GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

采用不同的化学腐蚀方法 ,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响 ,提出了氨水系列 ,进行晶片化学腐蚀 ,晶片厚度均匀性 1 1 .47% ,为下步工艺提供平整度较好的晶片。