方法消除了压控晶振受干扰和晶振存在累计误差等因素的影响,实现控制本地压控晶振输出频率,提高了晶振的长期稳定性,具有一定的实际应用意义。

压控晶体振荡器的设计

简要介绍了压控晶体振荡器的工作原理,说明了晶体谐振器与变容二极管在压控晶振中起的关键作用,以及如何根据实际情况选择合适的晶体谐振器和变容二极管以实现相应的压控频偏和压控线性。介绍了几种可以实现负斜率压控特性和改善压控对称性的压控电路。

液相化学还原法制备晶型可控纳米银的研究

通过液相化学还原法制备了形貌不同的纳米银分散液,分析了纳米银的平均粒度和紫外可见光吸收曲线,同时对分散液粒子的扫描形貌进行了观察。结果表明,随着Ag+浓度的增加,纳米银颗粒的平均粒度大致呈现逐渐增加的趋势,并且紫外可见光的最大吸收波长也呈现增大的趋势。纳米银颗粒最初呈现球形,有三角形的纳米银颗粒出现。随着B液提前加入时间的延长,纳米银颗粒尺寸不断增加,三角形纳米银颗粒的数量也随之增加。

改善高频宽压控晶振频率温度稳定性方法

高频宽压控晶体振荡器广泛应用于各种接收机和应答机中,工作温度范围通常为-40℃^+85℃。对于该类晶振,极易出现频率温度稳定性相对于其内部石英谐振器明显恶化的现象。对此,从理论上分析了引起恶化的原因,并提出通过合理控制振荡电路的压控范围和石英谐振器的激励功率,可以改善高频宽压控晶振的温频特性。最后,研制并测试了4只102.3MHz压控晶振,结果优于指标要求,充分验证了方法的有效性。

原位受控晶化法制备BiBO_3晶体的析晶动力学

采用熔融冷淬法制备了Bi_2O_3-B_2O_3(30 mol%≤Bi_2O_3≤60 mol%)二元系统玻璃。运用非等温DSC分析以及Satava和Ozawa-Chen方法研究了Bi_2O_3-B_2O_3玻璃的非等温析晶特性,并计算了玻璃的析晶动力学参数。结果表明,在50 mol%≤Bi_2O_3≤60 mol%范围内,玻璃晶化热处理后可析出针状BiBO_3晶体,是原位受控晶化法制备BiBO_3晶体的最佳组成范围。添加La_2O_3和Sm_2O_3,有助于抑制高聚合度的铋硼酸盐晶体的析出,促进BiBO_3晶体的形成;而添加Yb_2O_3的铋硼酸盐玻璃,晶化热处理后以颗粒状的Bi_6B_(10)O_(24)晶体为主,不利于BiBO_3晶体的析出。对稀土掺杂铋硼酸盐玻璃样品在460～540℃间热处理5 h,可获得表面析晶的透明玻璃样品。

锆钛酸铅在凝胶玻璃中的受控析晶行为

在凝胶玻璃中成功地原位生长出均匀精细的锆钛酸铅微晶。利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＤＴＡ技术发现了锆钛酸铅的结晶过程呈现出受晶核控制的整体析晶的特点。经分析认为四方ＺｒＯ＿２纳米微晶可能是体系的晶质原核。

GPS驯服压控恒温晶振的研究与实现

利用GPS提供的高稳定度的授时信号控制本地压控恒温晶振的频率。使用VHDL语言描述误差数字信号产生模块，并在CPLD芯片中实现。提高了本地压控恒温晶振的频率日稳定度和年稳定度，增强了压控恒温晶振的工作环境，克服了普通恒温振的频率漂移和机械恒温晶振机械调整的繁琐与不便。

分层溅射法制备晶向可控的Mg_(2)Si薄膜

采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg_(2)Si多晶薄膜。当Si膜的溅射时间均为25 min、Mg膜的溅射时间为18~22 min、退火温度为375℃时,随着膜厚增加,Mg_(2)Si薄膜的织构由(311)向(220)转变;退火温度为400℃时,薄膜的最强衍射峰均为Mg_(2)Si(220)。所有样品均在256 cm^(-1)附近出现了较强的拉曼散射特征峰,在347 cm^(-1)附近出现了较弱的拉曼散射特征峰,这两个峰分别属于Mg_(2)Si的F_(2g)和F_(1u)(LO)声子模。在石英衬底上,改变溅射条件和退火温度,可实现Mg_(2)Si薄膜的晶向可控制备。

α和γ晶型尼龙6的可控合成（英文）

报导了可控晶型尼龙6的制备与表征.DSC结果显示γ晶型在T_(m1)为210℃左右出现一个尖锐的熔融峰,同时在T_(m2)为219℃左右出现一个小肩峰.当温度高于70℃,反应时间大于8 h时可以制备稳定的α晶型,α晶型显示双熔融峰.FT-IR结果进一步表明所获得的样品为γ晶型、α晶型和混晶.SEM结果显示γ晶型表面是由孔径大小不一样的小孔组成,α晶型表面是由不同厚度的片晶堆积而成.

铷钟用快速预热压控恒温晶体振荡器的设计

为了满足小型铷钟对晶振短稳指标和开机特性的要求,从低噪声、快速预热的角度设计了一种用于小型铷原子钟的小型化压控恒温晶体振荡器。由Lesson模型出发,通过对振荡电路的噪声进行分析,提出了一些改善晶振短稳指标的措施;依据得出的设计原则讨论了关键元器件的选用,改进了电路及恒温槽的设计。通过A7-MAX测试,该晶振的秒稳定度达到了3.18×10-12/s;在室温(25℃)下开机,该晶振在3 min内便可进入±5×10-8的频率准确度。由此可见,该晶振适用于小型铷钟。

基于压控晶振的超远距离时间复现方法研究

以中国科学院国家授时中心保持的协调世界时(UTC(NTSC))为参考时间信号,采用压控晶振控制策略和卫星全视时间比对技术,在超远距离基线使用本地压控晶振复现出与UTC(NTSC)同步的高精度时间频率信号。零基线测试结果表明,以压控晶振为频率源实现的超远距离时间复现设备产生的时间信号与UTC(NTSC)偏差的标准差优于0.8 ns,最大时间间隔误差优于5.0 ns/1 d,其输出10 MHz频率信号的秒稳定度为1.25×10^(-12),百秒稳定度为3.0×10^(-12),万秒稳定度为6.17×10^(-14),为增强型罗兰授时系统发播信号监测和超远距离时间产生提供了一种可行方法。

亚微米级四方相钛酸钡低温固相法制备及晶型控制

以八水合氢氧化钡和α-钛酸为原料,在相对低的焙烧温度下,制备出近似球形、亚微米级的钛酸钡。通过XRD、SEM、Raman和FTIR等手段对钛酸钡样品进行表征,样品具有高结晶度,颗粒均一性良好。晶型转变的初步探究表明,立方相为主的钛酸钡可以在400℃发生晶相转变,成为以四方相为主的钛酸钡。

高温合金整体叶轮控晶铸造工艺及其应用研究

系统地研究了高温合金整体叶轮控晶铸造工艺方法.研究结果表明,铸型搅动可使整体叶轮的轮盘晶粒度达到ASTM2～3级(0.18～0.125 mm),叶片的晶粒尺寸可任意控制.