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1.3μm InGaAsP 半导体激光器晶格温升的研究
1
作者
郝素君
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期81-84,共4页
测量了1.3μmInGaAsP半导体激光器自发发射光谱.利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移,对激光器激活区中晶格温升进行了测量分析,得到晶格温升与热平衡时间的关系曲线.
关键词
半导体激光器
自发发射光谱
晶格温升
INGAASP
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职称材料
题名
1.3μm InGaAsP 半导体激光器晶格温升的研究
1
作者
郝素君
机构
"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室
上海交通大学光纤技术研究所
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期81-84,共4页
文摘
测量了1.3μmInGaAsP半导体激光器自发发射光谱.利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移,对激光器激活区中晶格温升进行了测量分析,得到晶格温升与热平衡时间的关系曲线.
关键词
半导体激光器
自发发射光谱
晶格温升
INGAASP
Keywords
semiconductor laser
spontaneous emission spectrum
lattice temperature rise
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.3μm InGaAsP 半导体激光器晶格温升的研究
郝素君
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
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