期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底620 nm半导体激光器的特性
被引量:
1
1
作者
林涛
解佳男
+5 位作者
穆妍
李亚宁
孙婉君
张霞霞
杨莎
米帅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第19期227-233,共7页
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中...
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中的Si摩尔分数调整激光器结构中每层AlGaInP系材料的晶格常数,从而实现高Ga摩尔分数的GaInP量子阱并将GaInP量子阱的激光波长缩短至620 nm。通过计算SiGe、AlGaInP系材料的物理参数,研究了GaInP量子阱有源区结构和Si_(x)Ge_(1-x)基体层组分对输出特性的影响规律,优化了激光器的结构参数。模拟结果表明,298 K温度下设计的激光器输出波长为620 nm,阈值电流为0.58 A,输出功率为1.20 W,转换效率为38.3%。
展开更多
关键词
激光器
半导体激光器
短波长红光激光
晶格调制
Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底
原文传递
题名
Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底620 nm半导体激光器的特性
被引量:
1
1
作者
林涛
解佳男
穆妍
李亚宁
孙婉君
张霞霞
杨莎
米帅
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
西安理工大学陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第19期227-233,共7页
基金
陕西省重点研发计划(2020GY044)
陕西省创新团队支持计划(2021TD25)
西安市科技计划(2020KJRC0077,2019219814SYS013CG035)。
文摘
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中的Si摩尔分数调整激光器结构中每层AlGaInP系材料的晶格常数,从而实现高Ga摩尔分数的GaInP量子阱并将GaInP量子阱的激光波长缩短至620 nm。通过计算SiGe、AlGaInP系材料的物理参数,研究了GaInP量子阱有源区结构和Si_(x)Ge_(1-x)基体层组分对输出特性的影响规律,优化了激光器的结构参数。模拟结果表明,298 K温度下设计的激光器输出波长为620 nm,阈值电流为0.58 A,输出功率为1.20 W,转换效率为38.3%。
关键词
激光器
半导体激光器
短波长红光激光
晶格调制
Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底
Keywords
lasers
semiconductor lasers
shortwavelength red laser
crystal lattice modulation
Ge/Si_(x)Ge_(1−x)substrate
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底620 nm半导体激光器的特性
林涛
解佳男
穆妍
李亚宁
孙婉君
张霞霞
杨莎
米帅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部