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晶片减薄技术原理概况
被引量:
7
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作者
柳滨
《电子工业专用设备》
2005年第6期22-26,共5页
从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。
关键词
晶片减薄
减
薄
技术
减
薄
工艺
减
薄
原理
下载PDF
职称材料
题名
晶片减薄技术原理概况
被引量:
7
1
作者
柳滨
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2005年第6期22-26,共5页
文摘
从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。
关键词
晶片减薄
减
薄
技术
减
薄
工艺
减
薄
原理
Keywords
Wafer grinding
Grinding technology
Grinding process
Grinding principle
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
晶片减薄技术原理概况
柳滨
《电子工业专用设备》
2005
7
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