改进中值滤波算法在晶棒图像预处理中的应用

传统的中值滤波算法在晶棒图像处理中无法准确区分噪声和划线特征,导致划线特征过度平滑。为解决该问题,提出了一种基于图像梯度的中值滤波算法。通过引入像素相似度以及图像梯度信息来提高噪声去除的准确性和划线特征保护能力。比较处理后图像的峰值信噪比和划线特征边缘梯度强度,结果显示,经改进算法处理后,图像的划线特征边缘强度和峰值信噪比均高于标准中值滤波和快速加权中值滤波算法,在晶棒图像预处理中性能更优。

一种蓝宝石晶棒测向夹具的设计及使用

蓝宝石晶体凭借其优异的性能成为现代工业的基础材料之一,该文简述了蓝宝石单晶的晶体特性、晶向分布特点以及蓝宝石当前主要应用领域。根据蓝宝石晶体各项异性的特性,针对常规检测圆晶棒精度低且速度慢的问题,设计了一种用于直接装夹蓝宝石晶棒的夹具,可满足对晶棒晶向检测的需求,并实现批量化作业,既可提升操作员的工作效率,又能有效提高晶棒晶向检测的精准性。

连续拉晶下石英坩埚内气泡变化规律及晶棒的性能研究

本研究致力于深入探讨连续拉晶过程中晶棒性能的改进方法,特别关注了石英坩埚内气泡变化规律以及晶棒的性能优化。通过分析石英坩埚内气泡的形成机制、晶棒材料的选择、先进工艺技术的应用以及晶棒性能与实际应用的关联,本研究提出了一系列关键策略。研究结果表明,在拉晶过程中,通过控制热传导、气体扩散和过程参数优化,可以显著降低气泡的生成,从而提高晶棒的质量和性能。此外,晶棒材料的选择和先进工艺技术的应用也对性能改进起到重要作用。最后,本研究强调了晶棒性能与实际应用之间的关联,强调了定制化的需求,以满足不同领域的需求。

微波法制备金属钴纳米晶棒及其表征

采用微波加热在乙二醇的碱性溶液中用硼氢化钠还原醋酸钴制备了金属Co纳米微粒,并用不同的表面活性剂对Co纳米微粒的表面进行修饰,得到六方晶型的金属Co纳米晶。采用透射电子显微镜和激光光散射仪观测纳米Co粒子的形貌、粒径及分布,确认金属Co纳米晶为直径约20 nm、长度约100 nm的棒状。在正己烷中基本无团聚,呈现单分散,形态均一,粒径分布窄。采用XPS考察产物的表面价态,证明金属Co纳米晶是以零价态存在的。

低热固相化学反应法合成磷酸锌微米晶棒

在表面活性剂乙二醇(EG)存在下,采用低热固相化学反应,分别以Zn(NO3)2.6H2O(70℃)、ZnSO4.7H2O(室温)与Na3PO4.12H2O进行反应,超声波作用下洗涤产物,一步合成出磷酸锌微米晶棒,利用XRD、TEM、SEM和IR等手段表征了其结构和形貌。实验结果表明:两种锌盐与Na3PO4.12H2O反应,在一定的条件下,均能合成出EG修饰的磷酸锌微米晶棒。此研究为磷酸盐工业生产的绿色化发展提供了一定的参考依据。

^(60)Co照射正电子湮没研究YAP晶棒芯部固有结构缺陷

本文通过^(60)Co 的γ照射及正电子湮没寿命谱学测量,研究了1%Nd:YAP晶棒芯部的固有结构缺陷及其“浸泡”前后的变化规律,说明了“浸泡”工艺是改善芯部缺陷的一种好手段。通过1100℃ H_2中10h 退火实验,虽然有褪白效应,然而,副效应是大的。

区熔法拉制硅单晶中多晶棒化刺工艺探讨

区熔硅单晶因其高电阻、高少子寿命的优点,成为电力电子器件制造中不可或缺的半导体材料。本文首先对区熔硅单晶生长的机理进行探究,然后得出了解决多晶棒出刺问题的工艺。

硅晶棒内圆锯切加工过程的锯切力分析

通过对内圆锯切力进行计算分析,分析了内圆锯片锯切硅晶棒的锯切力特征以及进给速度、主轴转速和工件尺寸等锯切工艺参数对锯切力的影响。由计算分析可知,锯切力是连续变化的,变化特征与接触弧长的变化特征相同,法向锯切力比切向锯切力对锯切加工过程的影响更显著;锯切工艺参数对内圆锯切力的影响明显,对锯切工艺参数进行合理选择和优化改善接触弧长,可有效改善锯切力状态,保证锯切加工过程的平稳性。

用LHPG法从粉末棒直接生长单晶光纤

研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长成陶瓷多晶棒,随后从多晶棒生长出单晶光纤。但其最佳生长速度远比以单晶为源棒生长单晶光纤的速度小(从1.2mm/min 减小到0.2mm/min)。实验还发现,以多晶为源棒所对应的熔区形状系数 C 比以单晶为源棒的小;另外,该法生长的单晶光纤的光谱性能与大块晶体的光谱性能相同。

结晶锆棒的碘化制备技术

碘化法制备结晶锆是提纯金属锆的有效方法之一,制备的结晶锆具有纯度高、气体杂质含量低、加工性能好等优点。以海绵锆为原料,通过碘化提纯,制备的金属锆纯度可达到99.9%。本文简述了碘化法生产锆晶棒的原理,并重点对碘化设备和碘化提纯影响因素的研究进展进行了综述。

