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1.3μm InGaAsP 半导体激光器晶格温升的研究
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作者 郝素君 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期81-84,共4页
测量了1.3μmInGaAsP半导体激光器自发发射光谱.利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移,对激光器激活区中晶格温升进行了测量分析,得到晶格温升与热平衡时间的关系曲线.
关键词 半导体激光器 自发发射光谱 晶格温升 INGAASP
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