非线性晶棒腔内多模频率变换温度场分析

为解决激光器非线性频率变换时非线性晶体的热效应问题,解析地研究了激光器谐振腔内多模振荡状态下非线性晶体的温度分布。通过对激光器腔内模特点分析,得出了谐振腔归一化的多模光束表达式。基于非线性晶体腔内变频工作状态分析,建立了非线性晶棒热分析模型,采用一种新的热传导方程求解方法,得到了非线性晶棒多模变频工作状态下温度场的一般解析表达式。同时分析了激光器腔内基波功率、光斑半径对非线性晶棒温度场分布的影响。研究结果表明,若腔内多模激光功率为500W、光束腰半径为80μm时,KTP晶棒内最高温升为126.3℃。研究对于减小非线性晶体温升引起的相位失配以及提高激光器谐波转换效率将起理论指导作用。

原位生长棒晶氧化铝陶瓷的制备

α-Al2 O3 中加入CAS (CaO -Al2 O3-SiO2 )添加剂 ,在≥15 5 0℃ ,3h条件下无压烧结 ,制备出原位生长棒晶自增韧氧化铝陶瓷 .烧结行为和显微结构研究表明 :15 0 0℃烧结时棒晶开始生成 ,15 5 0℃完全生成棒晶 ,棒晶的大小均匀 ,样品的相对密度达到>97% ,烧结温度升至 16 0 0℃时 ,烧结对棒晶的尺寸几乎无影响 .不含CAS添加剂的样品在 130 0～ 16 0 0℃烧结不能生成氧化铝棒晶 ,而 0 .1%～ 0 .5 % (质量分数计 ,下同 )CAS的加入可引发氧化铝晶粒异向生长 ,形成棒晶 .CAS的添加量从 0 .1%增加到 0 .5 %对氧化铝棒晶的显微结构没有明显的影响 .

ZnO棒晶阵列薄膜的水溶液法生长

采用低温水溶液法,在涂覆ZnO种子层的ITO基底上制备了高度取向的ZnO棒晶阵列,考察了棒晶的生长过程以及生长液浓度、生长时间对薄膜形貌的影响．用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),场发射扫描显微镜(FESEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)对ZnO纳米棒的结构和形貌进行了表征．结果表明,ZnO薄膜的形貌强烈依赖于生长溶液的浓度和生长时间,ZnO棒是单晶,属于六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长的特征,生长方式为层层台阶生长,反应时间达到48h后,通过二次生长形成特殊的板状晶．

原位生成棒晶增强Ti-B-X复相陶瓷的研究

Ｂ４Ｃ与Ｔｉ在１８００°Ｃ×３５ＭＰa×１ｈ的烧结条件下反应生成了TiB2 棒晶，棒晶长度在１０～３０μｍ，其长径比在２～８范围．原位生成的棒晶赋予了材料具有极高的力学性能，材料的弯曲强度和断裂韧性分别为 ６８０ＭＰａ和 １２ＭＰａ·ｍ１／２．通过 Ｘ射线衍射检测了材料的物相组成，利用扫描电镜及透射电镜观察了材料的显微结构．最后讨论了温度及金属Ｔｉ含量对棒晶ＴiＢ2的生成及发育的影响．

自蔓延燃烧合成β-Si_3N_4棒晶

采用自蔓延高温合成（SHS）,在高压氮气中成功地合成了β-Si3N4棒晶,研究了添加不同量Y2O3对自蔓延燃烧合成β-Si3N4。棒晶长径比的影响.结果表明,Y2O3添加量有一个最佳范围,当Y2O3的添加量在2Wt％～5wt％时,棒晶生长均匀,长径比约为8.通过铜坩埚吸热淬火的方法,观察到β-Si3N4棒晶不同生长阶段的显微形貌,从而推测其生长机理为VLS和VS两种机理协同作用的结果.本文对β-Si3N4棒晶生长的反应历程也进行了阐述.

氧化锌棒晶的热液制备与表征

以二水醋酸锌、氢氧化钠为原料,长链聚乙二醇(PEG-20000)、环己烷为添加剂,制备出氧化锌微晶粉体.采用X射线衍射,扫描电镜和透射电镜等分析手段对粉体进行了表征.实验结果表明,在热液环境中,利用长链PEG不仅可以制备特殊形貌的氧化锌,也可以在环己烷的作用下,制备出大长径比的一维氧化锌棒.

添加β-Si_3N_4棒晶对氮化硅陶瓷力学性能的影响

将由自蔓延燃烧合成法制备的β—Si3N4棒晶加入到α-Si3N4起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt％的β-Si3N4棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa·m1/2提高到6.7MPa·m1/2.断口形貌和压痕裂纹的显微结构观察表明,韧性的提高源于长柱状晶粒的拔出和裂纹的偏转.

原位Al_2O_3片晶/Ce-TZP和SrO·6Al_2O_3棒晶/Ce-TZP复合材料的制备与显微结构

通过在 Ce- TZP基体中加入 Al OOH及矿化剂 Ti O2 或反应剂 Sr CO3制备了原位 Al2 O3片晶 / Ce- TZP复合材料和原位 Sr O· 6 Al2 O3棒晶 / Ce- TZP复合材料。在烧结过程中 Ti O2 促进 Al2 O3晶粒发生显著的各向异性生长原位生成的片晶、Al2 O3与 Sr CO3发生反应 ,原位生成的高度各向异性的棒晶 ,它们在基体中分布均匀 ,具有较大的纵横比。烧结温度对片晶 /棒晶的大小和含量有明显影响。通过在基体中原位形成片晶或棒晶 。

Zn掺杂对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷湿敏特性影响研究

采用共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏粉体,分析了Zn掺杂对材料湿敏性能的影响,研究了材料的复阻抗特性和频率特性。实验结果表明,Zn的添加量对材料的微结构和湿敏特性都具有较大影响。适当的Zn掺杂可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏性能,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。